DC Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on Freestanding GaN Substrates

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 7, Issue 1, 2004, Pages

  Irokawa, Y ^a   Luo, B ^b   Ren, F ^b   Pan, C C ^c   Chen, G T ^c   Chyi, J I ^c   Park, S S ^d   Park, Y J ^d   Pearton, S J ^b  

^a Rd Management Section   (Japan)

^b University of Florida   (United States)

^c NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^d Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HETEROJUNCTIONS; LIGHT EMITTING DIODES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOS DEVICES; PHOTONS; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; THERMAL CONDUCTIVITY;

DISLOCATION DENSITY; PHOTONIC DEVICES;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 0942299507     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1626992     Document Type: Article

References (22)

1. A. T. Ping, E. Piner, J. Redwing, M. Asif Khan, and I. Adesida, Electron. Lett., 36, 175 (2000).
2. M. Asif Khan, J. W. Yang, W. Knap, E. Frayssinet, X. Hu, G. Simin, P. Prystawko, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, R. Gaska, M. S. Shur, B. Beaumont, M. Teisseire, and G. Neu, Appl. Phys. Lett., 76, 3807 (2000).
3. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussons, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 465 (2001).
4. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 479 (2001).
5. W. Lu, J. Yang, M. Asif Khan, and I. Adesida, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 581 (2001).
6. Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 586 (2001).
7. M. S. Shur, Solid-State Electron., 42, 2131 (1998).
8. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 79, 2832 (2001).
9. G. Simin, A. Tarakji, X. Hu, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, R. Gaska, Phys. Status Solidi A, 188, 219 (2001).
10. D. H. Cho, M. Shimizu, T. Ide, H. Ookita, and H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 41, 4481 (2002).
11. D. W. Chou, K. W. Lee, J. J. Huang, H. R. Wu, Y. H. Wang, M. P. Houng, S. J. Chang, and Y. K. Su, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 41, L748 (2002).
12. E. Frayssinet, W. Knap, P. Lorenzini, N. Grandjean, J. Massies, C. Skierbiszewski, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, G. Simin, X. Hu, M. Asif Khan, M. S. Shur, R. Gaska, and D. Maude, Appl. Phys. Lett., 77, 2551 (2000).
13. J. W. Johnson, A. P. Zhang, W. B. Luo, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, Y. J. Park, and J. I. Chyi, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 32 (2002).
14. V. Y. Ivanov, M. Godlewski, H. Teisseyre, P. Perlin, R. Czernecki, P. Prystawko, M. Leszczynski, I. Grzegory, T. Suski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett., 81, 3735 (2000).
15. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett., 79, 711 (2001).
16. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Teetsov, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater., 32, 388 (2003).
17. S. S. Park, I. W. Park, and S. H. Choh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 39, L1141 (2000).
18. E. Oh, S. K. Lee, S. S. Park, K. Y. Lee, I. J. Song, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett., 78, 273 (2001).
19. D. Huang, F. Yun, M. A. Reshchikov, D. Wang, H. Morkoç, D. L. Rode, L. A. Farina, Ç. Kurdak, K. T. Tsen, S. S. Park, and K. Y. Lee, Solid-State Electron., 45, 711 (2001).
20. H. Morkoç, Mater. Sci. Eng., R., 33, 135 (2001).
21. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett., 80, 1661 (2002).
22. A. Vertiatchikh, L. F. Eastman, W. J. Schaff, and I. Prunty, Electron. Lett., 38, 388 (2002).