The role of antimony on properties of widely varying GaInNAsSb compositions

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 9, 2006, Pages

  Yuen, Homan B ^a   Bank, Seth R ^a   Bae, Hopil ^a   Wistey, Mark A ^a   Harris Jr , James S ^a  

^a Stanford University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANTIMONY FLUX; LASER DEVICES; OPTICAL QUALITY;

ANTIMONY; GALLIUM NITRIDE; OPTOELECTRONIC DEVICES; SEMICONDUCTING INDIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SOLAR CELLS; SURFACE ACTIVE AGENTS;

SEMICONDUCTING GALLIUM;

EID: 33646881793     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2191745     Document Type: Article

References (28)

1. M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L853 (1992).
2. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
3. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, E. D. Jones, J. M. Gee, J. J. Banas, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 74, 729 (1999).
4. K. Volz, J. Koch, B. Kunert, and W. Stolz, J. Cryst. Growth 248, 451 (2003).
5. A. J. Ptak, S. W. Johnston, S. Kurtz, D. J. Friedman, and W. K. Metzger, J. Cryst. Growth 251, 392 (2003).
6. K. D. Choquette et al., Electron. Lett. 36, 1388 (2000).
7. N. Tansu and L. J. Mawst, IEEE Photon. Technol. Lett. 14, 444 (2002).
8. G. Jaschke, R. Averbeck, L. Geelhaar, and H. Riechert, J. Cryst. Growth 278, 224 (2005).
9. M. A. Wistey, S. R. Bank, H. B. Yuen, H. P. Bae, and J. S. Harris, Jr., J. Cryst. Growth 278, 229 (2005).
10. H. B. Yuen, M. A. Wistey, S. R. Bank, H. P. Bae, and J. S. Harris, Jr., J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1328 (2005).
11. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, C. H. Seager, R. M. Sieg, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 77, 400 (2000).
12. K. Volz, T. Torunski, and W. Stolz, J. Appl. Phys. 97, 014306 (2005).
13. M. Copel, M. C. Reuter, E. Kaxiras, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 63, 632 (1989).
14. E. Tournie and K. H. Ploog, Thin Solid Films 231, 43 (1993).
15. X. Yang, M. J. Jurkovic, J. B. Heroux, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 178 (1999).
16. H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama, and A. Kasukawa, Electron. Lett. 36, 1379 (2000).
17. X. Yang, J. B. Heroux, L. F. Mei, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 4068 (2001).
18. V. Gambin, W. Ha, M. A. Wistey, H. B. Yuen, S. R. Bank, S. M. Kim, and J. S. Harris, Jr., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 795 (2002).
19. S. R. Bank, H. P. Bae, H. B. Yuen, M. A. Wistey, L. L. Goddard, and J. S. Harris, Jr., Electron. Lett. 42, 156 (2006).
20. H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, A. Moto, and J. S. Harris, Jr., J. Appl. Phys. 96, 6375 (2004).
21. H. B. Yuen, M. J. Seong, R. Kudrawiec, S. Yoon, S. R. Bank, M. A. Wistey, J. Misciewicz, and J. S. Harris, Jr., J. Appl. Phys. 97, 113510 (2005).
22. J. Massies and N. Grandjean, Phys. Rev. B 48, 8502 (1993).
23. E. Tournie, N. Grandjean, A. Trampert, J. Massies, and K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 150, 460 (1995).
24. S. G. Spruytte, M. C. Larson, W. Wampler, C. W. Coldren, H. E. Petersen, and J. S. Harris, Jr., J. Cryst. Growth 227/228, 506 (2001).
25. K. Volz, V. Gambin, W. Ha, M. A. Wistey, H. B. Yuen, S. R. Bank, and J. S. Harris, Jr., J. Cryst. Growth 251, 360 (2003).
26. J. C. Harmand, G. Ungaro, L. Largeau, and G. LeRoux, Appl. Phys. Lett. 77, 2482 (2000).
27. H. B. Yuen, S. R. Bank, H. P. Bae, M. A. Wistey, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. (submitted).
28. S. R. Bank, H. B. Yuen, H. P. Bae, M. A. Wistey, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. (to be published).