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Volumn 38, Issue 4-6, 2005, Pages 385-396

Doping engineering of p-type ZnO

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CRYSTAL DEFECTS; NITROGEN; OPTIMIZATION; SEMICONDUCTOR DOPING; SOLUBILITY; STOICHIOMETRY;

EID: 32944468504     PISSN: 07496036     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.spmi.2005.08.036     Document Type: Article
Times cited : (21)

References (49)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.