The influence of post-etch InGaAs fin profile on electrical performance

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 53, Issue 4 SPEC. ISSUE, 2014, Pages

  Ivanov, Tsvetan ^a,b   Pourghaderi, Mohammad Ali ^a   Lin, Dennis ^a   Yu, Jen Kan ^c   Tan, Samantha ^c   Kimura, Yoshie ^c   Hellin, David ^d   Geypen, Jeffrey ^a   Bender, Hugo ^a   Vertommen, Johan ^d   Kamarthy, Gowri ^c   Collaert, Nadine ^a   Marks, Jef ^c   Vahedi, Vahid ^c   Arghavani, Reza ^c   Thean, Aaron ^a  

^a IMEC   (Belgium)

^b UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

^c LAM RESEARCH CORPORATION   (United States)

^d LAM RESEARCH CORPORATION   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRONIC PROPERTIES; SEMICONDUCTING INDIUM;

ELECTRICAL PERFORMANCE; FIN WIDTHS; HIGH-VOLUME MANUFACTURING; NMOSFETS; STRUCTURAL MODIFICATIONS; SURFACE STOICHIOMETRY; TRI-GATE TRANSISTORS;

FINS (HEAT EXCHANGE);

EID: 84903266578     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.53.04EC20     Document Type: Conference Paper

References (30)

