Semiconductor nanocrystal floating-gate memory devices

Materials Research Society Symposium Proceedings

Volumn 830, Issue , 2005, Pages 203-216

  Dimitrakis, P ^a   Normand, P ^a  

^a INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Greece)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CHARGE; ELECTRIC POTENTIAL; GATES (TRANSISTOR); ION BEAMS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; POLYSILICON; RELIABILITY; SEMICONDUCTOR MATERIALS; WIRELESS TELECOMMUNICATION SYSTEMS;

CHARGE STORAGE; DIELECTRIC MATRIX; FLOATING-GATE (FG) NON-VOLATILE MEMORY (NVM) DEVICES; ION-BEAM-SYNTHESIS (IBS); ULTRA-LOW-ENERGY (ULE) REGIME;

DATA STORAGE EQUIPMENT;

EID: 20344365310     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (38)

1. Special issue on Emerging Solid-State Memory Technologies, Ed. H. Gorokin and Y. Yang, MRS Bulletin, 29, 805 (2004).
2. M. H. White, D. A. Adams and J. Bu, IEEE Cire. Dev. 16, 22 (2000).
3. J. Bu and M. H. White, Sol. St. Electron. 45, 113 (2001).
4. R. van Schaijk, M. van Duuren, W. Y. Mei, K. van der Jeugd, A. Rothschild and M. Demand, Microelectron. Eng. 72, 395 (2004).
5. C. T. Swift, G. L. Chindalore, K. Harber, T. S. Harp, A. Hoefler, C. M. Hong, P. A. Ingersoll, C. B. Li, E. J. Prinz and J. A. Yater, IEEE IEDM Tech. Dig. 2002, pp. 927-930.
6. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E.F. Crabbe and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
7. J. De Blauwe, IEEE Trans. Nanotech. 1, 72 (2002).
8. E. Kapetanakis, P. Normand, K. Beltsios and D. Tsoukalas, Nanocrystal Memories in Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, Ed. H. S. Nalwa (ASP 2003), Vol. 6, pp. 321-340.
9. S. J. Baik, S. Choi, U.I. Chung and J. T. Moon, Solid-State Electron. 48, 1475 (2004).
10. B. De Salvo, C. Gerardi, S. Lombardo, T. Baron, L. Perniola, D. Mariolle, P. Mur, A. Toffoli, M. Gely, M.N. Semeria, S. Deleonibus, G. Ammendola, V. Ancarani, M. Melanotte, R. Bez, L. Baldi, D. Corso, I. Crupi, R. A. Puglisi, G. Nicotra, E. Rimini, F. Mazen, G. Ghibaudo, G. Pananakakis, C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, A. Lacaita, A. Spinelli, Y. M. Wan and K. van der Jeugd, IEEE IEDM Tech. Dig. 2003, pp. 597-600.
11. R. Muralidhar, R.F. Steimle, M. Sadd, R. Rao, C.T. Swift, E.J. Prinz, J. Yater, L. Grieve, K. Harber, B. Hradsky, S. Straub, B. Acred, W. Paulson, W. Chen, L. Parker, S.G.H. Anderson, M. Rossow, T. Merchant, M. Paransky, T. Huynh, D. Hadad, Ko-Min Chang and B.E. White Jr., IEEE IEDM Tech. Dig. 2003, pp. 601-604.
12. B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, E. Aloni, A. Frommer and D. Finzi, IEEE Electron Dev. Lett. 21, 543 (2000).
13. M. She and T-J King, IEEE Trans. Electron Dev. 50, 1934 (2003).
14. Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei and E. C. Kan, IEEE Trans. Electron Dev. 49, 1606 (2002).
15. Y. C. King, T. J. King and C. Hu, IEEE IEDM Tech. Dig. 1998, pp. 115-118.
