Flicker Noise of AlGaNGaN Metal-Oxide-Semiconductor Heterostructure Field-Effect Transistor with a Photo-CVD Si O2 Layer

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 2, 2007, Pages

  Liu, C H ^a   Lam, K T ^b   Chang, S J ^c   Wang, C K ^c   Sun, Y S ^d  

^a NAN JEON INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

^b LEADER UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^d CHINA UNIVERSITY OF PETROLEUM   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ENERGY GAP; FIELD EFFECT TRANSISTORS; HETEROJUNCTIONS; MOS DEVICES; PHOTOCHEMICAL REACTIONS; SATURATION (MATERIALS COMPOSITION); VAPOR DEPOSITION;

ENERGY BANDGAP; LOW FREQUENCY NOISE; NOISE POWER DENSITY; SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTOR;

ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 33846223309     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2405842     Document Type: Article

References (31)

1. A. Koudymov, G. Simin, M. A. Khan, A. Tarakji, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett., 24, 680 (2003).
2. C. Q. Chen, J. P. Zhang, V. Adivarahan, A. Koudymov, H. Fatima, G. Simin, J. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett., 82, 4593 (2003).
3. H. Hasegawa, T. Inagaki, S. Ootomo, and T. Hashizume, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 1844 (2003).
4. Y. Nakano, T. Kachi, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett., 83, 4336 (2003).
5. B. P. Gila, J. Kim, B. Luo, A. Onstine, W. Johnson, F. Ren, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Solid-State Electron., 47, 2139 (2003).
6. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett., 80, 446 (2002).
7. K. Matocha, R. J. Gutmann, and T. P. Chow, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 1200 (2003).
8. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett., 77, 3230 (2000).
9. M. Hong, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1453 (2000).
10. B. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 458 (2001).
11. K. M. Chang, C. C. Cheng, and C. C. Lang, Solid-State Electron., 46, 1399 (2002).
12. S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, J. R. Chiou, B. R. Huang, C. S. Chang, and J. F. Chen, J. Electrochem. Soc., 150, C77 (2003).
13. Y. K. Su, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, J. Gong, C. S. Chang, and S. H. Liu, J. Electron. Mater., 32, 395 (2003).
14. C. K. Wang, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, B. R. Huang, T. K. Lin, and S. C. Chen, J. Electron. Mater., 32, 407 (2003).
15. Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. K. Wang, T. K. Lin, and B. R. Huang, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 1748 (2003).
16. C. K. Wang, T. K. Lin, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. H. Kuo, and T. K. Ko, Semicond. Sci. Technol., 18, 1033 (2003).
17. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, T. K. Lin, and B. R. Huang, Phys. Status Solidi C, 0, 2355 (2003).
18. C. K. Wang, R. W. Chuang, S. J. Chang, Y. K. Su, S. C. Wei, T. K. Lin, T. K. Ko, Y. Z. Chiou, and J. J. Tang, Mater. Sci. Eng., B, 119, 25 (2005).
19. C. K. Wang, R. W. Chuang, S. J. Chang, Y. K. Su, S. C. Wei, T. K. Lin, T. K. Ko, Y. Z. Chiou, and J. J. Tang, Mater. Sci. Eng., B, 119, 25 (2005).
20. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. H. Kuo, C. S. Chang, T. K. Lin, T. K. Ko, and J. J. Tang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 2458 (2005).
21. S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, M. E. Levinshtein, P. A. Ivanov, and M. A. Khan, Fluct. Noise Lett., 1, L221 (2001).
22. S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, M. A. Khan, G. Simin, X. Hu, and J. Yang, J. Appl. Phys., 88, 6726 (2000).
23. S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, E. Borovitskaya, A. P. Dmitriev, M. E. Levinshtein, R. Gaska, M. A. Khan, J. Yang, X. Hu, and G. Simin, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 530 (2001).
24. S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, M. A. Khan, G. Simin, X. Hu, and J. Yang, J. Appl. Phys., 90, 310 (2001).
25. Y. C. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, J. F. Chen, S. C. Shei, S. J. Hsu, C. H. Liu, U. H. Liaw, and B. R. Huang, Mater. Sci. Eng., B, 98, 60 (2003).
26. B. Rong, E. van der Drift, R. J. Reeves, W. G. Sloof, and R. Cheung, J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 2917 (2001).
27. N. Pala, R. Gaska, S. L. Rumyantsev, M. S. Shur, M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, and J. Yang, Electron. Lett., 36, 268 (2000).
28. H. H. Chen, S. L. Chen, and J. Gong, Symposium on Semiconductor Modeling & Simulation, 39 (1993).
29. Z. Celik-Butler and T. Y. Hsiang, Solid-State Electron., 30, 419 (1987).
30. Z. Celik-Butler and T. Y. Hsiang, IEEE Trans. Electron Devices, 32, 2797 (1985).
31. G. Reimbold, IEEE Trans. Electron Devices, 31, 1190 (1984).