Contactless electroreflectance of GaInNAsSbGaAs single quantum wells with indium content of 8%-32%

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 1, 2007, Pages

  Kudrawiec, R ^a,b   Yuen, H B ^a   Motyka, M ^b   Gladysiewicz, M ^b   Misiewicz, J ^b   Bank, S R ^a   Bae, H P ^a   Wistey, M A ^a   Harris, James S ^a  

^a Stanford University   (United States)

^b WROCLAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACTLESS ELECTROREFLECTANCE; GAINNASSBGAAS; QW TRANSITIONS; SINGLE QUANTUM WELLS (SQWS);

CARRIER CONCENTRATION; CONCENTRATION (PROCESS); GROUND STATE; INDIUM COMPOUNDS; NITROGEN; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 33846280147     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2382721     Document Type: Article

References (58)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
2. I. A. Buyanova, and W. M. Chen, Physics and Applications of Dilute Nitrides (Taylor & Francis, New York, 2004).
3. M. Henini, Dilute Nitride Semiconductors (Elsevier, Oxford, 2005).
4. K. D. Choquette, Electron. Lett. 36, 1388 (2000).
5. N. Tansu and L. J. Mawst, IEEE Photonics Technol. Lett. 14, 444 (2002).
6. G. Jaschke, R. Averbeck, L. Geelhaar, and H. Riechert, J. Cryst. Growth 278, 224 (2005).
7. X. Yang, M. J. Jurkovic, J. B. Heroux, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 178 (1999).
8. G. Ungaro, G. Le Roux, R. Teisser, and J. C. Harmand, Electron. Lett. 35, 1246 (1999).
9. H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama, and A. Kasukawa, Electron. Lett. 36, 1379 (2000).
10. X. Yang, J. B. Heroux, L. F. Mei, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 4068 (2001).
11. V. Gambin, W. Ha, M. A. Wistey, H. B. Yuen, S. R. Bank, S. M. Kim, and J. S. Harris, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 795 (2002).
12. S. R. Bank, H. P. Bae, H. B. Yuen, M. A. Wistey, L. L. Goddard, and J. S. Harris, Electron. Lett. 42, 156 (2006).
13. M. A. Wistey, S. R. Bank, H. P. Bae, H. B. Yuen, E. R. Pickett, L. L. Goddard, and J. S. Harris, Electron. Lett. 42, 282 (2006).
14. M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Yu. Egorov, D. Bernklau, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 76, 1030 (2000).
15. Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin, B. O. Sun, D. S. Jiang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 78, 2217 (2001).
16. J. B. Heroux, X. Yang, and W. I. Wang, J. Appl. Phys. 92, 4361 (2002).
17. S. A. Choulis, T. J. C. Hosea, S. Tomic, M. Kamal Saadi, A. R. Admas, E. P. O'Reilly, B. A. Weinstein, and P. J. Klar, Phys. Rev. B 66, 165321 (2002).
18. J. Misiewicz, R. Kudrawiec, K. Ryczko, G. Sk, A. Forchel, J. C. Harmand, and M. Hammar, J. Phys.: Condens. Matter 16, 3071 (2004).
19. Gh. Dumitras and H. Riechert, J. Appl. Phys. 94, 3955 (2003).
20. M. Galluppi, L. Geelhaar, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 86, 131925 (2005).
21. R. Kudrawiec, Appl. Phys. Lett. 88, 221113 (2006).
22. S. Sakai, Y. Ueta, and Y. Terauchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 4413 (1993).
23. T. Kitani, M. Kondow, T. Kikawa, Y. Yazawa, M. Okai, and K. Uomi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5003 (1999).
24. S. Tomic, E. P. O'Reilly, P. J. Klar, H. Gruning, W. Heimbrodt, W. M. Chen, and I. A. Buyanova, Phys. Rev. B 69, 245305 (2004).
25. R. Kudrawiec, M. Motyka, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, J. A. Gupta, and G. C. Aers, Solid State Commun. 138, 365 (2006).
26. R. Kudrawiec, K. Ryczko, J. Misiewicz, H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, H. P. Bae, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 86, 141908 (2005).
27. R. Kudrawiec, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, H. P. Bae, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. B 73, 245413 (2006).
28. T. Mattila, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 60, R11245 (1999).
29. C. Skierbiszewski, Phys. Status Solidi B 216, 135 (1999).
30. A. Lindsay and E. P. O'Reilly, Solid State Commun. 112, 443 (1999).
31. I. Gorczyca, C. Skierbiszewski, T. Suski, N. E. Christensen, and A. Svane, Phys. Rev. B 66, 081106 (2002).
32. N. Shtinkov, P. Desjardins, and R. A. Masut, Phys. Rev. B 67, 081202 (2003).
33. Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 61, 7479 (2000).
34. C. Skierbiszewski, Appl. Phys. Lett. 76, 2409 (2000).
35. P. N. Hai, W. M. Chen, I. A. Buyanova, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 77, 1843 (2000).
36. J. Wu, W. Shan, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 64, 085320 (2001).
37. C. Skierbiszewski, I. Gorczyca, S. P. Lepkowski, J. Lusakowski, J. Borysiuk, and J. Toivomem, Semicond. Sci. Technol. 19, 1189 (2004).
38. G. Baldassarri, Phys. Rev. B 67, 233304 (2003).
39. X. Yin and F. H. Pollak, Appl. Phys. Lett. 59, 2305 (1991).
40. F. H. Pollak, in Handbook on Semiconductors edited by, T. S. Moss, (Elsevier Science, Amsterdam, 1994), Vol. 2, pp. 527-635.
41. R. Kudrawiec, P. Sitarek, J. Misiewicz, S. R. Bank, H. B. Yuen, M. A. Wistey, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 86, 091115 (2005).
42. R. C. Tu, J. Appl. Phys. 83, 1043 (1998).
43. M. Munoz, H. Lu, X. Zhou, M. C. Tamargo, and F. H. Pollak, Appl. Phys. Lett. 83, 1995 (2003).
44. S. G. Spruytte, M. C. Larson, W. Wampler, C. W. Coldren, H. E. Petersen, and J. S. Harris, Jr., J. Cryst. Growth 227-228, 506 (2001).
45. H. B. Yuen, M. A. Wistey, S. R. Bank, H. P. Bae, and J. S. Harris, Jr., J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1328 (2005).
46. H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, A. Moto, and J. S. Harris, Jr., J. Appl. Phys. 96, 6375 (2004).
47. H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, J. S. Harris, Jr., M.-J. Seong, S. Yoon, R. Kudrawiec, and J. Misiewicz, J. Appl. Phys. 97, 113510 (2005).
48. K. Volz, V. Gambin, W. Ha, M. A. Wistey, H. B. Yuen, S. R. Bank, and J. S. Harris, Jr., J. Cryst. Growth 251, 360 (2003).
49. H. B. Yuen, S. R. Bank, H. P. Bae, M. A. Wistey, and J. S. Harris, J. Appl. Phys. 99, 093504 (2006).
50. R. Kudrawiec and J. Misiewicz, E-MRS 2005 Spring Meeting, Strasbourg, France [Appl. Surf. Sci. 253, 152 (2006)].
51. R. Kudrawiec (unpublished).
52. G. L. Bir and G. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).
53. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
54. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
55. S.-H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 72, 2011 (1998).
56. R. Kudrawiec, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, H. P. Bae, and J. S. Harris, Jr., Solid State Commun. 137, 138 (2006).
57. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Krutz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
58. W. Shan, Phys. Status Solidi B 223, 75 (2001).