16. D. W. Kim, T. Kim and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Dev. 50, 1823 (2003).
17. R. Ohba, N. Sugiyama, K. Uchida, J. Kora and A. Toriumi, IEEE Trans. Electron Dev. 49, 1392 (2002).
18. C. Lee, A. Gorur-Seetharam and E. Kan, IEEE IEDM Tech. Dig. 2003, pp. 557-560.
19. R. F. Steimle, M. Sadd, R. Muralidhar, R. Rao, B. Hradsky, S. Straub and B. E. White, IEEE Trans. Nanotech. 2, 335 (2003).
20. S. J. Baik, S. Choi, U.I. Chung and J. T. Moon, IEEE IEDM Tech. Dig. 2003, pp. 267-270.
21. J. H. Chen, Y. Q. Wang, W. J. Yoo, Y.-C. Yeo, G. Samudra, D. SH. Chan, A. Y. Du and D.-L. Kwong, IEEE Trans. Electron Dev. 51, 1840 (2004).
22. K. W. Guarini, C. T. Black, Y. Zhang, I. V. Babich, E. M. Sikorski and L. M. Gignac, IEEE IEDM Tech. Dig. 2003, pp. 541-544.
23. R. J. Walters, P. G. Kik, J. D. Casperson, H. A. Atwater, R. Lindstedt, M. Giorgi, and G. Bourianoff, Appl. Phys. 85, 2622 (2004).
24. A. Meldrum, R. F. Haglund, Jr. Lynn, Jr., L. A. Boatner and C. W. White, Adv. Mater. 13, 1431 (2001).
25. H. I. Hanafi, S. Tiwari and I. Khan, IEEE Trans. Elec. Dev. 43, 1553 (1996).
26. J. von Borany, T. Gebel, K.-H. Stegemann, H.-J. Thees and M. Wittmaack, Solid-State Electron. 46, 1729 (2002).
27. B. Garrido, S. Cheylan, O. Gonzalez-Varona, A. Perez-Rodryguez and J. R. Morante, Appl. Phys. Lett. 82, 4818 (2003).
28. P. Normand, E. Kapetanakis, P. Dirnitrakis, D. Skarlatos, K. Beltsios, D. Tsoukalas, C. Bonafos, G. Ben Asssayag, N. Cherkashin, A. Claverie, J. A. Van Den Berg, V. Soncini, A. Agarwal, M. Ameen, M. Perego and M. Fanciulli, Nucl. Instrum. Meth. B216, 228 (2004).
29. C. Bonafos, M. Carrada, N. Cherkashin, H. Coffin, D. Chassaing, G. Ben Assayag, A. Claverie, T. Muller, K.H. Heinig, M. Perego, M. Fanciulli, P. Dimitrakis and P. Normand, J. Appl. Phys. 95, 5696 (2004).
30. T. Muller, K.-H. Heinig, W. Moller, C. Bonafos, H. Coffin, G. Ben Assayag, S. Schamm, G. Zanchi, A. Claverie, M. Tence and C. Colliex, Appl. Phys. Lett. 85, 2373 (2004).
31. P. Normand, P. Dimitrakis, E. Kapetanakis, D. Skarlatos, K. Beltsios, D. Tsoukalas, C. Bonafos, H. Coffin, G. Ben Assayag, A. Claverie, V. Soncini, A. Agarwal, Ch. Sohl and M. Ameen, Microelectron. Eng. 73-74, 730 (2004).
32. P. Dimitrakis, E. Kapetanakis, D. Tsoukalas, D. Skarlatos, C. Bonafos, G. Ben Asssayag, A. Claverie, M. Perego, M. Fanciulli, V. Soncini, R. Sotgiu, A. Agarwal, M. Ameen and P. Normand, Solid-State Electron. 48, 1511 (2004).
33. P. Normand, Appl. Phys. Lett. 83, 168 (2003)
34. M. L. Brongersma, A. Polman, K. S. Min, E. Boer, T. Tambo and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 72, 2577 (1998).
35. P. Normand, P. Dimitrakis, V. Soncini, R. Sotgiou, V. Contin and G. Albini, unpublished data (2004).
36. X. Zhou and K.Y. Lim, Solid-State Electron. 46, 769 (2002).
37. T. Oishi, K. Shiozawa, A. Furukawa, Y. Abe and Y. Tokuda. Jpn. J. Appl. Phys. 37, L852 (1998).
38. N. Shigyo and T. Hiraoka, Solid-State Electron. 43, 2061 (1999).