Effect of high-energy proton irradiation on DC characteristics and current collapse in MgO and Sc2O3 passivated AlGaN/GaN HEMTs

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 6, Issue 3, 2003, Pages

  Luo, B ^a   Kim, Jihyun ^a   Ren, F ^a   Baca, A G ^b   Briggs, R D ^b   Gila, B P ^b   Onstine, A H ^a   Allums, K K ^a   Abernathy, C R ^a   Pearton, S J ^a   Dwivedi, R ^c   Fogarty, T N ^c   Wilkins, R ^c  

^a University of Florida   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^c PRAIRIE VIEW A AND M UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC BREAKDOWN; MAGNESIA; PASSIVATION; PROTON IRRADIATION; SCANDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; TRANSCONDUCTANCE;

DIRECT CURRENT (DC);

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 0037341555     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1540791     Document Type: Article

References (19)

1. J. Gillespie, R. C. Fitch, J. Sewell, R. Dettmer, G. Via, A, Crespo, T. Jenkins, B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, IEEE Electron Device Lett., 23, 505 (2000).
2. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca. R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett., 80, 1661 (2001).
3. B. Luo, J. W. Johnson, B. P. Gila, C. R. Abernathy, F. Ren, S. J. Pearton, A. G. Baca, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, and P. P. Chow, Solid-State Electron., 46, 467 (2002).
4. B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Fitch, J. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, G. Via, A. Crespo, and Y. Irokawa, J. Electrochem. Soc., 149, G613 (2002).
5. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett., 21, 268 (2000).
6. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 465 (2001).
7. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 479 (2001).
8. 8. W. Lu, V. Kumar, R. Schwindt, E. Piner, and I. Adesida, Solid-State Electron., 46, 1441 (2002).
9. J.-S. Lee, A. Vescan, A. Wieszt, R. Dietrich, H. Leier, and Y.-S. Kwon, Electron. Lett., 37, 130 (2001).
10. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 560 (2001).
11. T. G. G. Maffeis, M. C. Simmonds, S. A. Clark, F. Peiro, P. Haines, and P. J. Parbrook, J. Phys. D, 33, L115 (2000).
12. W. S. Tan, P. A. Houston, P. J. Parbrook, G. Hill, and R. J. Airey, J. Phys. D, 35, 595 (2002).
13. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 79, 2832 (2001).
14. S. J. Cai, Y. S. Tang, R. Li, Y. Y. Wei, L. Wong, Y. L. Chen, K. L. Wang, M. Chen, R. D. Schrimpf, J. C. Keay, and K. F. Galloway, IEEE Trans. Electron Devices, 47, 304 (2000).
15. B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Dwivedi, T. N. Fogarty, R. Wilkins, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett., 79, 2196 (2001).
16. B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Dwivedi, T. N. Fogarty, R. Wilkins, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, and A. G. Baca, J. Electron. Mater., 31, 437 (2002).
17. S. A. Vituserich, N. Klein, A. E. Belyaev, S. V. Danylyuk, M. V. Petrycherch, R. V. Kmokova, A. M. Kurakin, A. E. Rengovich, V. Tilak, J. Smart, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 719, F5.4.1 (2002).
18. B. P. Gila, J. W. Johnson, R. Mehandru, B. Luo, A. H. Onstine, K. K. Allums, V. Krishnamoorthy, S. Bates, C. R. Abernathy, F. Ren, and S. J. Pearton, Phys. Status Solidi A, 228, 171 (2001).
19. J. Kim, B. P. Gila, R. Mehandru, B. Luo, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, F. Ren, K. K. Allums, R. Dwivedi, T. N. Fogarty, R. Wilkins, Y. Irokawa, and S. J. Pearton, Electrochem. Solid-State Lett., 5. G57 (2002).