Interface properties of SiO2/n-GaN metal-insulator-semiconductor structures

Applied Physics Letters

Volumn 80, Issue 25, 2002, Pages 4756-4758

  Nakano, Yoshitaka ^a   Jimbo, Takashi ^b  

^a Rd Management Section   (Japan)

^b NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE TRANSIENT; CAPACITANCE VOLTAGE; CAPACITANCE VOLTAGE CHARACTERISTIC; CAPACITANCE-TRANSIENT TECHNIQUES; DEEP DEPLETION; DEEP LEVEL; ELECTRICAL CHARACTERIZATION; FERMI LEVEL PINNING; HIGH FREQUENCY HF; INTERFACE PROPERTY; INTERFACE TRAPS; METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURES; METAL INSULATORS; REVERSE VOLTAGES; SAPPHIRE SUBSTRATES; SEMICONDUCTOR STRUCTURE; TEMPERATURE DEPENDENCE; THERMAL EMISSIONS; TRANSIENT SPECTROSCOPIC MEASUREMENT;

ACTIVATION ENERGY; GALLIUM NITRIDE; METAL INSULATOR BOUNDARIES; MIS DEVICES; POWER QUALITY; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR INSULATOR BOUNDARIES; SILICON COMPOUNDS; TRANSIENTS;

CAPACITANCE;

EID: 79956004334     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1486266     Document Type: Article

References (17)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahara, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 135, L74 (1996). jjc JAPLD8 0021-4922
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahara, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998). apl APPLAB 0003-6951
3. J. Han, A. G. Baca, R. J. Shul, C. G. Willison, L. Zhang, F. Ren, A. P. Zhang, G. T. Dang, S. M. Donovan, X. A. Cao, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 74, 2702 (1999). apl APPLAB 0003-6951
4. M. Asif Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000). apl APPLAB 0003-6951
5. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998). apl APPLAB 0003-6951
6. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000). apl APPLAB 0003-6951
7. H. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Baillargeon, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000). jvb JVTBD9 0734-211X
8. H. Kim, S. Park, and H. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 579 (2001). jvb JVTBD9 0734-211X
9. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, and S. Imanaga, Electron. Lett. 34, 592 (1998). ell ELLEAK 0013-5194
10. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996). apl APPLAB 0003-6951
11. P. Chen, W. Wang, S. J. Chua, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 79, 3530 (2001). apl APPLAB 0003-6951
12. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998). apl APPLAB 0003-6951
13. W. P. Li, R. Zhang, Y. G. Zhou, J. Yin, H. M. Bu, Z. Y. Luo, B. Shen, Y. Shi, R. L. Jiang, S. L. Gu, Z. G. Liu, Y. D. Zheng, and Z. C. Huang, Appl. Phys. Lett. 75, 2416 (1999). apl APPLAB 0003-6951
14. L. W. Tu, P. H. Tsao, K. H. Lee, I. Lo, S. J. Bai, C. C. Wu, K. Y. Hsieh, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 79, 4589 (2001). apl APPLAB 0003-6951
15. T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Ito, and T. Ito, J. Appl. Phys. 87, 3444 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
16. L. G. Meiners, Appl. Phys. Lett. 33, 747 (1978). apl APPLAB 0003-6951
17. Y. Mochizuki and M. Mizuta, Appl. Phys. Lett. 69, 3051 (1996). apl APPLAB 0003-6951