Optical properties of GaN grown by hydride vapor-phase epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 3, 2001, Pages 273-275

  Oh, Eunsoon ^a   Lee, S K ^b   Park, S S ^b   Lee, K Y ^b   Song, I J ^b   Han, J Y ^b  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001379962     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1338503     Document Type: Article

References (26)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
2. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. McDermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. J. Schaff, and I. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 17, 584 (1996).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
4. S. Porowski, M. Bockowski, B. Lucznik, M. Wroblewski, S. Krukowski, I. Grzegory, M. Leszczynski, G. Nowak, K. Pakula, and J. Baranowski, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 35 (1997).
5. M. Leszczynski, B. Beaumont, E. Frayssinet, W. Knap, P. Prystawko, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 75, 1276 (1999).
6. M. Schauler, F. Eberhard, C. Kirchner, V. Schwegler, A. Pelzmann, M. Kamp, K. J. Ebeling, F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, P. Prystawko, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 74, 1123 (1999).
7. R. B. Zetterstrom, J. Mater. Sci. 5, 1102 (1970).
8. S. Kurai, Y. Naoi, T. Abe, S. Ohmi, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L77 (1996).
9. C. M. Balkas, Z. Sitar, T. Zheleva, L. Bergman, I. K. Shmagin, J. F. Muth, R. Kolbas, R. Nemanich, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 41 (1997).
10. R. P. Vaudo, V. M. Phanse, X. Wu, Y. Golan, and J. S. Speck, 2nd International Conference on Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan, 1997 (unpublished).
11. M. K. Kelly, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, L. Gorgens, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L217 (1999).
12. C. Kirchner, V. Schwegler, F. Eberhard, M. Kamp, K. J. Ebeling, K. Kornitzer, T. Ebner, K. Thonke, R. Sauer, P. Prystawko, M. Leszzczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 75, 1098 (1999).
13. G. Pozina, J. P. Bergman, T. Paskova, and B. Monemar, Appl. Phys. Lett. 75, 4124 (1999).
14. K. Kornitzer, T. Ebner, M. Grehl, K. Thonke, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Status Solidi B 216, 5 (1999).
15. K. P. Korona, A. Wysmolek, K. Pakula, R. Stepniewski, J. M. Baranowski, I. Grzegory, B. Lecznik, M. Wroblewski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 69, 788 (1996).
16. H. Teisseyre, P. Perlin, T. Susuki, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun, A. Pietraszko, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 2429 (1994).
17. E. M. Goldys, T. Paskova, I. G. Ivanov, B. Amaudov, and B. Monemar, Appl. Phys. Lett. 73, 3583 (1998).
18. X. Li and J. J. Coleman, Appl. Phys. Lett. 70, 438 (1997).
19. I. Eckey, J.-Chr. Holst, A. Hoffmann, I. Broser, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, (1997).
20. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 4, 1211 (1971).
21. T. Pashkova, E. M. Goldys, and B. Monemar, J. Cryst. Growth 203, 1 (1999).
22. E. Oh, C. S. Sone, O. H. Nam, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 76, 3242 (2000).
23. A. Cingolani, M. Ferrara, M. Lugara, and G. Scamarcio, Solid State Commun. 58, 823 (1986).
24. D. Kovalev, B. Averboukh, D. Volm, B. K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 54, 258 (1996).
25. I. A. Buyanova, J. P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Mater. Sci. Eng., B 50, 130 (997).
26. S. Fischer, G. Steude, D. M. Hofmann, F. Kurth, F. Anders, M. Topf, B. K. Meyer, F. Bertram, M. Schmidt, J. Christen, L. Eckey, J. Holst, A. Hoffmann, B. Mensching, and B. Rauschenbach, J. Cryst. Growth 189/190, 556 (1998).