On positive charge formed under negative bias temperature stress

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 2, 2007, Pages

  Chang, M H ^a   Zhang, J F ^a  

^a LIVERPOOL JOHN MOORES UNIVERSITY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEFECTS; HOLE CONCENTRATION; HOLE TRAPS; STRESS ANALYSIS;

HOLE INJECTION; NEGATIVE BIAS; POSITIVE CHARGE; SILICON OXYNITRIDE; TEMPERATURE STRESS;

ELECTRIC CHARGE;

EID: 33847724718     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2427109     Document Type: Article

References (37)

1. R. E. Stahlbush, B. J. Mrstik, and R. K. Lawrence, IEEE Trans. Nucl. Sci. 37, 1641 (1990).
2. D. M. Fleetwood and N. S. Saks, J. Appl. Phys. 79, 1538 (1996).
3. A. R. Stivers and C. T. Sah, J. Appl. Phys. 51, 6292 (1980).
4. W. Chen, A. Balasinski, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 40, 187 (1993).
5. L. P. Trombetta, F. J. Feigl, and R. J. Zeto, J. Appl. Phys. 69, 2512 (1991).
6. I. S. Al-kofahi, J. F. Zhang, and G. Groeseneken, J. Appl. Phys. 81, 2686 (1997).
7. J. F. Zhang, S. Taylor, and W. Eccleston, J. Appl. Phys. 71, 725 (1992).
8. P. J. Macfarlane and R. E. Stahlbush, Appl. Phys. Lett. 77, 3081 (2000).
9. J. F. Zhang, C. Z. Zhao, G. Groeseneken, R. Degraeve, J. N. Ellis, and C. D. Beech, J. Appl. Phys. 90, 1911 (2001).
10. B. E. Deal, M. Sklar, A. S. Grove, and E. H. Snow, J. Electrochem. Soc. 114, 266 (1967).
11. K. O. Jeppson and C. M. Svensson, J. Appl. Phys. 48, 2004 (1977).
12. C. E. Blat, E. H. Nicollian, and E. H. Poindexter, J. Appl. Phys. 69, 1712 (1991).
13. S. S. Tan, T. P. Chen, J. M. Soon, K. P. Loh, C. H. Ang, and L. Chen, Appl. Phys. Lett. 82, 1881 (2003).
14. N. Kimizuka, T. Yamamoto, T. Mogami, K. Yamaguchi, K. Imai, and T. Horiuchi, Tech. Dig. - VLSI Symposium 1999, 73.
15. N. Kimizuka, K. Yamaguchi, K. Imai, T. Iizuka, C. T. Liu, R. C. Keller, and T. Horiuchi, Tech. Dig. - VLSI Symposium 2000, 92.
16. G. Chen, M. F. Li, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 23, 734 (2002).
17. M. Houssa, M. Aoulaiche, J. L. Autran, C. Parthasarathy, N. Revil, and E. Vincent, J. Appl. Phys. 95, 2786 (2004).
18. V. Huard, M. Denais, and C. Parthasarathy, Microelectron. Reliab. 45, 83 (2005).
19. M. Denais, A. Bravaix, V. Huard, C. Parthasarathy, G. Ribes, F. Perrier, Y. Rey-Tauriac, and N. Revil, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2004, 109.
20. K. Kushida-Abdelghafar, K. Watanabe, J. Ushio, and E. Murakami, Appl. Phys. Lett. 81, 4362 (2002).
21. S. Mahapatra, P. B. Kumar, and M. A. Alam, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1371 (2004).
22. V. Reddy, A. T. Krishnan, A. Marshall, J. Rodriguez, S. Natarajan, T. Rost, and S. Krishnan, Microelectron. Reliab. 45, 31 (2005).
23. S. Rangan, N. Mielke, and E. C. C. Yeh, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 341.
24. S. S. Tan, T. P. Chen, J. M. Soon, K. P. Loh, C. H. Ang, W. Y. Teo, and L. Chen, Appl. Phys. Lett. 83, 530 (2003).
25. X. J. Zhou, Appl. Phys. Lett. 84, 4394 (2004).
26. J. F. Zhang, H. K. Sii, G. Groeseneken, and R. Degraeve, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1127 (2001).
27. J. F. Zhang, H. K. Sii, R. Degraeve, and G. Groeseneken, J. Appl. Phys. 87, 2967 (2000).
28. J. F. Zhang, C. Z. Zhao, A. H. Chen, G. Groeseneken, and R. Degraeve, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1267 (2004).
29. C. Z. Zhao and J. F. Zhang, J. Appl. Phys. 97, 073703 (2005).
30. J. R. Brews, IEEE Trans. Electron Devices 26, 1282 (1979).
31. C. Tan, M. Xu, and Y. Wang, IEEE Electron Device Lett. 15, 257 (1994).
32. P. J. McWhorter and P. S. Winokur, Appl. Phys. Lett. 48, 133 (1986).
33. S. Ogawa, M. Shimaya, and N. Shiono, J. Appl. Phys. 77, 1137 (1995).
34. M. Ershov, Appl. Phys. Lett. 83, 1647 (2003).
35. C. Schlunder, Microelectron. Reliab. 39, 821 (1999).
36. A. Stesmans and V. V. Afanas'ev, Phys. Rev. B 57, 10030 (1998).
37. D. J. DiMaria, E. Cartier, and D. Arnold, J. Appl. Phys. 73, 3367 (1993).