Nanoscale luminescence spectroscopy of defects at buried interfaces and ultrathin films

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 19, Issue 5, 2001, Pages 1762-1768

  Brillson, L J ^a  

^a Ohio State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; CORRELATION METHODS; DEFECTS; HETEROJUNCTIONS; INTERFACES (MATERIALS); LUMINESCENCE; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; ULTRATHIN FILMS;

NANOSCALE LUMINESCENCE SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTOR MATERIALS;

EID: 0035440547     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1394728     Document Type: Article

References (32)

1. L. J. Brillson, Surf. Sci. Rep. 2, 123 (1982).
2. L. J. Brillson, in Handbook on Semiconductors, edited by P. T. Landsberg (North-Holland, Amsterdam, 1992), Vol. 1, Chap. 7, pp. 281-417.
3. L. J. Brillson and R. E. Viturro, Scanning Microsc. 2, 789 (1988).
4. L. J. Brillson, H. W. Richter, M. L. Slade, B. A. Weinstein, and Y. Shapira, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 1011 (1985).
5. T. E. Everhart and P. H. Hoff, J. Appl. Phys. 42, 5837 (1971), and references therein.
6. K. Kanaya and S. Okayama, J. Phys. D 5, 43 (1972).
7. S. P. Shea, in Electron Beam Interactions With Solids, edited by D. F. Kyser, D. E. Newbury, H. Niedrig, and R. Shimizu (SEM, AMF O'Hare, IL, 1984), pp. 145-151.
8. P. Hovington, D. Drouin, and R. Gauvin, Scanning 19, 1 (1997).
9. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
10. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
11. S. E. Mohney, in Properties, Processing, and Applications of Gallium Nitride and Related Compounds, edited by J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano, and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999), p. 496.
12. A. P. Young, J. Schäfer, L. J. Brillson, Y. Yang, S. H. Xu, H. Crugeul, G. J. Lapeyre, M. A. L. Johnson, and J. F. Schetzina, J. Electron. Mater. 28, 308 (1999).
13. L. J. Brillson, T. M. Levin, G. H. Jessen, and F. A. Ponce, Appl. Phys. Lett. 75, 3835 (1999).
14. T. M. Levin, G. H. Jessen, F. A. Ponce, and L. J. Brillson, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2545 (1999).
15. A. P. Young, J. Bae, L. J. Brillson, M. J. Murphy, and W. J. Schaff, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2309 (2000).
16. S. T. Bradley, A. P. Young, L. J. Brillson, M. J. Murphy, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices 48, 412 (2000).
17. S. T. Bradley, N. C. Bishop, L. J. Brillson, M. J. Murphy, W. J. Schaff, Y. Sakai, and N. Ikeo (unpublished).
18. S. H. Goss, A. P. Young, L. J. Brillson, D. C. Look, and R. J. Molnar, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. (in press).
19. S. H. Goss, X. Sun, L. J. Brillson, D. C. Look, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 3630 (2001).
20. D. C. Look and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997).
21. T. M. Levin, L. J. Brillson, A. P. Young, J. Schäfer, J. D. MacKenzie, and C. R. Abernathy, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3437 (1999).
22. A. P. Young, S. H. Goss, L. J. Brillson, J. D. MacKenzie, and C. R. Abernathy, J. Electron. Mater. 29, 311 (2000).
23. L. J. Brillson, A. P. Young, T. Levin, G. Jessen, C. Tu, Y. Naoi, F. Ponce, G. J. Lapeyre, Y. Yang, C. Abernathy, and D. McKenzie, Physica B 273, 70 (1999).
24. A. P. Young, L. J. Brillson, Y. Naoi, and C. W. Tu, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W11.56 (2000).
25. A. P. Young, L. Brillson, Y. Naoi, and C. W. Tu, J. Vac. Sci. Technol. B (to be published).
26. A. P. Young and L. J. Brillson, Appl. Phys. Lett. 77, 699 (2000).
27. J. Schäfer, A. P. Young, L. J. Brillson, H. Niimi, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 73, 791 (1998).
28. A. P. Young, R. Bandhu, J. Schafer, H. Niimi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1258 (1999).
29. B. D. White, L. J. Brillson, S. C. Lee, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, S. T. Pantelides, Y.-M. Lee, and G. Lucovsky, IEEE Trans. Nucl. Sci. 47, 2276 (2000).
30. A. P. Young, L. J. Brillson, and J. Jones, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2692 (1999).
31. J. Bae, Y. Strzhemechny, and L. J. Brillson, Bull. Am. Phys. Soc. 46, 807 (2001).
32. S. H. Goss, S. S. P. Parkin, and L. J. Brillson, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1199 (2001).