Characteristics of SiO2/n-GaN interfaces with β-Ga2O3 interlayers

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 21, 2003, Pages 4336-4338

  Nakano, Yoshitaka ^a   Kachi, Tetsu ^a   Jimbo, Takashi ^b  

^a Rd Management Section   (Japan)

^b NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE MEASUREMENT; CURRENT DENSITY; ELECTRON TRAPS; FERMI LEVEL; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; OXIDATION; PHASE INTERFACES; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICA; SPUTTERING; VOLTAGE MEASUREMENT;

CAPACITANCE VOLTAGE MEASUREMENT; CURRENT VOLTAGE MEASUREMENT; DRY OXIDATION; ELECTRICAL INTERFACE PROPERTIES; GATE DIELECTRIC CHARACTERISTICS; LOW INTERFACE TRAP DENSITY; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURES;

MOS DEVICES;

EID: 0347477181     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1629371     Document Type: Article

References (18)

1. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
2. H. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Baillargeon, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000).
3. H. Kim, S. Park, and H. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 579 (2001).
4. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett. 80, 446 (2002).
5. J. W. Seo, C. S. Oh, H. S. Jeong, J. W. Yang, K. Y. Lim, C. J. Yoon, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 1029 (2002).
6. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82, 218 (2003).
7. Y. Nakano, T. Kachi, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82, 2443 (2003).
8. C. Lee, H. Chen, and H. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 4304 (2003).
9. M. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Bailargeon, A. R. Kortan, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000).
10. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000).
11. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, and S. Imanaga, Electron. Lett. 34, 592 (1998).
12. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
13. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 80, 4756 (2002).
14. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
15. W. P. Li, R. Zhang, Y. G. Zhou, J. Yin, H. M. Bu, Z. Y. Luo, B. Shen, Y. Shi, R. L. Jiang, S. L. Gu, Z. G. Liu, Y. D. Zheng, and Z. C. Huang, Appl. Phys. Lett. 75, 2416 (1999).
16. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 80, 4555 (2002)
17. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 81, 373 (2002).
18. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. F. Davis, Phys. Status Solidi A 176, 793 (1999).