Implantation temperature dependence of Si activation in AlGaN

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 18, 2006, Pages

  Irokawa, Y ^a,b   Ishiguro, O ^b   Kachi, T ^b   Pearton, S J ^a   Ren, F ^a  

^a UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

^b Rd Management Section   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FIXED ANNEALING TEMPERATURE; IONIZATION ENERGY; MULTIPLE ION ENERGIES; SI+ ION IMPLANTATION;

ACTIVATION ENERGY; ANNEALING; GALLIUM NITRIDE; ION IMPLANTATION; IONIZATION; SILICON;

SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 33646506911     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2200283     Document Type: Article

References (29)

1. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, and G. Li, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 175, 214 (2001).
2. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, and G. Li, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 178, 209 (2001).
3. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, G. Li, C. Jagadish, and A. I. Titov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 190, 782 (2002).
4. H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 2364 (1996).
5. Y. Irokawa, O. Fujishima, T. Kachi, and Y. Nakano, J. Appl. Phys. 97, 083505 (2005).
6. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, G. Li, and A. I. Titov, Phys. Rev. B 64, 035202 (2001).
7. C. Ronning, E. P. Carlson, and R. F. Davis, Phys. Rep. 351, 349 (2001).
8. Y. G. Wang, J. Zou, S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, and G. Li, Electrochem. Solid-State Lett. 6, G34 (2003).
9. M. Kuball, J. M. Hayes, T. Suski, J. Jun, M. Leszczynski, J. Domagala, H. H. Tan, J. S. Williams, and C. Jagadish, J. Appl. Phys. 87, 2736 (2000).
10. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, G. Li, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 76, 3899 (2000).
11. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, and G. Li, J. Appl. Phys. 88, 5493 (2000).
12. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, and G. Li, Phys. Rev. B 62, 7510 (2000).
13. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, V. S. J. Craig, and G. Li, Appl. Phys. Lett. 77, 1455 (2000).
14. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, and G. Li, Appl. Phys. Lett. 78, 1373 (2001).
15. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, R. G. Wilson, and J. M. Van Hove, J. Appl. Phys. 87, 1091 (2000).
16. J. A. Fellows, Y. K. Yeo, R. L. Hengehold, and D. K. Johnstone, Appl. Phys. Lett. 80, 1930 (2002).
17. S. Matsunaga, S. Yoshida, T. Kawaji, and T. Inada, J. Appl. Phys. 95, 2461 (2004).
18. Y. Irokawa, Jihyun Kim, F. Ren, K. H. Baik, B. P. Gila, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, C.-C. Pan, G.-T. Chen, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 83, 4987 (2003).
19. Y. Nakano and T. Jimbo, J. Appl. Phys. 92, 3815 (2002).
20. X. A. Cao, C. R. Abernathy, R. K. Singh, S. J. Pearton, M. Fu, V. Sarvepalli, J. A. Sekhar, J. C. Zolper, D. J. Rieger, J. Han, T. J. Drummond, R. J. Shul, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 73, 229 (1998).
21. H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, J. C. Zolper, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 72, 1190 (1998).
22. H. Kobayashi and W. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 73, 1406 (1998).
23. Y. Irokawa, Jihyun Kim, F. Ren, K. H. Baik, B. P. Gila, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, C.-C. Pan, G.-T. Chen, and J.-I. Chyi, J. Electron. Mater. 33, 426 (2004).
24. J. K. Sheu, C. J. Tun, M. S. Tsai, C. C. Lee, G. C. Chi, S. J. Chang, and Y. K. Su, J. Appl. Phys. 91, 1845 (2002).
25. X. D. Chen, Y. Huang, S. Fung, C. D. Beling, C. C. Ling, J. K. Sheu, M. L. Lee, G. C. Chi, and S. J. Chang, Appl. Phys. Lett. 82, 3671 (2003).
26. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, G. Li, C. Jagadish, M. O. Manasreh, M. Pophristic, S. Guo, and I. T. Ferguson, Appl. Phys. Lett. 80, 787 (2002).
27. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, M. Pophristic, S. Guo, I. T. Ferguson, and M. O. Manasreh, J. Appl. Phys. 92, 3554 (2002).
28. TRIM code available from http://www.srim.org/index.htm, courtesy of J. S. Ziegler.
29. N. F. Mott and W. D. Twose, Adv. Phys. 10, 107 (1961).