Evidence of material mixing during local anodic oxidation nanolithography

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 11, 2005, Pages

  Mori, G ^a,c   Lazzarino, M ^a   Ercolani, D ^a,d   Biasiol, G ^a   Sorba, L ^a,d   Heun, S ^a   Locatelli, A ^b  

^a LABORATORIO TASC   (Italy)

^b SINCROTRONE TRIESTE   (Italy)

^c UNIVERSITY OF TRIESTE   (Italy)

^d UNIVERSITY OF MODENA AND REGGIO EMILIA   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GAASALASGAAS LAYERS; LAO OXIDES; LOCAL ANODIC OXIDATION NANOLITHOGRAPHY; OXYGEN-RICH IONS;

ALUMINUM COMPOUNDS; DIFFUSION; EPITAXIAL GROWTH; IONS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOTECHNOLOGY; OXYGEN; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

ANODIC OXIDATION;

EID: 29144454983     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2136212     Document Type: Article

References (30)

1. R. Garcia, M. Calleja, and F. Perez-Murano, Appl. Phys. Lett. 72, 2295 (1998).
2. R. Garcia, M. Calleja, and H. Rohrer, J. Appl. Phys. 86, 1898 (1999).
3. E. S. Snow, W. H. Juan, S. W. Pang, and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 66, 1729 (1995).
4. F. S. S. Chien, J. W. Chang, S. W. Lin, Y. C. Chou, T. T. Chen, S. Gwo, T. S. Chao, and W. F. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 76, 360 (2000).
5. L. P. Rokhinson, V. Larkina, Y. B. Lyanda-Geller, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Phys. Rev. Lett. 93, 146601 (2004).
6. N. J. Curson, R. Nemutudi, N. J. Appleyard, M. Pepper, D. A. Ritchie, and G. A. C. Jones, Appl. Phys. Lett. 78, 3466 (2001).
7. A. Fuhrer, S. Luescher, T. Ihn, T. Heinzel, K. Ensslin, W. Wegscheider, and M. Bichler, Nature (London) 413, 822 (2001).
8. U. F. Keyser, C. Fuhner, S. Borck, R. J. Haug, M. Bichler, G. Abstreiter, and W. Wegscheider, Phys. Rev. Lett. 90, 196601 (2003).
9. G. Mori, M. Lazzarino, D. Ercolani, G. Biasiol, and L. Sorba, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 570 (2004).
10. R. Held, T. Vancura, T. Heinzel, K. Ensslin, M. Holland, and W. Wegscheider, Appl. Phys. Lett. 73, 262 (1998).
11. K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B. J. Vartanian, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 68, 34 (1996).
12. E. S. Snow, D. Park, and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 69, 269 (1996).
13. M. Tello and R. Garcia, Appl. Phys. Lett. 83, 2339 (2003).
14. M. Lazzarino, S. Heun, B. Ressel, K. C. Prince, P. Pingue, and C. Ascoli, Appl. Phys. Lett. 81, 2842 (2002).
15. M. Lazzarino, G. Mori, L. Sorba, M. Padovani, M. Fanetti, and M. Sancrotti, Chem. Phys. Lett. 402, 155 (2005).
16. D. Ercolani, Adv. Funct. Mater. 15, 587 (2005).
17. G. Mori, M. Lazzarino, D. Ercolani, L. Sorba, S. Heun, and A. Locatelli, J. Appl. Phys. 97, 114324 (2005).
18. A. Locatelli, A. Bianco, D. Cocco, S. Cherifi, S. Heun, M. Marsi, M. Pasqualetto, and E. Bauer, J. Phys. IV 104, 99 (2003).
19. M. P. Seah and W. A. Dench, Surf. Interface Anal. 1, 2 (1979).
20. J.-J. Yeh and I. Lindau, At. Data Nucl. Data Tables 32, 1 (1985).
21. G. Mori, M. Lazzarino, D. Ercolani, G. Biasiol, A. Locatelli, L. Sorba, and S. Heun, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B (in press).
22. P. Avouris, T. Hertel, and R. Martel, Appl. Phys. Lett. 71, 285 (1997).
23. D. Stievenard, P. A. Fontaine, and E. Dubois, Appl. Phys. Lett. 70, 3272 (1997).
24. J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, and H. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 73, 271 (1998).
25. P. A. Fontaine, E. Dubois, and D. Stievenard, J. Appl. Phys. 84, 1776 (1998).
26. J. A. Dagata, F. Perez-Murano, C. Martin, H. Kuramochi, and H. Yokoyama, J. Appl. Phys. 96, 2386 (2004).
27. N. Cabrera and N. F. Mott, Rep. Prog. Phys. 12, 163 (1949).
28. A. E. Gordon, R. T. Fayfield, D. D. Litfin, and T. K. Higman, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2805 (1995).
29. E. Dubois and J. L. Bubendorff, J. Appl. Phys. 87, 8148 (2000).
30. S. D. Tzeng, C. L. Wu, Y. C. You, T. T. Chen, S. Gwo, and H. Tokumoto, Appl. Phys. Lett. 81, 5042 (2002).