High temperature performance and low frequency noise characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructure metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect-transistors with photochemical vapor deposition SiO2 layer

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 44, Issue 4 B, 2005, Pages 2458-2461

  Wang, Chun Kai ^a   Chang, Shoou Jinn ^a   Su, Yan Kuin ^a   Chiou, Yu Zung ^b   Kuo, Cheng Huang ^a   Chang, Chia Sheng ^a   Lin, Tien Kun ^a   Ko, Tsun Kai ^a   Tang, Jing Jou ^b  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

Double heterostructure; GaN; MOS HFETs; Photo CVD; SiO2

Indexed keywords

CAPACITANCE; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRIC POTENTIAL; GATES (TRANSISTOR); HETEROJUNCTIONS; INTERFACES (MATERIALS); MOSFET DEVICES; PHOTOCHEMICAL REACTIONS; SILICA; TRANSCONDUCTANCE;

DOUBLE HETEROSTRUCTURE; MOS-HFET; PHOTO-CVD; ROOM TEMPERATURE (RT);

GALLIUM NITRIDE;

EID: 21244447603     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.44.2458     Document Type: Conference Paper

References (29)

1. J 1) E. M. Chumbes, J. A. Smart, T. Prunty and J. R. Shealy: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 416.
2. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton and C. R. Abernathy: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 3893.
3. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee and C. C. Chuo: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3230.
4. M. A. Khan, X. Hu, G. Sumin, A Lunev, J. Yang, R. Gaska and M. S. Shur: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 63.
5. G. Simin, A. Koudymov, H. Fatima, J. Zhang, J. Yang, M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, R. Gaska and M. S. Shur: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 458.
6. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, J. Zhang, A. Tarakji, A. Kumar, J. Yang, M. A. Khan, R. Gaska and M. S. Shur: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 53.
7. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa and T. Jimbo: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3073.
8. Y. Nakano, T. Kachi and T. Jimbo: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 4336.
9. B. P. Gila, J. Kim, B. Luo, A. Onstine, W. Johnson, F. Ren, C. R. Abernathy and S. J. Pearton: Solid-State Electron. 47 (2003) 2139.
10. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee and K. S. Chung: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 446.
11. K. Matocha, R. J. Gutmann and T. P. Chow: IEEE Trans. Electron Devices 50 (2003) 1200.
12. M. Hong, A. R. Kortan, J. Kwo, J. P. Mannaerts, J. J. Krajewski, Z. H. Lu, K. C. Hsieh and K. Y. Cheng: J. Vac. Sci. & Technol. B 18 (2000) 1453.
13. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo and M. Umeno: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 809.
14. B. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang and T. P. Ma: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 458.
15. K. M. Chang, C. C. Cheng and C. C. Lang: Solid-State Electron. 46 (2002) 1399.
16. S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, J. R. Chiou, B. R. Huang, C. S. Chang and J. F. Chen: J. Electrochem. Soc. 150 (2003) C77.
17. Y. K. Su, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, J. Gong, C. S. Chang and S. H. Liu: J. Electron Mater. 32 (2003) 395.
18. C. K. Wang, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, B. R. Huang, T. K. Lin and S. C. Chen: J. Electron Mater. 32 (2003) 407.
19. Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. S, C. K. Wang, T. K. Lin and B. R. Huang: IEEE Trans. Electron Devices 50 (2003) 1748.
20. C. K. Wang, T. K. Lin, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. H. Kuo and T. K. Ko: Semicond. Sci. Technol. 18 (2003) 1033.
21. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, T. K. Lin and B. R. Huang: Phys. Status Solidi C 0 (2003) 2355.
22. N. Maeda, T. Saitoh, K. Tsubaki, T. Nishida and N. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L799.
23. G. Simin, X. Hu, A. Tarakji, J. Zhang, A. Koudymov, S. Saygi, J. Yang, A. Khan, M. S. Shur and R. Gaska: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L1142.
24. E. H. Nicollian and J. R. Brews: MOS Physics and Technology (John Wiley & Sons, New York, 1982).
25. S. M. Sze: Physics of Semiconductor Devuces (John Wiley & Sons, New York. 1981).
26. J. Frenkel: Tech. Phys. USSR, 5 (1938) 685.
27. J. Frenkel: Phys. Rev. 54 (1938) 647.
28. U. V. Bhapkar and M. S. Shur: J. Appl. Phys. 82 (1997) 1649.
29. M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur: Properties of advanced semiconductor material: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley & Sons, New York, 2001).