1. M. Heyns and W. Tsai, MRS Bull. 34, 485 (2009).
2. M. Caymax, C. Merckling, G. Wang, T. Orzali, W. Guo, W. Vandervorst, J. Dekoster, N. Waldron, and A. Thean, Indium Phosphide and Related Materials, 2012, p. 159.
3. Y. Q. Wu, R. S. Wang, T. Shen, J. J. Gu, and P. D. Ye, IEDM Tech. Dig., 2009, 13.4.
4. M. Radosavljevic, G. Dewey, J. M. Fastenau, J. Kavalieros, R. Kotlyar, B. Chu-Kung, W. K. Liu, D. Lubyshev, M. Metz, K. Millard, N. Mukherjee, L. Pan, R. Pillarisetty, W. Rachmady, U. Shah, and R. Chau, IEDM Tech. Dig., 2010, 6.1.1.
5. M. Radosavljevic, B. Chu-Kung, S. Corcoran, G. Dewey, M. K. Hudait, J. M. Fastenau, J. Kavalieros, W. K. Liu, D. Lubyshev, M. Metz, K. Millard, N. Mukherjee, W. Rachmady, U. Shah, and R. Chau, IEDM, Tech. Dig., 2009, p. 319.
6. J. Huang, N. Goel, H. Zhao, C. Y. Kang, K. S. Min, G. Bersuker, S. Oktyabrsky, C. K. Gaspe, M. B. Santos, P. Majhi, P. D. Kirsch, H.-H. Tseng, J. C. Lee, and R. Jammy, IEDM Tech. Dig., 2009, p. 335.
7. R. Chau, B. Doyle, J. Kavalieros, D. Barlage, A. Murthy, M. Doczy, R. Arghavani, and S. Datta, Ext. Abstr. Solid State and Device Materials, 2002, p. 68.
8. B. Doyle, B. Boyanov, S. Datta, M. Doczy, S. Hareland, B. Jin, J. Kavalieros, T. Linton, R. Rios, and R. Chau, VLSI Tech. Dig., 2003, p. 133.
9. D. Hisamoto, W.-C. Lee, J. Kedzierski, H. Takeuchi, K. Asano, C. Kuo, E. Anderson, T.-J. King, J. Bokor, and C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices 47, 2320 (2000).
10. H.-S. P. Wong, IBM J. Res. Dev. 46, 133 (2002).
11. B. S. Doyle, S. Datta, M. Doczy, S. Hareland, B. Jin, J. Kavalieros, T. Linton, A. Murthy, R. Rios, and R. Chau, IEEE Electron Device Lett. 24, 263 (2003).
12. A. Veloso, L. Witters, M. Demand, I. Ferain, N. J. Son, B. Kaczer, P. J. Roussel, C. Adelmann, S. Brus, O. Richard, H. Bender, T. Conard, R. Vos, R. Rooyackers, S. Van Elshocht, N. Collaert, K. De Meyer, S. Biesemans, and M. Jurczak, IEDM Tech. Dig., 2008, p. 119.
13. M. Guillorn, J. Chang, A. Bryant, N. Fuller, O. Dokumaci, X. Wang, J. Newbury, K. Babich, J. Ott, B. Haran, R. Yu, C. Lavoie, D. Klaus, Y. Zhang, E. Sikorski, W. Graham, B. To, M. Lofaro, J. Tornello, D. Koli, B. Yang, A. Pyzyna, D. Neumeyer, M. Khater, A. Yagishita, H. Kawasaki, and W. Haensch, VLSI Tech. Dig., 2008, p. 12.
14. M. Radosavljevic, G. Dewey, D. Basu, J. Boardman, B. Chu-Kung, J. M. Fastenau, S. Kabehie, J. Kavalieros, V. Le, W. K. Liu, D. Lubyshev, M. Metz, K. Millard, N. Mukherjee, L. Pan, R. Pillarisetty, W. Rachmady, U. Shah, H. W. Then, and R. Chau, IEDM Tech. Dig., 2011, 33.1.1.
15. Y. Hu, S. Li, G. Jiao, Y. Q. Wu, D. Huang, P. D. Ye, and M.-F. Li, IEEE Trans. Nanotechnol. 12, 806 (2013).
16. E. A. Fitzgerald and N. Chand, Electron. Mater. 20, 839 (1991).
17. N. Waldron, G. Wang, N. D. Nguyen, T. Orzali, C. Merckling, G. Brammertz, P. Ong, G. Winderickx, G. Hellings, G. Eneman, M. Caymax, M. Meuris, N. Horiguchi, and A. Thean, ECS Trans. 45 [4], 115 (2012).
18. R. Loo, G. Wang, T. Orzali, N. Waldron, C. Merckling, M. R. Leys, O. Richard, H. Bender, P. Eyben, W. Vandervorst, and M. Caymax, J. Electrochem. Soc. 159, H260 (2012).
19. N. Horiguchi, S. Demuynck, M. Ercken, S. Locorotondo, F. Lazzarino, E. Altamirano, C. Huffman, S. Brus, M. Demand, H. Struyf, J. De Backer, J. Hermans, C. Delvaux, T. Vandeweyer, C. Baerts, G. Mannaert, V. Truffert, J. Verluijs, W. Alaerts, H. Dekkers, P. Ong, N. Heylen, K. Kellens, H. Volders, A. Hikavyy, C. Vrancken, M. Rakowski, S. Verhaegen, G. Vandenberghe, G. Beyer, A. Lauwers, P. Absil, T. Hoffman, K. Ronse, and S. Biesemans, VLSI Symp., 2010, p. 23.
20. M. Ercken, E. Altamirano-Sanchez, C. Baerts, S. Brus, J. De Backer, C. Delvaux, M. Demand, N. Horiguchi, S. Locorotondo, T. Vandeweyer, A. Veloso, and S. Verhaegen, Microelectron. Eng. 87, 993 (2010).
21. V. Paraschiv, W. Boullart, and E. Altamirano-Sánchez, Microelectron. Eng. 105, 60 (2013).
22. D. Choi, D. G. Yang, P. Khanna, C. Maeng, O. Hu, H. Shen, A. Wei, and S. Kim, Proc. SPIE 8685, 86850D (2013).
23. V. M. Donnelly and A. Kornblit, J. Vac. Sci. Technol. A 31, 050825 (2013).
24. S. L. Rommel, J.-H. Jang, W. Lu, G. Cueva, L. Zhou, I. Adesida, G. Pajer, R. Whaley, A. Lepore, Z. Schellanbarger, and J. H. Abeles, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1327 (2002).
25. E. W. Berg and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 2643 (1997).
26. A. T. M. G. Sarwar, M. R. Siddiqui, M. M. Satter, and A. Haque, IEEE Trans. Electron Devices 59, 1653 (2012).
27. T. T. Chiang and W. E. Spicer, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 724 (1989).
28. A. Alian, G. Brammertz, R. Degraeve, M. Cho, C. Merckling, D. Lin, W.-E. Wang, M. Caymax, M. Meuris, K. de Meyer, and M. Heyns, IEEE Electron Device Lett. 33, 1544 (2012).
29. J. K. Bhardwaj and H. Ashraf, Proc. SPIE 2639, 224 (1995).
30. S. Agarwala, I. Adesida, C. Caneau, and R. Bhat, Indium Phosphide and Related Materials, 1994, p. 391.