Elimination of nonuniformities in thick GaN films using metalorganic chemical vapor deposited GaN templates

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 12, 2001, Pages 6011-6016

  Valcheva, E ^a,b   Paskova, T ^a,b   Abrashev, M V ^b   Paskov, P P ^a   Persson, P O A ^a   Goldys, E M ^c   Beccard, R ^d   Heuken, M ^d   Monemar, B ^a  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

^b UNIVERSITY OF SOFIA   (Bulgaria)

^c MACQUARIE UNIVERSITY   (Australia)

^d AIXTRON AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035894553     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1415363     Document Type: Article

References (30)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995).
2. L. T. Romano, R. J. Molnar, B. S. Krusor, G. A. Anderson, D. P. Bour, and P. Maki, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423, 245 (1996);
3. L. T. Romano, B. S. Krusor, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 71, 2283 (1997).
4. W. Götz, J. Walker, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 525 (1997).
5. D. Look and R. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997).
6. H. Siegle, A. Hoffmann, L. Eckey, C. Thomsen, J. Christen, F. Bertram, D. Schmidt, D. Rudloff, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 71, 2490 (1997).
7. E. M. Goldys, T. Paskova, I. G. Ivanov, B. Arnaudov, and B. Monemar, Appl. Phys. Lett. 73, 3583 (1998);
8. T. Paskova, E. M. Goldys, R. Yakimova, E. B. Svedberg, A. Henry, and B. Monemar, J. Cryst. Growth 208, 18 (2000).
9. I. Akasaki, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 3 (1998).
10. P. R. Tavernier, E. V. Etzkorn, Y. Wang, and D. R. Clarke, Appl. Phys. Lett. 77, 1804 (2000).
11. R. J. Molnar, W. Götz, L. T. Romano, and N. M. Johnson, J. Cryst. Growth 178, 147 (1997).
12. B. Heying, I. Smorchkova, C. Poblenz, C. Elsass, P. Fini, S. DenBaars, U. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 77, 2885 (2000).
13. J. S. Speck et al., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 639, G7.4 (2001).
14. T. Paskova et al., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W3.14 (2000).
15. T. Paskova, E. Valcheva, J. Birch, S. Tungasmita, P. O. Å Persson, R. Beccard, M. Heuken, and B. Monemar, J. Appl. Phys. 88, 5729 (2000).
16. In-H. Lee, In-H. Choi, C.-R. Lee, E.-J. Shin, D. Kim, S. K. Noh, S.-J. Son, K. Y. Lim, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 83, 5787 (1998).
17. S. Ruvimov et al., Appl. Phys. Lett. 69, 990 (1996).
18. L. T. Romano, C. G. Van de Walle, J. W. Ager III, W. Götz, and R. S. Kern, J. Appl. Phys. 87, 7745 (2000).
19. B. Arnaudov, T. Paskova, E. M. Goldys, R. Yakimova, S. Evtimova, I. G. Ivanov, A. Henry, and B. Monemar, J. Appl. Phys. 85, 7888 (1999).
20. H. Harima, H. Sanashita, and S. Nakashima, Mater. Sci. Forum 264-268, 1369 (1998).
21. H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filippidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).
22. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, Y. Taga, M. Hashimoto, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 75, 1098 (1994).
23. F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, C. Mery, O. Briot, and L. Aulombard, J. Appl. Phys. 82, 1305 (1997).
24. J. W. Hsu, D. V. Lang, S. Richter, R. N. Kleiman, A. M. Sergent, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 2873 (2000).
25. C. Kisielowski et al., Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
26. K. Kornitzer et al., Phys. Rev. B 60, 1471 (1999).
27. D. Kapolnek, X. H. Wu, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 67, 1541 (1995).
28. B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).
29. S. Hearne, E. Chason, J. A. Floro, J. Figiel, J. Hunter, H. Amano, and I. S. T. Tsong, Appl. Phys. Lett. 74, 356 (1999).
30. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).