Preparation of Pb(Zr,Ti)O3 thin films by metalorganic chemical vapor deposition for low voltage ferroelectric memory

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 3, 2003, Pages 1713-1717

  Gilbert, S R ^a   Hunter, S ^a   Ritchey, D ^a   Chi, C ^a   Taylor, D V ^a   Amano, J ^a   Aggarwal, S ^b   Moise, T S ^b   Sakoda, T ^b   Summerfelt, S R ^b   Singh, K K ^c   Kazemi, C ^c   Carl, D ^c   Bierman, B ^c  

^a AGILENT LABORATORIES   (United States)

^b TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

^c APPLIED MATERIALS INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; ELECTRIC POTENTIAL; FERROELECTRIC DEVICES; LEAD COMPOUNDS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SURFACE ROUGHNESS;

FERROELECTRIC MEMORY;

THIN FILMS;

EID: 0037323153     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1534380     Document Type: Article

References (34)

1. T. S. Moise, S. R. Summerfelt, G. Xing, L. Colombo, T. Sakoda, S. R. Gilbert, A. Loke, S. Ma, R. Kavari, L. A. Wills, T. Hsu, J. Amano, S. T. Johnston, D. J. Vestyck, M. W. Russell, and S. M. Bilodeau, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1999, 940; S. R. Summerfelt, T. S. Moise, G. Xing, L. Colombo, T. Sakoda, S. R. Gilbert, A. L. S. Loke, S. Ma, L. A. Wills, R. Kavari, J. Amano, S. T. Johnston, D. J. Vestyck, M. W. Russell, S. M. Bilodeau, and P. C. Van Buskirk, Appl. Phys. Lett. 79, 4004 (2001).
2. T. S. Moise, S. R. Summerfelt, G. Xing, L. Colombo, T. Sakoda, S. R. Gilbert, A. Loke, S. Ma, R. Kavari, L. A. Wills, T. Hsu, J. Amano, S. T. Johnston, D. J. Vestyck, M. W. Russell, and S. M. Bilodeau, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1999, 940; S. R. Summerfelt, T. S. Moise, G. Xing, L. Colombo, T. Sakoda, S. R. Gilbert, A. L. S. Loke, S. Ma, L. A. Wills, R. Kavari, J. Amano, S. T. Johnston, D. J. Vestyck, M. W. Russell, S. M. Bilodeau, and P. C. Van Buskirk, Appl. Phys. Lett. 79, 4004 (2001).
3. H. Kanaya, Y. Kumura, Y. Taniguchi, T. Ozaki, K. Yamakawa, and I. Kunishima, Integr. Ferroelectr. 39, 41 (2001).
4. International Technology Roadmap for Semiconductors: 2001 (Semiconductor Industry Association, San Jose, CA, 2001).
5. T. Ozaki, J. Iba, Y. Yamada, H. Kanaya, T. Morimoto, O. Hidaka, A. Taniguchi, Y. Kumura, K. Yamakawa, Y. Oowaki, and I. Kunishima, 2001 Symposium on VLSI Tech. Dig. Tech. Papers, June 12-14, 2001, Kyoto, Japan, p. 113.
6. B. G. Jeon, J. K. Choi, Y. Song, S. K. Oh, Y. Chung, K. D. Suh, and K. Kim, IEEE J. Solid-State Circuits 35, 1690 (2000); M. K. Choi, B. G. Jeon, N. Jang, B. J. Min, Y. J. Song, S. Y. Lee, H. H. Kim, D. J. Jung, H. J. Joo, and K. Kim, 2002 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, February 3-7, 2002, San Francisco, CA, p. 162; K. Kim, 1st International Meeting on FeRAM, November 19-21, 2001, Gotemba, Japan, p. 11.
7. B. G. Jeon, J. K. Choi, Y. Song, S. K. Oh, Y. Chung, K. D. Suh, and K. Kim, IEEE J. Solid-State Circuits 35, 1690 (2000); M. K. Choi, B. G. Jeon, N. Jang, B. J. Min, Y. J. Song, S. Y. Lee, H. H. Kim, D. J. Jung, H. J. Joo, and K. Kim, 2002 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, February 3-7, 2002, San Francisco, CA, p. 162; K. Kim, 1st International Meeting on FeRAM, November 19-21, 2001, Gotemba, Japan, p. 11.
8. B. G. Jeon, J. K. Choi, Y. Song, S. K. Oh, Y. Chung, K. D. Suh, and K. Kim, IEEE J. Solid-State Circuits 35, 1690 (2000); M. K. Choi, B. G. Jeon, N. Jang, B. J. Min, Y. J. Song, S. Y. Lee, H. H. Kim, D. J. Jung, H. J. Joo, and K. Kim, 2002 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, February 3-7, 2002, San Francisco, CA, p. 162; K. Kim, 1st International Meeting on FeRAM, November 19-21, 2001, Gotemba, Japan, p. 11.
