In situ monitoring of GaN epitaxial lateral overgrowth by spectroscopic reflectometry

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 10, 2006, Pages

  Liu, C ^a   Stepanov, S ^a   Shields, P A ^a   Gott, A ^a   Wang, W N ^a   Steimetz, E ^b   Zettler, J T ^b  

^a University of Bath   (United Kingdom)

^b LayTec GmbH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COALESCENCE; EPITAXIAL GROWTH; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; REFLECTOMETERS; SPECTROSCOPIC ANALYSIS;

LATERAL GROWTH RATES; SPECTROSCOPIC REFLECTOMETRY; VERTICAL GROWTH RATIO;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33644897852     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2182013     Document Type: Article

References (25)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sanoh, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
2. O. H. Nam, M. D. Bremer, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
3. T. S. Zheleva, O. H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
4. J. Park, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 73, 333 (1998).
5. H. Marchand, X. H. Wu, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, P. Kozodoy, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 747 (1998).
6. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
7. K. Hiramutsu, K. Nishiyama, M. Onishi, H. Mizutani, M. Narukawa, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, and T. Maeda, J. Cryst. Growth 221, 316 (2000).
8. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
9. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998).
10. A Sakai, H. Sunakawa, A. Kimura, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 76, 442 (2000).
11. P. Fini, L. Zhao, B. Moran, M. Hansen, M. Marchand, J. P. Ibbetson, S. P. Debarrs, and U. R. Mishira, Appl. Phys. Lett. 75, 1706 (1999).
12. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. DenBarrs, and U. K. Mishira, Appl. Phys. Lett. 71, 1204 (1997).
13. H. Marchand, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, X. H. S. Keller, S. P. DenBarrs, J. S. Speck, and U. K. Mishira, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G4.5 (1999).
14. B. Beaumont, S. Haffouz, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 72, 921 (1998).
15. S. Haffouz, B. Beaumont, and P. Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 8 (1998).
16. P. Gibart, Rep. Prog. Phys. 67, 667 (2004).
17. D. D. Koleske, A. J. Fischer, A. A. Allerman, C. C. Mitchell, K. C. Cross, S. R. Kurtz, J. J. Figiel, K. W. Fullmer, and W. G. Breiland, Appl. Phys. Lett. 81, 1940 (2002).
18. S. Figge, T. Bottcher, S. Einfeldt, and D. Hommel, J. Cryst. Growth 221, 262 (2000).
19. H. P. D. Schenk, P. De Mierry, P. Vennegues, O. Tottereau, M. Laugt, M. Vaille, E. Feltin, B. Boaumont, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 80, 174 (2002).
20. Y. Ishkawa, K. Nakakoshi, and T. Fukui, J. Cryst. Growth 167, 434 (1996).
21. I. M. Watson, C. Liu, K. S. Kim, H. S. Kim, C. J. Deatcher, J. M. Girkin, M. D. Dawson, P. R. Edwards, C. Trager-Cowan, and R. W. Martin, Phys. Status Solidi A 188, 743 (2001).
22. M. E. Coltrin, C. C. Willan, M. E. Bartram, Han, N. Missert, M. H. Crawford, and A. G. Baca, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.9 (1999).
23. M. E. Coltrin and C. C. Mitchell, J. Cryst. Growth 254, 35 (2003).
24. W. G. Breiland and K. P. Killeen, J. Appl. Phys. 78, 6726 (1995).
25. A. Strittmatter, T. Trepk, U. W. Pohl, D. Bimberg, and J.-T. Zettler, J. Cryst. Growth 272, 76 (2004).