Single-atom point contact devices fabricated with an atomic force microscope

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 2, 1996, Pages 269-271

  Snow, E S ^a   Park, D ^a   Campbell, P M ^a  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000028348     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117946     Document Type: Article

References (22)

1. J. A. Dagata, J. Schneir, H. H. Harary, C. J. Evans, M. T. Postek, and J. Bennet, Appl. Phys. Lett. 56, 2001 (1990).
2. E. S. Snow and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 64, 1932 (1994).
3. E. S. Snow, P. M. Campbell, and P. J. McMarr, Appl. Phys. Lett. 63, 749 (1993).
4. H. Sugimura and N. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 66, 1430 (1995); F. K. Perkins, E. A. Dobisz, S. L. Brandow, J. M. Calvert, J. E. Kosakowski, and C. R. K. Marrian, ibid. 68, 550(1996).
5. H. Sugimura and N. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 66, 1430 (1995); F. K. Perkins, E. A. Dobisz, S. L. Brandow, J. M. Calvert, J. E. Kosakowski, and C. R. K. Marrian, ibid. 68, 550(1996).
6. K. Matsumoto, S. Takahashi, M. Ishii, M. Hoshi, A. Kurokawa, S. Ichimura, and A. Ando, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 1387 (1995).
7. E. S. Snow and P. M. Campbell, Science 270, 1639 (1995).
8. K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B. J. Vartanian, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 68. 34 (1996).
9. B. J. van Wees, H. van Houten, C. W. J. Beenakker, J. G. Williamson, L. P. Kouwenhoven, K. van der Marel, and C. T. Foxon, Phys. Rev. Lett. 60, 848 (1988).
10. J. M. Krans, J. M. van Ruitenbeek, V. V. Fisun, I. K. Yanson, and L. J. de Jongh, Nature 375, 767 (1995).
11. J. I. Pascual, J. Mendez, J. Gomez-Herrero, A. M. Baro, N. Garcia, U. Landman, W. D. Luedtke, E. N. Bogachek, and H.-P. Cheng, Science 267, 1793 (1995).
12. C. J. Muller, J. M. van Ruitenbeek, and L. J. de Jongh, Phys. Rev. Lett. 69, 140 (1992).
13. J. L. Costa-Kramer, N. Garcia, P. Garcia-Mochales, and P. A. Serena, Surf. Sci. 342, 1144 (1995).
14. H. Sugimura, T. Uchida, N. Kitamura, and H. Masuhara, Jpn. J. Appl. Phys. 32. L553 (1993); D. Wang, L. Tsau, K. L. Wang, and P. Chow, Appl. Phys. Lett. 67, 1295 (1995).
15. H. Sugimura, T. Uchida, N. Kitamura, and H. Masuhara, Jpn. J. Appl. Phys. 32. L553 (1993); D. Wang, L. Tsau, K. L. Wang, and P. Chow, Appl. Phys. Lett. 67, 1295 (1995).
16. S. K. Ghandi, VLSI Fabrication Principles (Wiley, New York, 1983).
17. H. Sugimura, T. Uchida, N. Kitamura, and H. Masuhara, J. Phys. Chem. 98, 4352 (1994).
18. For such small fine dimensions ρ may well depend on thickness. Such behavior would skew the length scale such that it should be used as only a rough estimate for the voltage dependence of the Al thickness.
19. Y. Nakumura, D. L. Klein, and J. S. Tsai, Appl. Phys. Lett. 68, 275 (1996).
20. K. S. Ralls, D. C. Ralph, and R. A. Buhrman, Phys. Rev. B 40, 11561 (1989).
21. J. M. Krans, C. J. Muller, I. K. Yanson, Th. C. M. Govaert, R. Hesper, and J. M. van Ruitenbeek, Phys. Rev. B 48, 14721 (1993).
22. Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwdate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, Electron. Lett. 31, 136 (1995).