Epitaxial growth of semiconducting β-FeSi2 and its application to light-emitting diodes

Thin Solid Films

Volumn 461, Issue 1, 2004, Pages 209-218

  Suemasu, T ^a   Takakura, K ^b   Li, Cheng ^a   Ozawa, Y ^a   Kumagai, Y ^c   Hasegawa, F ^a  

^a UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^b KUMAMOTO NATIONAL COLLEGE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^c TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

EL; Iron disilicide; LED; MBE; PL; RDE

Indexed keywords

ELECTROLUMINESCENCE; ELECTRON MOBILITY; HOLE MOBILITY; IRON COMPOUNDS; LIGHT EMITTING DIODES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR STRUCTURE; SEMICONDUCTING SILICON; THERMAL EFFECTS; THIN FILMS;

ABSORPTION COEFFICIENT; IRON DISILICIDE; RDE; REACTIVE DEPOSITION EPITAXY (RDE);

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 2942733728     PISSN: 00406090     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.tsf.2004.02.075     Document Type: Conference Paper

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