Electronic properties of atomically abrupt tunnel junctions in silicon

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 75, Issue 12, 2007, Pages

  Ruess F J ^a   Pok, W ^a   Goh, K E J ^a   Hamilton, A R ^a   Simmons, M Y ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33947523647     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.75.121303     Document Type: Article

References (24)

1. Y. Wada, Surf. Sci. SUSCAS 0039-6028 10.1016/S0039-6028(97)00318-X 386, 265 (1997).
2. J. R. Tucker and T. C. Shen, Solid-State Electron. SSELA5 0038-1101 10.1016/S0038-1101(97)00302-X 42, 1061 (1998).
3. F. J. Rueß, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, K. E. J. Goh, A. R. Hamilton, T. Hallam, S. R. Schofield, N. J. Curson, and R. G. Clark, Nano Lett. NALEFD 1530-6984 10.1021/nl048808v 4, 1969 (2004).
4. T.-C. Shen, J. S. Kline, T. Schenkel, S. J. Robinson, J.-Y. Ji, C. Yang, R.-R. Du, and J. R. Tucker, J. Vac. Sci. Technol. B JVTBD9 0734-211X 10.1116/1.1813466 22, 3182 (2004).
5. F. J. Rueß, L. Oberbeck, K. E. J. Goh, M. J. Butcher, E. Gauja, A. R. Hamilton, and M. Y. Simmons, Nanotechnology NNOTER 0957-4484 10.1088/0957-4484/16/10/076 16, 2446 (2005).
6. F. J. Rueß, K. E. J. Goh, M. J. Butcher, T. C. G. Reusch, L. Oberbeck, B. Weber, A. R. Hamilton, and M. Y. Simmons, Nanotechnology NNOTER 0957-4484 10.1088/0957-4484/18/4/044023 18, 044023 (2007).
7. D. J. Frank, R. H. Denard, E. Nowak, P. M. Solomon, Y. Taur, and H.-S. Wong, Proc. IEEE IEEPAD 0018-9219 10.1109/5.915374 89, 259 (2001).
8. V. V. Zhirnov, R. K. Cavin, D. J. C. Herr, and T. A. Woolridge, IEEE Trans. Semicond. Manuf. ITSMED 0894-6507 15, 157 (2002).
9. S. R. Schofield, N. J. Curson, M. Y. Simmons, F. J. Rueß, T. Hallam, L. Oberbeck, and R. G. Clark, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.91.136104 91, 136104 (2003).
10. T. A. Fulton and G. J. Dolan, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.59.109 59, 109 (1987).
11. L. L. Chang, L. Esaki, and R. Tsu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1655067 24, 593 (1974).
12. T. Shinada, S. Okamoto, T. Kobayashi, and I. Ohdomari, Nature (London) NATUAS 0028-0836 10.1038/nature04086 437, 1128 (2005).
13. K. K. Likharev, Proc. IEEE IEEPAD 0018-9219 10.1109/5.752518 87, 606 (1999).
14. D. N. Jamieson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1925320 86, 202101 (2005).
15. R. J. Hamers, P. Avouris, and F. Bozso, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.59.2071 59, 2071 (1987).
16. J. L. O'Brien, S. R. Schofield, M. Y. Simmons, R. G. Clark, A. S. Dzurak, N. J. Curson, B. E. Kane, N. S. McAlpine, M. E. Hawley, and G. W. Brown, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.64.161401 64, 161401 (R) (2001).
17. L. Oberbeck, N. J. Curson, T. Hallam, M. Y. Simmons, and R. G. Clark, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1784881 85, 1359 (2004).
18. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, and R. G. Clark, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1827940 85, 4953 (2004).
19. L. Oberbeck, N. J. Curson, T. Hallam, M. Y. Simmons, and R. G. Clark, Thin Solid Films THSFAP 0040-6090 464-465, 23 (2004).
20. C. B. Duke, Tunneling in Solids, Solid State Physics Vol. 10 (Academic Press, New York, 1969).
21. M. W. Dellow, P. H. Beton, C. J. G. M. Langerak, T. J. Foster, P. C. Main, L. Eaves, M. Henini, S. P. Beaumont, and C. D. W. Wilkinson, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.68.1754 68, 1754 (1992).
22. M. Pioro-Ladrière, J. H. Davies, A. R. Long, A. S. Sachrajda, L. Gaudreau, P. Zawadzki, J. Lapointe, J. Gupta, Z. Wasilewski, and S. Studenikin, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.72.115331 72, 115331 (2005).
23. O. Prus, M. Reznikov, U. Sivan, and V. Pudalov, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.88.016801 88, 016801 (2001).
24. H. Ishikuro, S. Takuya, T. Hiramoto, and T. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 10.1143/JJAP.35.858 35, 858 (1996).