Phase separation and ordering in InGaN alloys grown by molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 3, 1998, Pages 1389-1395

  Doppalapudi, D ^a   Basu, S N ^a   Ludwig Jr , K F ^b   Moustakas, T D ^b  

^a BOSTON UNIVERSITY   (United States)

^b Boston University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001500304     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368251     Document Type: Article

References (31)

1. A. Zunger and S. Mahajan, in Handbook on Semiconductors, edited by S. Mahajan (North-Holland, Amsterdam, 1994), Vol. 3.
2. S. Mahajan, Mater. Sci. Eng., B 30, 187 (1995).
3. K. Lee, B. A. Philips, R. S. McFadden, and S. Mahajan, Mater. Sci. Eng., B 32, 231 (1995).
4. B. A. Philips, A. G. Norman, T. Y. Seong, S. Mahajan, G. R. Booker, M. Skowronski, J. P. Harbison, and V. G. Keramidas, J. Cryst. Growth 140, 249 (1994).
5. A. G. Norman, T-Y. Seong, I. T. Ferguson, G. R. Booker, and B. A. Joyce, Semicond. Sci. Technol. 8, 9 (1993).
6. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 84, 1687 (1994).
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Isawa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
8. I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike, and H. Amano, Electron. Lett. 32, 1105 (1996).
9. S. Nakamura er al., Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
10. T. Matsuoka, T. Sakai, and A. Katsui, Optoelectron., Devices Technol. 5, 53 (1990).
11. E. L. Piner, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, K. S. Boutros, M. E. Aumer, V. A. Joshkin, N. A. El-Masry, S. M. Bedair, and S. X. Liu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 85 (1997).
12. G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 58, 194 (1982).
13. M. B. Panish and M. Ilegems, in Progress in Solid State Chemistry, edited by M. Reiss and J. O. McCaldin (Oergamon, New York, 1972), p. 39.
14. J. L. Martins and A. Zunger, Phys. Rev. B 30, 6217 (1984).
15. R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
16. I. H. Ho and G. B. Stringfellow, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 871 (1997).
17. R. Singh and T. D. Moustakas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 163 (1996).
18. R. Singh, W. D. Herzog, D. Doppalapudi, M. S. Unlu, B. B. Goldberg, and T. D. Moustakas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 185 (1997).
19. A. Wakahara, T. Tokuda, X. Dang, S. Noda, and A. Sasaki, Appl. Phys. Lett. 71, 906 (1997).
20. N. A. El-Masry, E. L. Piner, S. X. Liu, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 72, 40 (1998).
21. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
22. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J. Molnar, Physica B 185, 36 (1993).
23. G. P. Srivastava, J. L. Martins, and A. Zunger, Phys. Rev. B 31, 2521 (1985).
24. T. Suzuki, A. Gomyo, and S. Iijima, J. Cryst. Growth 93, 396 (1988).
25. T. S. Kuan, T. F. Kuech, W. I. Wang, and E. L. Wilkie, Phys. Rev. Lett. 54, 201 (1985).
26. D. Korakakis, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 71, 72 (1997).
27. H. Z. Xiao, N. E. Lee, R. C. Powell, Z. Ma, L. J. Chou, L. H. Allen, J. E. Green, and A. Rockett, J. Appl. Phys. 76, 8195 (1994).
28. B. D. Cullity, Elements of X-ray Diffraction (Addison-Wesley, Reading, MA, 1978).
29. A. Dimitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 46 (1996).
30. J. E. Bernard, R. G. Dandrea, L. G. Ferreira, S. Froyen, S-H. Wei, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 56, 731 (1990).
31. W. E. Plano, D. W. Nam, J. S. Major, Jr., K. C. Hsieh, and N. Holonyak, Jr., Appl. Phys. Lett. 53, 2537 (1988).