Room temperature plasma oxidation mechanism to obtain ultrathin silicon oxide and titanium oxide layers

Microelectronics Reliability

Volumn 43, Issue 6, 2003, Pages 895-903

  Tinoco, J C ^a   Estrada, M ^a   Romero, G ^a  

^a DEPARTAMENTO DE FÍSICA   (Mexico)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC FILMS; MOS DEVICES; OXIDATION; PLASMA APPLICATIONS; SILICA; TITANIUM OXIDES; ULTRATHIN FILMS;

PLASMA OXIDATION;

MICROELECTRONICS;

EID: 0038527305     PISSN: 00262714     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0026-2714(03)00098-2     Document Type: Conference Paper

References (33)

1. Massoud H.Z., Plummer J.D., Irene E.A. J. Electrochem. Soc. 132(11):1985;2685.
2. Thanikasalam P., Whidden T.K., Ferry D.K. J. Vac. Sci. Technol. B. 14(4):1996;2840.
3. Depas M., Degraeve R., Nigram T., Groeseneken G., Heyns M. Jpn. J. Appl. Phys. 36(3B):1997;1602.
4. Matsumura M., Nishioka Y. Appl. Surf. Sci. 117:1997;136.
5. Momose H.S., Nakamura S.-I., Ohguro T., Yoshitomi T., Morifuji E., Morimoto T.et al. IEEE Trans. Electron Dev. 45(3):1998;691.
6. Lee J.S., Chang S.J., Sun S.C., Jang S.M., Yu M.C. J. Vac. Sci. Technol. A. 18(6):2000;2986.
7. Ma Y., Yasuda T., Lucovsky G. Appl. Phys. Lett. 64(17):1994;2226.
8. Yang H., Lucovsky G. IEDM Tech. Dig. 1999;245.
9. Sung K.T., Pang S.W. J. Vac. Sci. Technol. B. 10(5):1992;2211.
10. Liu Y.C., Lo L.T., Bai Y.B., Li T.J., Furakawa K., Gao D.W.et al. J. Appl. Phys. 85(3):1999;1911.
11. Choi Y.W., Ahn B.T. J. Appl. Phys. 86(7):1999;4004.
12. Kawai Y., Konishi N., Watanabe J., Ohmi T. Appl. Phys. Lett. 64(17):1994;2223.
13. Sekine K., Saito Y., Hirayama M., Ohmi T. IEEE Trans. Electron Dev. 48(8):2001;1550.
14. Iwai H., Ohmi S.-I. Microelectron Reliab. 42(4):2002;465.
15. Lo S.-H., Buchanan D.A., Taury Y., Wang W. IEEE Electron Dev. Lett. 18(5):1997;209.
16. Lee B.H., Kang L., Qi W.-J., Nich R., Jeon Y., Onishi K.et al. IEEE IEDM Tech. Dig. 1999;133.
17. Kang L., Onishi K., Jeon Y., Lee B.H., Kang C., Qi W.-J.et al. IEEE IEDM Tech. Dig. 2000;35.
18. Ma Y., Ono Y., Stecker L., Evans D.R., Hsu S.T. IEEE IEDM Tech. Dig. 1999;149.
19. Qi W.-J., Nieh R., Lee B.H., Kang L., Jeon Y., Onishi K.et al. IEEE IEDM Tech. Dig. 1999;145.
20. Chin A., Liao C.C., Lu C.H., Chen W.J., Tsai C. IEEE Symp. VLSI Tech. Dig. 1999;135.
21. Zhang J.-Y., Lim B., Boyd I.W., Dusastre V. Appl. Phys. Lett. 73(16):1998;2299.
22. Luan H.F., Lee S.J., Lee C.H., Song S.C., Mao Y.L., Senzaki Y.et al. IEEE IEDM Tech. Dig. 1999;141.
23. Kim H.-S., Gilmer D.C., Campbell S.A., Polla D.L. Appl. Phys. Lett. 69(25):1996;3860.
24. Guo X., Wang X., Luo Z., Ma T.P., Tamagawa T. IEEE IEDM Tech. Dig. 1999;137.
25. Hobbs C., Hedge R., Maiti B., Tseng H., Gilmer D., Tobin P.et al. VLSI Symp. Tech. Dig. 1999;133.
26. Deal B.E., Grove A.S. J. Appl. Phys. 36(12):1965;3770.
27. Lieberman M.A. IEEE Trans. Plasma Sci. 17:1989;338.
28. Ligenza J.R., Kuhn M. Solid State Technol. 13:1970;33.
29. Tinoco JC, Estrada M. Microelectronics technology and devices SBMicro2002. In: Proceedings of the Seventeenth International Symposium, vol. 2002-8. The Electrochemical Society; 2002. p. 302.
30. Depas M., Vermiere B., Mertens P.W., Van Meirhaeghe R.L., Heyns M.M. Solid State Electron. 38(8):1995;1465.
31. Vogel E.M., Ahmed K.Z., Hornung B., Henson W.K., McLarty P.K., Lucovsky G.et al. IEEE Trans. Electron Dev. 45(6):1998;1350.
32. Robertson J. Appl. Surf. Sci. 190:2002;2.
33. Lin C.-H., Hsu B.-C., Lee M.H., Liu C.W. IEEE Trans. Electron Dev. 48(9):2001;2125.