W 2B-based rectifying contacts to n-GaN

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 5, 2005, Pages

  Khanna, Rohit ^a   Pearton, S J ^a   Ren, F ^a   Kravchenko, I ^b   Kao, C J ^c   Chi, G C ^c  

^a University of Florida   (United States)

^b University of Florida   (United States)

^c NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING TEMPERATURE; BARRIER HEIGHT; REVERSE CURRENT; SCHOTTKY CONTACT;

ANNEALING; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; METALLIZING; NEGATIVE TEMPERATURE COEFFICIENT; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SCHOTTKY BARRIER DIODES; THERMIONIC EMISSION;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33645519793     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2007865     Document Type: Article

References (27)

1. J. Sun, H. Fatima, A. Koudymov, A. Chitnis, X. Hu, H.-M. Wang, J. Zhang, G. Simin, J. Yang, and M. A. Khan, IEEE Electron Device Lett. 24, 375 (2003).
2. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, J. W. Kretchmer, R. A. Beaupre, J. L. Garrett, J. B. Tucker, B. J. Edward, J. Foppes, and A. F. Allen, Solid-State Electron. 47, 821 (2003).
3. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Teetsov, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater. 32, 388 (2003).
4. V. Kumar, L. Zhou, D. Selvanathan, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 92, 1712 (2002).
5. A. Motayed, R. Bathe, M. C. Wood, O. S. Diouf, R. D. Vispute, and S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys. 93, 1087 (2003).
6. J. Burm, K. Chu, W. A. Davis, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and T. J. Eustis, Appl. Phys. Lett. 70, 464 (1997).
7. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
8. D. Qiao, Z. F. Guan, J. Carlton, S. S. Lau, and G. J. Sullivan, Appl. Phys. Lett. 74, 2652 (1999).
9. S.-H. Lim, J. Washburn, Z. Liliental-Weber, and D. Qiao, Appl. Phys. Lett. 78, 3797 (2001).
10. M. Asif Khan, M. S. Shur, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 3022 (1996).
11. S. Murai, H. Masuda, Y. Koide, and M. Murakami, Appl. Phys. Lett. 80, 2934 (2002).
12. C. Lu, H. Chen, X. Lu, X. Xie, and S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys. 91, 9218 (2002).
13. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
14. K. O. Schweitz, P. K. Wang, S. E. Mohney, and D. Gotthold, Appl. Phys. Lett. 80, 1954 (2002).
15. M. W. Cole, D. W. Eckart, W. Y. Han, R. L. Pfeffer, T. Monahan, F. Ren, C. Yuan, R. A. Stall, S. J. Pearton, Y. Li, and Y. Lu, J. Appl. Phys. 80, 278 (1996).
16. M. W. Cole, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 144, 275 (1997).
17. X. A. Cao, S. J. Pearton, F. Ren, and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 73, 942 (1998).
18. A. Zeitouny, M. Eizenberg, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Appl. Phys. 88, 2048 (2000).
19. D. Selvanathan, F. M. Mohammed, A. Tesfayesus, and I. Adesida, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2409 (2004).
20. D. Selvanathan, L. Zhou, V. Kumar, I. Adesida, and N. Finnegan, J. Electron. Mater. 32, 335 (2003).
21. J. Kim, F. Ren, A. G. Baca, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 82, 3263 (2003).
22. V. Kumar, L. Zhao, D. Selvanathan, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 92, 1712 (2002).
23. K. O. Schweitz, P. K. Wang, S. E. Mohney, and D. Gotthold, Appl. Phys. Lett. 80, 1954 (2002).
24. B. Luo, F. Ren, R. C. Fitch, J. K. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo, A. G. Baca, R. D. Briggs, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Peres, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 82, 3910 (2003).
25. R. Mehandru, S. Kang, S. Kim, F. Ren, I. Kravchenko, W. Lewis, and S. J. Pearton, Mater. Sci. Semicond. Process. 7, 95 (2004).
26. D.K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1990).
27. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).