Domain structure in chemically ordered InxGa1-xN alloys grown by molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 2, 1999, Pages 883-886

  Doppalapudi, D ^a   Basu, S N ^a   Moustakas, T D ^b  

^a BOSTON UNIVERSITY   (United States)

^b Boston University College of Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000377893     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.369250     Document Type: Article

References (27)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 84,1687 (1994).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Isawa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
3. I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike, and H. Amano, Electron. Lett. 32, 1105(1996).
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 73, 832 (1998).
5. T. Matsuoka, T. Sakai, and A. Katsui, Optoelectron., Devices Technol. 5, 53 (1990).
6. E. L. Piner, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, K. S. Boutros, M. E. Aumer, V. A. Joshkin, N. A. El-Masry, S. M. Bedair, and S. X. Liu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 85 (1997).
7. R. Singh and T. D. Moustakas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 163 (1996).
8. R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
9. A. Wakahara, T. Tokuda, X. Dang, S. Noda, and A. Sasaki, Appl. Phys. Lett. 71, 906 (1997).
10. N. A. El-Masry, E. L. Piner, S. X. Liu, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 72, 40 (1998).
11. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998).
12. I. H. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
13. A. Zunger and S. Mahajan, in Handbook on Semiconductors; edited by S. Mahajan (North-Holland, Amsterdam, 1994), Vol. 3.
14. S. Mihajan, Mater. Sci. Eng. B 30, 187 (1995).
15. K. Lee, B. A. Philips, R. S. McFadden, and S. Mahajan, Mater. Sci. Eng. B 32, 231 (1995).
16. B. A. Philips, A. G. Norman, T. Y. Seong, S. Mahajan, G. R. Booker, M. Skowronski, J. P. Harbison, and V. G. Keramidas, J. Cryst. Growth 140, 249 (1994).
17. A. G. Norman, T.-Y. Seong, I. T. Ferguson, G. R. Booker, and B. A. Joyce, Semicond. Sci. Technol. 8, s9 (1993).
18. D. Korakakis, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 71, 72 (1997).
19. P. Ruterana, G. Nouet, W. Van Der Stricht, I. Moerman, and L. Considine, Appl. Phys. Lett. 72, 1742 (1998).
20. D. Doppalapudi, S. N. Basu, and T. D. Moustakas, Material Research Society, Spring Meeting, 1998 (unpublished)
21. L. T. Romano (private communication).
22. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J. Molnar, Physica B 185, 36 (1993).
23. H. Z. Xiao, N. E. Lee, R. C. Powell, Z. Ma, L. J. Chou, L. H. Allen, J. E. Green, and A. Rockett, J. Appl. Phys. 76, 8195 (1994).
24. J. E. Bernard, R. G. Dandrea, L. G. Ferreira, S. Froyen, S-H. Wei, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 56, 731 (1990).
25. A. Gomyo, T. Suzuki, S. Iijima, H. Hotta, H. Fujii, S. Kawata, K. Kobayashi, Y. Ueno, and I. Hino, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L2370 (1998).
26. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998).
27. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. Northrup, Phys. Rev. Lett. 79, 3934 (1997).