Compositional modulation and optical emission in AlGaN epitaxial films

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 10, 2006, Pages

  Gao, Min ^a,e   Bradley, S T ^a   Cao, Yu ^b   Jena, D ^b   Lin, Y ^a   Ringel, S A ^a   Hwang, J ^c   Schaff, W J ^c   Brillson, L J ^a,d  

^a Ohio State University   (United States)

^b University of Notre Dame   (United States)

^c Cornell University   (United States)

^d OHIO STATE UNIVERSITY   (United States)

^e PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC-SCALE; COMPOSITIONAL MODULATION; SPATIAL RESOLUTION; SPONTANEOUS MODULATION;

BAND STRUCTURE; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMISSION; PHASE SEPARATION; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SUPERLATTICES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

THIN FILMS;

EID: 33845219136     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2382622     Document Type: Article

References (56)

1. R. D. Dupuis and J. C. Campbell, in Wide Energy Bandgap Electronic Devices, edited by, F. Ren, and, J. C. Zolper, (World Scientific, Singapore, 2003), p. 429.
2. T. D. Moustakas, E. Iliopoulos, A. V. Sampath, H. M. Ng, D. Doppalapudi, M. Misra, D. Korakakis, and R. Singh, J. Cryst. Growth 227-228, 13 (2001).
3. M. A. Khan, M. Shatalov, H. P. Maruska, H. M. Wang, and E. Kuokstis, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 7191 (2005).
4. R. Averbeck and H. Riechert, Phys. Status Solidi A 0031-8965 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<301::AID-PSSA301>3.0.CO;2-H 176, 301 (1999); E. Iliopoulos and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 81, 295 (2002).
5. R. Averbeck and H. Riechert, Phys. Status Solidi A 0031-8965 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<301::AID-PSSA301>3.0.CO;2-H 176, 301 (1999); E. Iliopoulos and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 81, 295 (2002).
6. S. R. Lee, A. F. Wright, M. H. Crawford, G. A. Petersen, J. Han, and R. M. Biefeld, Appl. Phys. Lett. 74, 3344 (1999).
7. A. Zunger, in Handbook on Semiconductors, edited by, T. S. Moss, (Elsevier Science, New York, 1994), p. 1399.
8. A. Zunger, MRS Bull. 0883-7694 22, 20 (1997); G. B. Stringfellow, MRS Bull. 22, 27 (1997).
9. A. Zunger, MRS Bull. 0883-7694 22, 20 (1997); G. B. Stringfellow, MRS Bull. 22, 27 (1997).
10. Spontaneous Ordering in Semiconductor Alloys, edited by, A. Mascarenhas, (Kluwer Academic, Dordrecht, Plenum, New York, 2002).
11. D. Doppaiapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998).
12. P. Ruterana, G. Nouet, W. Van der Stricht, I. Moerman, and L. Considine, Appl. Phys. Lett. 72, 1742 (1998).
13. M. K. Behbehani, E. L. Piner, S. X. Liu, N. A. EI-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 2202 (1999).
14. D. Doppalapudi, S. N. Basu, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 85, 883 (1999).
15. J. E. Northrup, L. T. Romano, and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 74, 2319 (1999).
16. E. A. Albanesi, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 48, 17841 (1993).
17. I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
18. L. K. Teles, J. Furthmüller, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 62, 2475 (2000).
19. T. Takayama, M. Yuri, K. Itoh, and J. S. Harris, Jr., J. Appl. Phys. 90, 2358 (2001).
20. J. Adhikari and D. A. Kofke, J. Appl. Phys. 95, 6129 (2004).
21. D. Korakakis, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 71, 72 (1997).
22. M. Misra, D. Korakakis, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 74, 2203 (1999).
23. P. Ruterana, G. De Saint Jores, M. Laügt, F. Omnes, and E. Bellet-Amalric, Appl. Phys. Lett. 78, 344 (2001).
