Reliability Issues for High-K Gate Dielectrics

Technical Digest - International Electron Devices Meeting

Volumn , Issue , 2003, Pages 923-926

  Oates, Anthony S ^a  

^a TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; ELECTRIC CHARGE; GATES (TRANSISTOR); LEAKAGE CURRENTS; OPTIMIZATION; PERMITTIVITY; RELIABILITY; SILICA; SUBSTRATES; THRESHOLD VOLTAGE;

SCALING; TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN (TDDB);

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 0842266489     PISSN: 01631918     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (34)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89(10), 5243, 2001
2. E. P. Gusev, D. A. Buchanan, E. Cartier, A. Kumar, D. DiMaria, S. Guha et al, IEDM Tech. Digest (2001), pp. 451.
3. S. J. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, C. H. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, IEDM Tech. Digest (2000), pp. 31
4. B. H. Lee, R. Choi, L. Kang, S. Gopalan, R. Nieh, K. Onishi, IEDM Tech. Digest (2000), pp. 39
5. S. J. Lee, S. J. Rhee, R. Clark, D. L. Kwong, Symp. VLSI Tech. (2002), pp. 78.
6. H. Iwai, S. Ohmi, S. Akama, C. OhShima, A. Kikuchi, I. Kashiwagi et al, IEEM Tech. Digest (2002), pp. 625
7. C. W. Wang, Y. K. Fang, Ch. H. Chen, S. F. Chen, C. Y. Lin et al, Appl. Phys. Lett., 83(2), 308, 2003
8. J. C. Wang, S. H. Chiao, C. L. Lee, T. F. Lei, Y. M. Lin, M. F. Wang, J. Appl. Phys., 92(7), 3936, 2002
9. G. D. Wilk, M. L. Green, M. Y. Ho, B. W. Busch, T. W. Sorch, F. P. Klemens, Symp. VLSI Tech (2002), pp.88
10. Z. Xu, M. Houssa, R. Carter, M. Naili, S. DeGendt, M. Heyns, J. Appl. Phys., 91(12), 10127, 2002.
11. R. Degraeve, T. Kauerauf, A. Kerber, E. Cartier, B. Govoreanu, Ph. Roussel et al, Proc. IRPS 2003, pp. 23
12. A. Kerber, E. Cartier, L. Pantisano, M. Rosmeulen, R. Degraeve, T. Kauerauf et al, Proc. IRPS 2003, pp.41.
13. W. J. Zhu, T. P. Ma, T. Tamagawa, J. Kim, Y. Di, Elec. Dev. Lett., 23(2), 97, 2002
14. Z. Xu, M. Houssa, S. DeGendt, M.Heyns, Appl. Phys. Lett., 80(11), 1975, 2002
15. K. Onishi, C. S. Kang, R. Choi, H. J. Cho, S. Gopalan, R. Nieh et al, Proc. IRPS 2002, pp. 419
16. S. Zafar, A. Callegari, E. Gusev, M. V. Fischetti, Tech. Digest IEDM (2002), pp. 517
17. Q. Lu, H. Takeuchi, R. Lin, T. J. King, C. Hu, Proc. IRPS 2002, pp. 429.
18. H. Sim, H. Hwang, Appl.Phys. Lett., 81(21), 4038, 2002
19. R. Choi, K. Onishi, C. S. Kang, S. Gopalan, R. Nieh, Y. H. Kim, Tech Digest IEDM 2002, pp. 613
20. A. Kumar, T. K. Ning, M. Fischetti, E. Gusev, Symp. VLSI Tech. 2002, pp. 152
21. R. Degraeve, B. Kaczer, M. Houssa, G. Groesenken, M. Heyns, J. S. Jeon et al, Tech. Digest of IEDM 1999, pp. 327.
22. T. Kauerauf, R. Degraeve, E. Cartier, B. Govoreanu, B. Kaczer, L. Pantisano et al, Tech. Digest IEDM 2002, pp. 521
23. M. A. Alam, R. K. Smith, B. E. Wier, P. J. Silverman, IEDM 2002, pp. 151
24. Y. Harada, M. Niwa, S. Lee, D. L. Kwong, Symp. VLSI Tech., 2002, pp. 26
25. J. McPherson, J. Kim, A. Shanware, H. Mogul, J. Rodriguez, Tech. Digest IEDM 2002, pp. 633
26. T. Yamaguchi, T. Ino, H. Satake, N. Fukushima, Proc. IRPS 2003, pp 34
27. S.J. Lee, C.H. Lee, C.H. Choi, D.L.Kwong, IRPS 2002, 409
28. Y. Morisaki, T. Aoyama, Y. Sugita, K. Irino, T. Sugii, T. Nakamura, IEDM 2002, pp. 861
29. A. Shanware, et al, IEDM 2001, pp. 137
30. B. Guillaumot et al, IEDM 2002, pp. 355
31. Y. H. Kim, et al, IEDM 2002, pp. 629
32. Y.H. Wu, M.Y. Yang, A. Chin, W.J. Chen, C.M.Kwei, EDL, 21(7), 341, 2001
33. D.G. Park et al, JAP, 89(11), 6275, 2001
34. Y. H. Kim, K. Onishi, C. S. Kang et al, Proc. IRPS 2003, pp. 46