Giant growth rate in nano-oxidation of p-silicon surfaces by using ethyl alcohol liquid bridges

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 12, 2003, Pages 2339-2341

  Tello, Marta ^a   García, Ricardo ^a  

^a INSTITUTO DE MICROELECTRÓNICA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETHANOL; LIQUIDS; MOLECULES; OXIDATION; OXIDES;

NANO-OXIDATION;

SILICON;

EID: 0142026510     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1613799     Document Type: Article

References (25)

1. E. S. Snow, P. M. Campbell, F. A. Buot, D. Park, C. R. K. Marrian, and R. Magno, Appl. Phys. Lett. 72, 3071 (1998).
2. R. García, M. Calleja, and H. Rohrer, J. Appl. Phys. 86, 1898 (1999).
3. E. B. Cooper, S. R. Manalis, H. Fang, H. Dai, K. Matsumoto, S. C. Minne, T. Hunt, and C. F. Quate, Appl. Phys. Lett. 75, 3566 (1999).
4. K. Matsumoto, Y. Gotoh, T. Maeda, J. A. Dagata, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 76, 239 (2000).
5. F. S. Chien, Y.-C. Chou, T. T. Chen, W.-F. Hsieh, T. S. Chao, and S. Gwo, J. Appl. Phys. 89, 2465 (2001).
6. V. Bouchiat, M. Faucher, C. Thirion, W. Wernsdorfer, T. Fournier, and B. Pannetier, Appl. Phys. Lett. 79, 123 (2001).
7. L. Pellegrino, I. Pallecchi, D. Marré, E. Bellingeri, and A. S. Siri, Appl. Phys. Lett. 81, 3849 (2002).
8. 8 T. Onuki, T. Tokizaki, Y. Watanabe, T. Tsuchiya, and T. Tani, Appl. Phys. Lett. 80, 4629 (2002).
9. A. Dorn, M. Sigrist, A. Fuhrer, T. Ihn, T. Heinzel, K. Ensslin, W. Wegscheider, and M. Bichler, Appl. Phys. Lett. 80, 252 (2002).
10. H. Sugimura and N. Nakagiri, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 3406 (1995).
11. T. Teuschler, K. Mahr, S. Miyazaki, M. Hundhausen, and L. Ley, Appl. Phys. Lett. 67, 3144 (1995).
12. J. A. Dagata, F. Pérez-Murano, G. Abadal, K. Morimoto, T. Inoue, J. Itoh, and H. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 76, 2710 (2000); J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, K. Matsumoto, and H. Yokoyama, J. Appl. Phys. 84, 6891 (1998).
13. J. A. Dagata, F. Pérez-Murano, G. Abadal, K. Morimoto, T. Inoue, J. Itoh, and H. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 76, 2710 (2000); J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, K. Matsumoto, and H. Yokoyama, J. Appl. Phys. 84, 6891 (1998).
14. E. Dubois and J.-L. Bubendorff, J. Appl. Phys. 87, 8148 (2000).
15. M. Calleja and R. García, Appl. Phys. Lett. 76, 3427 (2000).
16. M. Tello and R. García, Appl. Phys. Lett. 79, 424 (2001).
17. M. Calleja, M. Tello, and R. García, J. Appl. Phys. 92, 5539 (2002); S. Gómez-Moñivas, J. J. Sáenz, M. Calleja, and R. García, Phys. Rev. Lett. 91, 056101 (2003).
18. M. Calleja, M. Tello, and R. García, J. Appl. Phys. 92, 5539 (2002); S. Gómez-Moñivas, J. J. Sáenz, M. Calleja, and R. García, Phys. Rev. Lett. 91, 056101 (2003).
19. F. Marchi, V. Bouchiat, H. Dallaporta, V. Safarov, D. Tonneau, and P. Doppelt, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1 (1998).
20. Y.-Y. Wei and G. Eres, Appl. Phys. Lett. 76, 194 (2000).
21. R. García and A. San Paulo, Phys. Rev. B 61, R13381 (2000); A. San Paulo and R. García, ibid. 66, 041406(R) (2002).
22. R. García and A. San Paulo, Phys. Rev. B 61, R13381 (2000); A. San Paulo and R. García, ibid. 66, 041406(R) (2002).
23. V. Navarro and R. García (private communication).
24. K. Morimoto, F. Pérez-Murano, and J. A. Dagata, Appl. Surf. Sci. 158, 205 (2000).
25. E. H. Poindexter, C. F. Young, and G. J. Girardi, in Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices, edited by E. Garfunkel, E. Gusev, and A. Vul' (Kluwer, Dordrecht, 1998), p. 300.