Crystalline zirconia oxide on silicon as alternative gate dielectrics

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 11, 2001, Pages 1604-1606

  Wang, S J ^a   Ong, C K ^a   Xu, S Y ^a   Chen, P ^a   Tjiu, W C ^b   Chai, J W ^b   Huan, A C H ^b   Yoo, W J ^a   Lim, J S ^a   Feng, W ^a   Choi, W K ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035848090     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1354161     Document Type: Article

References (27)

1. D. A. Buchanan and S. H. Lo, Microelectron. Eng. 36, 13 (1997).
2. C. M. Hu, D. G. Park, and Y. C. King, Semicond. Int. 21, 215 (1998).
3. M. Ritala, K. Kukli, A. Antii, P. Raisanen, M. Leskela, T. Sajavaara, and J. Keinonen, Science 288, 319 (2000).
4. M. Schulz, Nature (London) 399, 729 (1999).
5. P. A. Packan, Science 285, 2079 (1999).
6. P. K. Roy and I. C. Kizilyalli, Appl. Phys. Lett. 72, 2835 (1998).
7. G. B. Alers, D. J. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and R. S. Urdahi, Appl. Phys. Lett. 73, 1517 (1998).
8. C. Chaneliere, J. L. Autran, R. A. B. Devine, and B. Balland, Mater. Sci. Eng., R. 22, 269 (1998).
9. S. A. Campbell, H. S. Kim, D. C. Gilmer, B. He, T. Ma, and W. L. Gladfelter, IBM J. Res. Dev. 43, 383 (1999).
10. S. C. Choi, M. H. Cho, S. W. Whangho, C. N. Whang, S. B. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 71, 903 (1997).
11. M. Copel, M. Gribelyyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000).
12. M. Houssa, V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 77, 1885 (2000).
13. T. Ngai, W. J. Qi, R. Sharma, J. Fretwell, X. Chen, J. C. Lee, and S. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 76, 502 (2000).
14. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 76, 112 (2000).
15. K. Eisenbeiser, J. M. Finder, Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. A. Hallmark, R. Droopad, W. J. Ooms, L. Salem, S. Bradshaw, and C. D. Overgaard, Appl. Phys. Lett. 76, 1324 (2000).
16. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm. Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998); U.S. Patent No. 6,023,082 (filed 2000).
17. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm. Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998); U.S. Patent No. 6,023,082 (filed 2000).
18. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
19. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000).
20. P. Chen, S. Y. Xu, W. Z. Zhou, C. K. Ong, and D. F. Cui, J. Appl. Phys. 85, 3000 (1999).
21. S. J. Wang, C. K. Ong, L. P. You, and S. Y. Xu, Semicond. Sci. Technol. 15, 836 (2000).
22. J. Seiple and J. P. Pelz, Phys. Rev. Lett. 73, 999 (1994).
23. F. M. Ross, J. M. Gibson, and R. D. Twesten, Surf. Sci. 310, 243 (1994).
24. A. Feltz, U. Memmert, and R. J. Behm, Surf. Sci. 314, 34 (1994).
25. Thermochemical Properties of Inorganic Substances, 2nd ed., edited by O. Knacke, O. Kubaschewski, and K. Hesselmann (Springer, Berlin, 1991).
26. G. W. Rubloff, K. Hofmann, M. Lier, and D. R. Young, Phys. Rev. Lett. 58, 2379 (1987).
27. L. M. Terman, Solid-State Electron. 5, 285 (1962).