The band-gap bowing of AlxGa1-xN alloys

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 22, 1999, Pages 3344-3346

  Lee, S R ^a   Wright, A F ^a   Crawford, M H ^a   Petersen, G A ^a   Han, J ^a   Biefeld, R M ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENERGY GAP; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR GROWTH; THERMAL EFFECTS;

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE;

SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 0032606990     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123339     Document Type: Article

References (37)

1. O. Ambacher, R. Dimitrov, D. Lentz, T. Metzger, W. Rieger, and M. Stutzmann, J. Cryst. Growth 170, 335 (1997).
2. H. Angerer, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Hopler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsch, and H.-J. Korner, Appl. Phys. Lett. 71, 1504 (1997); D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Hopler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).
3. H. Angerer, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Hopler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsch, and H.-J. Korner, Appl. Phys. Lett. 71, 1504 (1997); D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Hopler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).
4. B. V. Baranov, V. B. Gutan, and U. Zhumakulov, Sov. Phys. Semicond. 16, 819 (1982); PL data in Fig. 1(b) are used.
5. M. D. Bremser, W. G. Perry, T. Zheleva, N. V. Edwards, O. H. Nam, N. Parikh, D. E. Aspnes, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 8 (1996).
6. J. Hagen, R. D. Metcalfe, D. Wickenden, and W. Clark, J. Phys. C 11, L143 (1978).
7. T. Huang and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 72, 1158 (1998).
8. M. A. Khan, R. A. Skogman, R. G. Schulze, and M. Gershenzon, Appl. Phys. Lett. 43, 492 (1983).
9. M. R. H. Khan, Y. Koide, H. Itoh, N. Sawaki, and I. Akasaki, Solid State Commun. 60, 509 (1986).
10. Y. Koide, H. Itoh, M. R. H. Khan, K. Hiramatu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 61, 4540 (1987).
11. D. Korakakis, H. M. Ng, M. Misra, W. Grieshaber, and T. D. Moustakas, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 10 (1996).
12. G. A. Korkotashvili, A. N. Pikhtin, I. G. Pichugin, and A. M. Tsaregorodtsev, Sov. Phys. Semicond. 18, 913 (1984).
13. M. Shin, A. Y. Polyakov, M. Skowronski, D. W. Greve, R. G. Wilson, and J. A. Freitas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423, 643 (1996); A. Y. Polyakov, M. Shin, J. A. Freitas, M. Skowronski, D. W. Greve, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 80, 6349 (1996).
14. M. Shin, A. Y. Polyakov, M. Skowronski, D. W. Greve, R. G. Wilson, and J. A. Freitas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423, 643 (1996); A. Y. Polyakov, M. Shin, J. A. Freitas, M. Skowronski, D. W. Greve, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 80, 6349 (1996).
15. G. Steude, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi B 205, R7 (1998).
16. T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L177 (1997).
17. T. Wethkamp, K. Wilmers, N. Esser, W. Richter, O. Ambacher, H. Angerer, G. Jungk, R. L. Johnson, and M. Cardona, Thin Solid Films 313, 745 (1998).
18. D. K. Wickenden, C. B. Bargeron, W. A. Bryden, J. Miragliotta, and T. J. Kistenmacher, Appl. Phys. Lett. 65, 2024 (1994); L. H. Robins, J. R. Lowney, and D. K. Wickenden, J. Mater. Res. 13, 2480 (1998).
19. D. K. Wickenden, C. B. Bargeron, W. A. Bryden, J. Miragliotta, and T. J. Kistenmacher, Appl. Phys. Lett. 65, 2024 (1994); L. H. Robins, J. R. Lowney, and D. K. Wickenden, J. Mater. Res. 13, 2480 (1998).
20. S. Yoshida, S. Misawa, and S. Gonda, J. Appl. Phys. 53, 6844 (1982).
21. G. Yu, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Egawa, J. Watanabe, T. Jimbo, and T. Soga, Appl. Phys. Lett. 72, 2202 (1998).
22. U. Zhumakulov, Solid State Commun. 58, 367 (1986); no data; reports only the bowing parameter, b = 0.33 eV, for absorption measurements.
23. A. S. Zubrilov, D. V. Tsvetkov, V. I. Nikolaev, and I. P. Nikitina, Semiconductors 30, 1069 (1996).
24. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 4, 1211 (1971).
25. B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
26. J. Han, T.-B. Ng, R. M. Biefeld, M. H. Crawford, and D. M. Follstaedt, Appl. Phys. Lett. 71, 3114 (1997).
27. S. R. Lee, B. L. Doyle, T. J. Drummond, J. W. Medernach, and R. P. Schneider, in Advances in X-Ray Analysis, edited by P. Predecki (Plenum, New York, 1995), Vol. 38, pp. 201-213.
28. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
29. M. Mayer, SIMNRA User's Guide, Technical Report IPP 9/113, Max-Planck-Institut fur Plasmaphysik, Garching, Germany, 1997.
30. Manuel Cardona, Phys. Rev. 129, 69 (1963).
31. W. M. Yim, E. J. Stofko, P. J. Zanzucchi, M. Ettenberg, and S. L. Gilbert, J. Appl. Phys. 44, 292 (1973).
32. P. B. Perry and R. F. Rutz, Appl. Phys. Lett. 33, 319 (1978).
33. H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L1384 (1988).
34. W. G. Perry, T. Zheleva, M. D. Bremser, R. F. Davis, W. Shan, and J. J. Song, J. Electron. Mater. 26, 224 (1997).
35. W. W. Chow, A. F. Wright, A. Girndt, F. Jahnke, and S. W. Koch, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 487 (1997).
36. H. G. Lee, M. Gershenzon, and B. L. Goldenberg, J. Electron. Mater. 20, 621 (1991).
37. A. F. Wright and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 66, 3051 (1995).