Characterization of selective quantum well intermixing in 1.3 μm GaInNAs/GaAs structures

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 3, 2003, Pages 1550-1556

  Sun, H D ^a   Macaluso, R ^a   Dawson, M D ^a   Robert, F ^b   Bryce, A C ^b   Marsh, J H ^c   Riechert, H ^d  

^a UNIVERSITY OF STRATHCLYDE   (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF GLASGOW   (United Kingdom)

^c Intense Ltd   (United Kingdom)

^d INFINEON TECHNOLOGIES AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENERGY GAP; INTERDIFFUSION (SOLIDS); ION IMPLANTATION; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; POINT DEFECTS; RAPID THERMAL ANNEALING; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SILICA; SPUTTERING;

INTERMIXING TECHNIQUES;

SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0043013257     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1590413     Document Type: Article

References (35)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
2. For a review, see, for example, I. A. Buyanova, W. M. Chen, and B. Monemar, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 2 (2001).
3. T. Kitatani, M. Kondow, S. Nakatsuka, Y. Yazawa, M. Okai, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 206 (1997).
4. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, E. D. Jones, J. M. Gee, J. J. Banas, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 74, 729 (1999).
5. M. C. Larson, M. Kondow, T. Kitatani, K. Nakahara, K. Tamura, H. Inoue, and K. Uomi, IEEE Photonics Technol. Lett. 10, 188 (1998).
6. S. Calvez, A. H. Clark, J.-M. Hopkins, R. Macaluso, P. Merlin, H. D. Sun, and M. D. Dawson, Electron. Lett. 39, 100 (2003).
7. M. D. Dawson, T. Jouhti, and M. Pessa, Opt. Lett. 27, 2124 (2002).
8. S. D. McDougall, O. P. Kowalski, C. J. Hamilton, F. Camacho, B. C. Qiu, M. L. Ke, R. M. De La Rue, A. C. Bryce, and J. H. Marsh, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 636 (1998).
9. J. P. Reithmaier and A. Forchel, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 595 (1998).
10. B. C. Qiu, X. F. Liu, M. L. Ke, H. K. Lee, A. C. Bryce, J. S. Aitchison, J. H. Marsh, and C. B. Button, IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 1292 (2001).
11. T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L298 (1999).
12. H. P. Xin, K. L. Kavanagh, M. Kondow, and C. W. Tu, J. Cryst. Growth 201, 419 (1999).
13. Z. Pan, L. H. Li, W. Zhang, Y. W. Lin, R. H. Wu, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 77, 1280 (2000).
14. I. A. Buyanova, G. Pozina, P. N. Hai, N. Q. Thinh, J. P. Bergman, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 77, 2325 (2000).
15. W. Li, J. Turpeinen, P. Melanen, P. Savolainen, P. Uusimaa, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 78, 91 (2001).
16. S. Kurtz, J. Webb, L. Gedvilas, D. Friedman, J. Geisz, J. Olson, R. King, D. Joslin, and N. Karam, Appl. Phys. Lett. 78, 748 (2001).
17. L. Largeau, C. Bondoux, G. Patriarche, C. Asplund, A. Fujioka, F. Salomonsson, and M. Hammar, Appl. Phys. Lett. 79, 1795 (2001).
18. L. Grenouillet, C. Bru-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Ballet, P. Duvaut, G. Rolland, and A. Million, J. Appl. Phys. 91, 5902 (2002).
19. E. Tournié, M. A. Pinault, and A. Guzmán, Appl. Phys. Lett. 80, 4148 (2002).
20. T. K. Ng, S. F. Yoon, S. Z. Wang, W. K. Loke, and W. J. Fan, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 964 (2002).
21. M. Albrecht et al., Appl. Phys, Lett. 81, 2719 (2002).
22. M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Yu. Egorov, D. Bernklau, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 76, 1030 (2000).
23. H. D. Sun, M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Yu, Egorov, D. Bernklau, and H. Riechert, J. Appl. Phys. 92, 1380 (2002).
24. 4 G. Zhang, J. Näppi, A. Ovtchinnikov, H. Asonen, and M. Pessa, J. Appl. Phys. 72, 3788 (1992).
25. O. P. Kowalski et al., Appl. Phys, Lett. 72, 581 (1998).
26. A. S. Helmy et al., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 661 (1998).
27. L. H. Li, Z. Pan, Y. Q. Xu, V. Du, Y. W. Lin, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 78, 2488 (2001).
28. J. H. Teng et al., J. Appl. Phys. 92, 4330 (2002).
29. M. C. Y. Chan, C. Surya, and P. K. Wai, J. Appl. Phys. 90, 197 (2001); Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 17 (2001).
30. M. C. Y. Chan, C. Surya, and P. K. Wai, J. Appl. Phys. 90, 197 (2001); Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 17 (2001).
31. Y. H. Cho, G. H. Gainer, J. B. Lam, J. J. Song, W. Yang, and W. Jhe, Phys. Rev. B 61, 7203 (2000).
32. L. Grenouillet, C. Bru-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Duvaut, C. Vannuffel, A. Million, and A. Chenevas-Paule, Appl. Phys. Lett. 76, 2241 (2000).
33. A. Kaschner, T. Lüttgert, H. Born, A. Hoffmann, A. Yu. Egorov, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 78, 1391 (2001).
34. M.-A. Pinault and E. Tournié, Appl. Phys. Lett. 78, 1562 (2001).
35. G. Bacher, C. Hartmann, H. Schweizer, T. Held, G. Mahler, and H. Nickel, Phys. Rev. B 47, 9545 (1993).