Effects of surface treatments on isolation currents in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 20, 2003, Pages 4178-4180

  Moser, N A ^a   Gillespie, J K ^a   Via, G D ^a   Crespo, A ^a   Yannuzzi, M J ^a   Jessen, G H ^a   Fitch, R C ^a   Luo, B ^b   Ren, F ^b   Gila, B P ^c   Onstine, A H ^c   Abernathy, C R ^c   Pearton, S J ^c  

^a AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b University of Florida   (United States)

^c UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC BREAKDOWN; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; OHMIC CONTACTS; PLASMA ETCHING; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SURFACE CLEANING; SURFACE TREATMENT;

ISOLATION CURRENTS; PASSIVATION FILM;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 0348041879     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1628394     Document Type: Article

References (24)

1. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
2. G. Simin, A. Koudymov, A. Tarakji, X. Hu, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2651 (2001).
3. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001).
4. E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N. X. Nguyen, and C. N. Nguyen, Electron. Lett. 35, 1022 (1999).
5. J. S. Lee, A. Vescan, A. Wieszt, R. Dietrich, H. Leier, and Y.-S. Kwon, Electron. Lett. 37, 130 (2001).
6. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
7. N. X. Nguyen, C. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett. 35, 1356 (1999).
8. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 20, 448 (1999).
9. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 78, 2169 (2001).
10. E. M. Chumbes, J. A. Smart, T. Prunty, and J. M. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 416 (2001).
11. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001).
12. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry, Appl. Phys. Lett. 79, 3527 (2001).
13. P. B. Klein, J. A. Freitas, Jr., S. C. Binari, and A. E. Wickenden, Appl. Phys. Lett. 75, 4016 (1999).
14. P. B. Klein, S. C. Binari, J. A. Freitas, Jr., and A. E. Wickenden, J. Appl. Phys. 88, 2843 (2000).
15. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi-Anastasiou, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, P. L. Henry, and D. S. Katzer, IEEE Electron Device Lett. 37, 661 (2001).
16. B. Luo, J. W. Johnson, B. P. Gila, A. Onstine, C. R. Abernathy, F. Ren, S. J. Pearton, A. G. Baca, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, and P. P. Chow, Solid-State Electron. 46, 467 (2002).
17. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002).
18. B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Fitch, J. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo and Y. Irokawa, J. Electrochem. Soc. 149, G613 (2002).
19. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001).
20. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kamensky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Feetsov, A. Vatiakhikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater. 32, 626 (2003).
21. J. K. Gillespie, R. C. Fitch, J. Sewell, R. Dettmer, G. D. Via, A. Crespo, T. J. Jenkins, B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, IEEE Electron Device Lett. 23, 505 (2002).
22. A. Vertiatchikh, L. F. Eastman, W. J. Schaff, and I. Prunty, Electron. Lett. 38, 388 (2002).
23. R. J. Shul, L. Zhang, A. G. Baca, C. G. Willison, J. Han, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1144 (2000).
24. J. Kim, B. Gila, R. Mehandru, J. W. Johnson, J. H. Shin, K. P. Lee, B. Luo, A. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Electrochem. Soc. 149, G482 (2002).