24. M. Benamara, L. Kirste, M. Albrecht, K. W. Benz, and H. P. Strunk, Appl. Phys. Lett. 82, 547 (2003).
25. E. Iliopoulos, K. F. Ludwig, Jr., T. D. Moustakas, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 78, 463 (2001).
26. E. Iliopoulos, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Phys. Chem. Solids 64, 1525 (2003).
27. B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Gerthsen, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 73, 930 (1998).
28. M. Laügt, E. Bellet-Amalric, P. Ruterana, and F. Omǹs, Phys. Status Solidi B 236, 729 (2003).
29. I. Levin, L. H. Robins, M. D. Vaudin, J. A. Tuchman, E. Lakin, M. J. Sherman, and J. Ramer, J. Appl. Phys. 89, 188 (2001).
30. D. G. Ebling, L. Kirste, K. W. Benz, N. Teofilov, K. Thonke, and R. Sauer, J. Cryst. Growth 227-228, 453 (2001).
31. A. Strittmatter, L. Reissmann, D. Bimberg, P. Veit, and A. Krost, Phys. Status Solidi B 234, 722 (2002).
32. M. Albrecht, Phys. Rev. B 71, 035314 (2005).
33. M. Gao, Y. Lin, S. T. Bradley, S. A. Ringel, J. Hwang, W. J. Schaff, and L. J. Brillson, Appl. Phys. Lett. 87, 191906 (2005).
34. S. V. Dudiy and A. Zunger, Phys. Rev. B 68, 041302 (R) (2003).
35. J. Hwang, Appl. Phys. Lett. 81, 5192 (2002).
36. S. T. Bradley, S. H. Goss, L. J. Brillson, J. Hwang, and W. J. Schaff, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2558 (2003).
37. D. E. Jesson and S. J. Pennycook, Proc. R. Soc. London, Ser. A 449, 273 (1995).
38. S. P. Ahrenkiel, Phys. Rev. Lett. 75, 1586 (1995).
39. P. M. Reimer, J. R. Buschert, S. Lee, and J. K. Furdyna, Phys. Rev. B 61, 8388 (2000).
40. L. J. Brillson, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1394728 19, 1762 (2001); A. P. Young, J. Electron. Mater. 28, 308 (1999) (1 keV depth probe in GaN).
41. L. J. Brillson, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1394728 19, 1762 (2001); A. P. Young, J. Electron. Mater. 28, 308 (1999) (1 keV depth probe in GaN).
42. L. J. Brillson, T. M. Levin, G. H. Jessen, and F. A. Ponce, Appl. Phys. Lett. 75, 3835 (1999).
43. P. B. Perry and R. F. Rutz, Appl. Phys. Lett. 33, 319 (1978).
44. N. Teofilov, K. Thonke, R. Sauer, L. Kirste, D. G. Ebling, and K. W. Benz, Diamond Relat. Mater. 11, 892 (2002).
45. K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Li, Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 83, 2787 (2003).
46. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, S.-H. Wei, M. A. Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 2784 (1996).
47. Y. Cao, D. Jena, M. Gao, and L. J. Brillson (unpublished).
48. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
49. B. K. Ridley, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 94, 3972 (2003).
50. S. Lee, U. Bindley, J. K. Furdyna, P. M. Reimer, and J. R. Buschert, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1518 (2000).
51. G. Yang, S. Lee, and J. K. Furdyna, Phys. Rev. B 61, 10978 (2000).
52. L. C. Su, I. H. Ho, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 65, 749 (1994).
53. A. V. Sampath, G. A. Garrett, C. J. Collins, W. L. Sarney, E. D. Readinger, P. G. Newman, H. Shen, and M. Wraback, J. Electron. Mater. 0361-5235 35, 641 (2006); C. J. Collins, Appl. Phys. Lett. 86, 031916 (2005).
54. A. V. Sampath, G. A. Garrett, C. J. Collins, W. L. Sarney, E. D. Readinger, P. G. Newman, H. Shen, and M. Wraback, J. Electron. Mater. 0361-5235 35, 641 (2006); C. J. Collins, Appl. Phys. Lett. 86, 031916 (2005).
55. Q. Sun, Appl. Phys. Lett. 87, 121914 (2005).
56. P. Venezuela, J. Tersoff, J. A. Floro, E. Chason, D. M. Follstaedt, F. Liu, and M. G. Lagally, Nature (London) 397, 678 (1999).