9. P. K. Larsen, G. J. M. Dormans, D. J. Taylor, and P. J. van Veldhoven, J. Appl. Phys. 76, 2405 (1994).
10. G. H. Haertling, Integr. Ferroelectr. 14, 219 (1997).
11. J. F. M. Cillessen, M. W. J. Prins, and R. M. Wolf, J. Appl. Phys. 81, 2777 (1997).
12. D. J. Wouters, G. J. Norga, and H. E. Maes, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 541, 381 (1999).
13. H. Fujisawa, S. Nakashima, K. Kaibara, M. Shimizu, and H, Niu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5392 (1999).
14. S. Horii, S. Yokoyama, T. Kuniya, and S. Horita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2114 (2000).
15. F. Chu, G. Fox, and T. Davenport, Integr. Ferroelectr. 36, 43 (2001).
16. C. H. Lin, P. A. Friddle, C. H. Ma, A. Daga, and H. Chen, J. Appl. Phys. 90, 1509 (2001).
17. H. R. Kim, S. Jeong, C. B. Jeon, O. S. Kwon, C. S. Hwang, Y. K. Han, D. Y. Yang, and K. Y. Oh, J. Mater. Res. 16, 3583 (2001).
18. K. Tokita, M. Aratani, T. Ozeki, and H. Funakubo, Key Eng. Mater. 216, 83 (2002).
19. A. K. Tagantsev, C. Z. Pawlaczyk, K. Brooks, L. Landivar, E. Colla, and N. Setter, Integr. Ferroelectr. 6, 309 (1995).
20. I. Stolichnov, A. Tagantsev, E. Colla, S. Gentil, S. Hiboux, J. Baborowski, P. Muralt, and N. Setter, J. Appl. Phys. 88, 2154 (2000); A. Tagantsev and I. Stolichnov, Appl. Phys. Lett. 74, 1326 (1999).
21. I. Stolichnov, A. Tagantsev, E. Colla, S. Gentil, S. Hiboux, J. Baborowski, P. Muralt, and N. Setter, J. Appl. Phys. 88, 2154 (2000); A. Tagantsev and I. Stolichnov, Appl. Phys. Lett. 74, 1326 (1999).
22. S. M. Bilodeau, S. T. Johnston, M. W. Russell, D. J. Vestyck, and P. C. Van Buskirk, Integr. Ferroelectr. 26, 119 (1999).
23. T. Tybell, C. H. Ahn, and J. M. Triscone, Appl. Phys. Lett. 75, 856 (1999).
24. Ph. Ghosez and K. M. Rabe, Appl. Phys. Lett. 76, 2767 (2000).
25. A. G. Zembilgotov, N. A. Pertsev, H. Kohlstedt, and R. Waser, J. Appl. Phys. 91, 2247 (2002).
26. G. J. M. Dormans, P. J. van Veldhoven, and M. de Keijser, J. Cryst. Growth 123, 537 (1992); M. de Keijser, P. J. van Veldhoven, and G. J. M. Dormans, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 310, 223 (1993).
27. G. J. M. Dormans, P. J. van Veldhoven, and M. de Keijser, J. Cryst. Growth 123, 537 (1992); M. de Keijser, P. J. van Veldhoven, and G. J. M. Dormans, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 310, 223 (1993).
28. P. C. van Buskirk, J. F. Roeder, T. H. Baum, S. M. Bilodeau, M. W. Russell, S. T. Johnston, R. J. Carl, D. J. Desrochers, B. C. Hendrix, andF. Hintermaier, Integr. Ferroelectr. 21, 273 (1998); J. F. Roeder, T. H. Baum, S. M. Bilodeau, G. T. Stauf, C. Ragaglia, M. W. Russell, and P. C. Van Buskirk, Adv. Mater. Opt. Electron. 10, 145 (2000).
29. P. C. van Buskirk, J. F. Roeder, T. H. Baum, S. M. Bilodeau, M. W. Russell, S. T. Johnston, R. J. Carl, D. J. Desrochers, B. C. Hendrix, andF. Hintermaier, Integr. Ferroelectr. 21, 273 (1998); J. F. Roeder, T. H. Baum, S. M. Bilodeau, G. T. Stauf, C. Ragaglia, M. W. Russell, and P. C. Van Buskirk, Adv. Mater. Opt. Electron. 10, 145 (2000).
30. M. Aratani, K. Nagashima, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 4126 (2001).
31. M. V. Ramana Murty, S. K. Streiffer, G. B. Stephenson, J. A. Eastman, G. R. Bai, A. Munkholm, and O. Auciello, Appl. Phys. Lett. 80, 1809 (2002).
32. H. Fujisawa, K. Morimoto, M. Shimizu, H. Niu, K. Honda, and S. Ohtani, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 5446 (2000).
33. J. Zhu, X. Zhang, Y. Zhu, and S. B. Desu, J. Appl. Phys. 83, 1610 (1998); S. Narayan, V. Joshi, L. McMillan, and C. Paz de Araujo, Integr. Ferroelectr. 25, 169 (1999).
34. J. Zhu, X. Zhang, Y. Zhu, and S. B. Desu, J. Appl. Phys. 83, 1610 (1998); S. Narayan, V. Joshi, L. McMillan, and C. Paz de Araujo, Integr. Ferroelectr. 25, 169 (1999).