Correlation of transport and optical properties of Si-doped Al 0.23G0.77N

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 2, 2004, Pages 1047-1052

  James, G R ^a   Leitch, A W R ^a   Omnes F ^b   Wagener, M C ^b   Leroux, M ^b  

^a NELSON MANDELA METROPOLITAN UNIVERSITY   (South Africa)

^b CRHEA CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ENERGY DISPERSIVE SPECTROSCOPY; FABRICATION; FREQUENCIES; GALLIUM NITRIDE; HALL EFFECT; OPTICAL PROPERTIES; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOLUMINESCENCE; QUENCHING; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR DOPING; VAPOR PHASE EPITAXY;

ELECTRON CONCENTRATION; METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY (MOVPE); ROOM TEMPERATURE; VAN DER PAUW GEOMETRY;

SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 3242668233     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1760235     Document Type: Article

References (32)

1. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Höpler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).
2. E. Monroy, F. Omnès, and F. Calle, Semicond. Sci. Technol. 18, R33 (2003).
3. G. Yu, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Egawa, J. Watanabe, T. Jimbo, and T. Soga, Appl. Phys. Lett. 72, 2202 (1998).
4. K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakami, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 81, 1038 (2002).
5. M. A. Khan, R. A. Skogman, R. G. Schulze, and M. Gershenzon, Appl. Phys. Lett. 43, 492 (1983).
6. H. G. Lee, M. Gershenzon, and B. L. Goldenberg, J. Electron. Mater. 20, 621 (1991).
7. A. Y. Polyakov, M. Shin, J. A. Freitas, M. Skowronski, D. W. Greve, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 80, 6349 (1996).
8. G. Steude, D. M. Hoffmann, B. K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi A 165, R3 (1998).
9. B. K. Meyer, G. Steude, A. Gölder, A. Hoffmann, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi B 216, 187 (1999).
10. G. Steude, B. K. Meyer, A. Gölder, A. Hoffmann, F. Bertram, J. Christen, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 74, 2456 (1999).
11. Y.-H. Cho, G. H. Gainer, J. B. Lam, J. J. Song, W. Yang, and W. Jhe, Phys. Rev. B 61, 7203 (2000).
12. H. S. Kim, R. A. Mair, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 76, 1252 (2000).
13. J. Li, K. B. Nam, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 79, 3245 (2001).
14. M. Leroux et al., Phys. Status Solidi B 234, 887 (2002).
15. M. Ahoujja, J. L. McFall, Y. K. Yeo, R. L. Hengehold, and J. E. Van Nostrand, Mater. Sci. Eng., B B91-92, 285 (2002).
16. M. Ahoujja, Y. K. Yeo, R. L. Hengehold, and J. E. Van Nostrand, Appl. Phys. Lett. 80, 1382 (2002).
17. C.-R. Lee, J. Cryst. Growth 246, 25 (2002).
18. F. Omnès, N. Marenco, B. Beaumont, and Ph. de Miery, J. Appl. Phys. 86, 5286 (1999).
19. C. Stampfl, J. Neugebauer, and C. G. Van de Walle, Mater. Sci. Eng., B B59, 253 (1999).
20. A. Y. Polyakov et al., Solid-State Electron. 42, 627 (1998).
21. C. J. Eiting, P. A. Grudowski, and R. D. Dupuis, J. Electron. Mater. 27, 206 (1998).
22. J. K. Sheu and G. C. Chi, J. Phys.: Condens. Matter 14, R657 (2002).
23. H. K. Cho, J. Y. Lee, S. R. Jeon, and G. M. Yang, J. Cryst. Growth 233, 667 (2001).
24. R. J. Molnar, T. Lei, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 72 (1993).
25. D. C. Look and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997).
26. M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, P. Lorenzini, S. Haffouz, P. Vennéguès, J. Massies, and P. Gibart, Mater. Sci. Eng., B B50, 97 (1997).
27. M. Yoshikawa, M. Kunzer, J. Wagner, H. Obloh, P. Schlotter, R. Schimdt, N. Herres, and U. Kaufmann, J. Appl. Phys. 86, 4400 (1999).
28. K. Fukui, H. Miura, A. Okada, Q. Guo, S. Tanaka, H. Hirayama, and Y. Aoyagi, in Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conference Series No. 1, November 2000, edited by H. Amano and A. Wakahara, p. 647.
29. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
30. W. J. Moore, J. A. Freitas, S. K. Lee, S. S. Park, and J. Y. Han, Phys. Rev. B 65, 081201(R) (2002).
31. B. K. Meyer, D. Volm, A. Graber, H. C. Alt, T. Detchprohm, A. Amano, and I. Akasaki, Solid State Commun. 95, 597 (1995).
32. D. Volm et al., Phys. Rev. B 53, 16543 (1996).