Influence of growth conditions, inversion domains, and atomic hydrogen on growth of (0001) GaN by molecular beam epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 4, 1998, Pages 2261-2266

  Myers, T H ^a   Hirsch, L S ^a   Romano, L T ^b   Richards Babb, M R ^a  

^a WEST VIRGINIA UNIVERSITY   (United States)

^b PALO ALTO RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001564290     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590159     Document Type: Article

References (31)

1. See, for example, J. Pankove, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 97, 409 (1987).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
3. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J. Molnar, Physica B 185, 36 (1993).
4. M. Smith, G. D. Chen, J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, W. K. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 67, 3387 (1995).
5. M. A. L. Johnson, Z. Yu, C. Boney, W. C. Hughes, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, H. Zhao, B. J. Skromme, and J. A. Edmond, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 215 (1997).
6. E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997).
7. Z. Yu, S. L. Buczkowski, N. C. Giles, T. H. Myers, and M. R. Richards-Babb, Appl. Phys. Lett. 69, 2731 (1996); S. L. Buczkowski, Z. Yu, M. R. Richards-Babb, N. C. Giles, T. H. Myers, and L. T. Romano, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 197 (1997).
8. Z. Yu, S. L. Buczkowski, N. C. Giles, T. H. Myers, and M. R. Richards-Babb, Appl. Phys. Lett. 69, 2731 (1996); S. L. Buczkowski, Z. Yu, M. R. Richards-Babb, N. C. Giles, T. H. Myers, and L. T. Romano, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 197 (1997).
9. H. Reichert, R. Averbeck, A. Graber, M. Schienle, U. Straub, and H. Tews, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 149 (1997).
10. R. Beresford, K. S. Stevens, Q. Cui, A. Schwartzman, and H. Cheng, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 361 (1997).
11. R. Held, D. E. Crawford, A. M. Johnston, A. M. Dabiran, and P. I. Cohen, J. Electron. Mater. 26, 272 (1997).
12. L. T. Romano, J. E. Northrup, and M. A. O'Keefe, Appl. Phys. Lett. 69, 2394 (1996).
13. B. Daudin, J. L. Rouviere, and M. Arley, Appl. Phys. Lett. 69, 2480 (1996).
14. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolonek, S. Keller, B. Keller, S. P. Den-Baars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
15. Z. Liliental-Weber, H. Sohn, N. Newman, and J. Washburn, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1578 (1995).
16. L. T. Romano, B. S. Krusor, R. Singh, and T. D. Moustakas, J. Electron. Mater. 26, 285 (1997).
17. L. T. Romano and T. H. Myers, Appl. Phys. Lett. 71, 3486 (1997).
18. V. Polin, P. Ruterana, and G. Nouet, J. Appl. Phys. 82, 2176 (1997).
19. M. S. Brandt, J. W. Ager III, W. Gotz, N. M. Johnson, J. S. Harris, Jr., R. J. Molnar, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. B 49, 14758 (1994).
20. M. Seelmann-Eggebert, J. L. Weyher, H. Obloh, H. Zimmermann, A. Rar, and S. Porowskj, Appl. Phys. Lett. 71, 2635 (1997).
21. M. Richards-Babb, S. L. Buczkowski, Z. Yu, and T. H. Myers, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 237 (1996).
22. D. Lederman, Z. Yu, T. H. Myers, and M. R. Richards-Babb, Appl. Phys. Lett. 71, 368 (1997).
23. D. L. Smith, Thin Film Deposition (McGraw-Hill, New York, 1995), pp. 119-184.
24. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 79, 3934 (1997).
25. P. G. Middleton, C. Trager-Cowan, A. Mohammed, K. P. O'Donnell, W. Van Der Stricht, I. Moerman, and P. Demeeser, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 471 (1997).
26. Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, and J. Washburn, Phys. Rev. Lett. 79, 2835 (1997).
27. EPI MBE Products Group (St. Paul, MN), Application Note 97-3 (August, 1997).
28. See, for example, V. A. Burrows, Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghavachari, and S. B. Christman, Appl. Phys. Lett. 53, 998 (1988).
29. See, for example, The Properties of Natural and Synthetic Diamond, edited by J. E. Field (Academic, London, 1992), and references therein.
30. H. Shimomura, Y. Okada, and M. Kawabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L628 (1992).
31. C. R. Jones, T. Lei, R. Kaspi, and K. R. Evans, Proceedings of the 1995 Fall MRS Meeting, Symposium AAA (unpublished).