Development of Dielectric Properties of Niobium Oxide, Tantalum Oxide, and Aluminum Oxide Based Nanolayered Materials

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 148, Issue 2, 2001, Pages

  Kukli, Kaupo ^a,b   Ritala, Mikko ^a   Leskelä, Markku ^a  

^a UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^b UNIVERSITY OF TARTU   (Estonia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0002058460     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1343106     Document Type: Article

References (50)

1. M. Copel, M. Gribelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett., 76, 426 (2000).
2. A. P. Lane, A. Chen, N. P. Chandler, D. W. Freeman, and B. S. Page, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 250, 331 (1992).
3. H. Treichel, A. Mitwalsky, G. Tempel. G. Zorn, D. A. Bohling, K. R. Coyle, B. S. Felker, M. George, W. Kern, A. P. Lane, and N. P. Sandler, Adv. Mater. Opt. Electron., 5, 163 (1995)
4. G. Lucovsky, Y. Wu, H. Niimi, V. Misra, and J. C. Phillips. Appl. Phys. Lett., 74, 2005 (1999).
5. H. R. Brunner, F. P. Emmenegger, M. L. A. Robinson, and H. Rötschi. J. Electrochem. Soc. 115, 1287 (1986).
6. Y. Ma, Y. Ono, and S. T. Hsu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 567, 355 (1999)
7. S. J. Yun, K. -H. Lee, J. Skarp. H.-R. Kim, and K.-S. Nam, J. Voc. Sci. Technol. A. 15, 2993 (1997).
8. E. P. Gusev, M. Gopel, E. Cartier, I. J. R. Bauinvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett., 76, 176 (2000).
9. F. P. Emmenegger and M. L. A. Robinson, J. Phys. Chem. Solids, 29, 1673 (1968).
10. E. H. Greener, D, H. Whitmore, and M. E. Fine. J. Chem. Phys., 34, 1017 (1961).
11. R. J. Cava, B. Batlogg, J. J. Krajewski, H. F. Poulsen, P. Gammel, W. F. Peck, Jr., and L. W. Rupp, Jr., Phys. Rev. B, 44, 6973 (1991).
12. M. L. A. Robinson and H. Roetschi. J. Phys. Chem. Solids, 29, 1503 ( 1968).
13. V. E. Henrich, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 567, 435 (1999).
14. Yu. P. Kostikov, D. V. Kostikov, D. V. Kostrov, G. F. Tomilenko, and S. D. Khanin, Sov. Phys. Tech. Phys., 28, 1340 (1983).
15. P. J. Harrop and D. S. Camphell, in Handbook of Thin Film Technology. L. I. Maissel and R. Gilang, Editors, Chap. 16, McGraw-Hill. Inc., New York (1970).
16. D. Husted, L. Gruss, and T. Mackus, J. Electrochem. Soc. 118, 1989 (1971).
17. V. H. Henrich and P. A. Cox, Appl. Surf. Sci., 72, 277 (1993).
18. L. F. Schneemeyer, R. B. van Dover, and R. M. Fleming. Appl. Phys. Lett., 75, 1967 (1999).
19. H. Fujikawa, K. Noda, S. Tokito, and Y. Taga, Appl. Phys. Lett., 70, 270 (1997).
20. L.-A. Ragnarsson, E. Aderstedt, and P. Lundgren, Muter. Res. Soc. Symp. Proc., 567, 451 (1999).
21. R. B. van Dover, Appl. Phys. Lett., 74, 3041 (1999).
22. C. Chaneliere, J. L. Autran, and R. A. B. Devine, J. Appl. Phys., 86, 480 (1999).
23. H. Zhang, R. Solunki, B. Roberds, G. Bai, and L. Banerjee. J. Appl. Phys., 87, 1921 (2000).
24. K. Kukli, J. Ihanus, M. Ritala, and M. Leskelä, Appl. Phys. Lett., 68, 3737 (1996).
25. K. Kukli, J. Ihanus, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc., 144, 300 (1997).
26. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, Nanostruct. Mater., 8, 785 (1997).
27. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Appl. Phys., 86, 5656 (1999).
28. M. Ritala, K. Kukli, A. Rahtu, P. I. Räisänen, M. Leskelä, T. Sajavaara, and J. Keinonen, Science, 288, 319 (2000)
29. M. Ritala and M. Leskelä, Nanotechnology, 10, 19 (1999).
30. R. J. Cava, W. F. Peck, Jr., J. J. Krajewski, and G. L. Roberts, Mater. Res. Bull., 31, 295 (1996).
31. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskela, J. Electrochem. Soc., 142, 1670 (1995).
32. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, and R. Lappalaimen, Chem. Vap. Depossition, 4, 29 (1998).
33. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, and J. Jokinen, J. Jakinen, J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 2214 (1997).
34. M. Ylilamni and T. Ranta-aho, Thin Solid Films, 232, 56 (1993).
35. H. Siimon and J. Aarik, J. Aarik, J. Phys. D, 30, 1725 (1997).
36. Joint Committee of Powder Diffraction Standards, Card 27-1003.
37. N. Terao, Jpn. J. Appl. Phys., 6, 21 (1967).
38. C. L. Standley and L. I. Maissel, J. Appl. Phys. 35, 1530 (1964).
39. Y. Park, V. Choong, Y. Gao, B. R. Hsich, and C. W. Tang. Appl. Phys. Lett., 68, 2699 (1996).
40. R. D. Shannon, J. Appl. Phys., 73, 348 (1993).
41. K. Natori, D. Otani, and N. Sano, Appl. Phys. Lett., 73, 632 (1998).
42. A. Feldman, E. N. Farabaugh, W. K. Haller, D. M. Sanders, and R. A. Slempniak, J. Vac. Sci Technol. A, 4, 2969 (1986).
43. W. T. Doyle, J. Appl. Phys., 85, 2323 (1999).
44. A. Pignolet, G. M. Rao, and S. B. Krupanidhi, Thin Solid Films, 261, 18 (1995).
45. M.-C. Chen. J. Electrochem. Soc., 119, 887 (1972).
46. N. Fuschillo, B. Lalevic, and N. K. Annamalai, Thin Solid Films, 30, 145 (1975).
47. N. Hara, E. Takahashi, J. H. Yoon, and K. Sugimoto, J. Electrochem. Soc., 141, 1669 (1994).
48. R. M. Hill, in Physics of Nonmetalllic Thin Films, C. H. S. Dupuy and A. Cachard, Editors, p. 189, Plenum Press, New York (1976).
49. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, Chem. Mater., 12, 1914 (2000).
50. J. M. Mohaidat and R. N. Ahmad-Bitar, Appl. Phys. Lett., 72, 2256 (1998).