Nitrogen and indium dependence of the band offsets in InGaAsN quantum wells

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 13, 2005, Pages 1-3

  Galluppi, Massimo ^a   Geelhaar, Lutz ^a   Riechert, Henning ^a  

^a INFINEON TECHNOLOGIES AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPUTER SIMULATION; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRONIC STRUCTURE; NITROGEN; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

CONDUCTION BAND; PHOTOREFLECTANCE; PHOTOVOLTAGE; VALENCE BANDS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 17644376849     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1898441     Document Type: Article

References (22)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 10.1143/JJAP.35.1273 35, 1273 (1996); H. Riechert, A. Ramakrishnan, and G. Steinle, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/17/8/318 17, 892 (2002); H. Riechert, A. Ramakrishnan, and G. Steinle Semicond. Sci. Technol. 17, 741 (2002).
2. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 10.1143/JJAP.35.1273 35, 1273 (1996); H. Riechert, A. Ramakrishnan, and G. Steinle, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/17/8/318 17, 892 (2002); H. Riechert, A. Ramakrishnan, and G. Steinle Semicond. Sci. Technol. 17, 741 (2002).
3. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 10.1143/JJAP.35.1273 35, 1273 (1996); H. Riechert, A. Ramakrishnan, and G. Steinle, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/17/8/318 17, 892 (2002); H. Riechert, A. Ramakrishnan, and G. Steinle Semicond. Sci. Technol. 17, 741 (2002).
4. As review see I. A. Buyanova, W. M. Chen, and B. Monemar, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 2 (2001).
5. J. B. H́roux, X. Yang, and W. I. Wang, J. Appl. Phys. 92, 4361 (2002), and references therein.
6. I. A. Buyanova, G. Ponzina, P. N. Hai, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.033303 63, 033303 (2000); P. Krispin, S. G. Spruytte, J. S. Harris, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1290449 88, 4153 (2000); T. Kitatani, M. Kondow, T. Kikawa, Y. Yazawa, M. Okai, and K. Uomi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5003 (1999).
7. I. A. Buyanova, G. Ponzina, P. N. Hai, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.033303 63, 033303 (2000); P. Krispin, S. G. Spruytte, J. S. Harris, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1290449 88, 4153 (2000); T. Kitatani, M. Kondow, T. Kikawa, Y. Yazawa, M. Okai, and K. Uomi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5003 (1999).
8. I. A. Buyanova, G. Ponzina, P. N. Hai, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.033303 63, 033303 (2000); P. Krispin, S. G. Spruytte, J. S. Harris, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1290449 88, 4153 (2000); T. Kitatani, M. Kondow, T. Kikawa, Y. Yazawa, M. Okai, and K. Uomi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5003 (1999).
9. H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121378 72, 2442 (1998); Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin, B. Q. Sun, D. S. Jiang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1362335 78, 2217 (2001); S. A. Choulis, T. J. Hosea, S. Tomić, M. Kamal-saadi, A. R. Adams, E. P. O'Reilly, B. A. Weinstein, and P. J. Klar, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.165321 66, 165321 (2002); M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Yu. Egorov, D. Bernklau, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 76, 1030 (2000).
10. H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121378 72, 2442 (1998); Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin, B. Q. Sun, D. S. Jiang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1362335 78, 2217 (2001); S. A. Choulis, T. J. Hosea, S. Tomić, M. Kamal-saadi, A. R. Adams, E. P. O'Reilly, B. A. Weinstein, and P. J. Klar, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.165321 66, 165321 (2002); M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Yu. Egorov, D. Bernklau, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 76, 1030 (2000).
11. H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121378 72, 2442 (1998); Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin, B. Q. Sun, D. S. Jiang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1362335 78, 2217 (2001); S. A. Choulis, T. J. Hosea, S. Tomić, M. Kamal-saadi, A. R. Adams, E. P. O'Reilly, B. A. Weinstein, and P. J. Klar, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.165321 66, 165321 (2002); M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Yu. Egorov, D. Bernklau, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 76, 1030 (2000).
12. H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121378 72, 2442 (1998); Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin, B. Q. Sun, D. S. Jiang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1362335 78, 2217 (2001); S. A. Choulis, T. J. Hosea, S. Tomić, M. Kamal-saadi, A. R. Adams, E. P. O'Reilly, B. A. Weinstein, and P. J. Klar, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.165321 66, 165321 (2002); M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Yu. Egorov, D. Bernklau, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 76, 1030 (2000).
13. Gh. Dumitras, H. Riechert, H. Porteanu, and F. Koch, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.205324 66, 205324 (2002); Gh. Dumitras and H. Riechert, J. Appl. Phys. 94, 3955 (2003).
14. Gh. Dumitras, H. Riechert, H. Porteanu, and F. Koch, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.205324 66, 205324 (2002); Gh. Dumitras and H. Riechert, J. Appl. Phys. 94, 3955 (2003).
15. M. Galluppi L. Geelhaar, H. Riechert, M. Hetterich, A. Grau, S. Birner, and W. Stolz (unpublished).
16. L. Kronik and Y. Shapira, Surface Photovoltage Phenomena: Theory, Experiment, and Applications (Elsevier, Amsterdam, 1999).
17. A. Al-Yacoub and L. Bellaiche Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.62. 10847 62, 10847 (2000); P. R. C. Kent and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 86, 2613 (2001).
18. A. Al-Yacoub and L. Bellaiche Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.62. 10847 62, 10847 (2000); P. R. C. Kent and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 86, 2613 (2001).
19. J. B. Perkins, A. Mascarenhas, Y. Zhang, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 3312 (1999).
20. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and R. S. Kurtz, J. Appl. Phys. 86, 2349 (1999).
21. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and R. S. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
22. V. I. Zubkov, M. A. Melnik, A. V. Solomonov, E. O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, and G. Tränkle, Phys. Rev. B 70, 075312 (2004).