SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Journal of Materials Chemistry C

Volumn 2, Issue 26, 2014, Pages 5229-5234

Fabrication of locally thinned down silicon nanowires

(5) Tran, Duy Phu a Wolfrum, Bernhard b Stockmann, Regina b Offenhäusser, Andreas b Thierry, Benjamin a

a UNIVERSITY OF SOUTH AUSTRALIA (Australia)

b FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPIC ETCHING; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; FABRICATION; NANOWIRES; SILICON;

ALTERNATIVE ROUTES; FABRICATION PROCESS; FIELD-EFFECT DEVICES; LATERAL DIMENSION; SILICON SURFACE MORPHOLOGY; TETRAMETHYL AMMONIUM HYDROXIDE; TOP-DOWN FABRICATION; ULTRATHIN SILICON;

SILICON WAFERS;

EID: 84902440811 PISSN: 20507534 EISSN: 20507526 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c4tc00046c Document Type: Article

Times cited : (13)

References (28)

1
- 79954522582
- K. Trivedi H. Yuk H. C. Floresca M. J. Kim W. Hu Nano Lett. 2011 11 1412 1417
- (2011) Nano Lett. , vol.11 , pp. 1412-1417
- Trivedi, K.¹ Yuk, H.² Floresca, H.C.³ Kim, M.J.⁴ Hu, W.⁵

2
- 0038161696
- Y. Cui Z. Zhong D. Wang W. U. Wang C. M. Lieber Nano Lett. 2003 3 149 152
- (2003) Nano Lett. , vol.3 , pp. 149-152
- Cui, Y.¹ Zhong, Z.² Wang, D.³ Wang, W.U.⁴ Lieber, C.M.⁵

3
- 58149311455
- J. Martinez R. V. Martínez R. Garcia Nano Lett. 2008 8 3636 3639
- (2008) Nano Lett. , vol.8 , pp. 3636-3639
- Martinez, J.¹ Martínez, R.V.² Garcia, R.³

4
- 33646271349
- N. Singh A. Agarwal L. K. Bera T. Y. Liow R. Yang S. C. Rustagi C. H. Tung R. Kumar G. Q. Lo N. Balasubramanian D. L. Kwong IEEE Electron Device Lett. 2006 27 383 386
- (2006) IEEE Electron Device Lett. , vol.27 , pp. 383-386
- Singh, N.¹ Agarwal, A.² Bera, L.K.³ Liow, T.Y.⁴ Yang, R.⁵ Rustagi, S.C.⁶ Tung, C.H.⁷ Kumar, R.⁸ Lo, G.Q.⁹ Balasubramanian, N.¹⁰ Kwong, D.L.¹¹

5
- 79954420621
- K.-I. Chen B.-R. Li Y.-T. Chen Nano Today 2011 6 131 154
- (2011) Nano Today , vol.6 , pp. 131-154
- Chen, K.-I.¹ Li, B.-R.² Chen, Y.-T.³

6
- 77949437431
- E. Garnett P. Yang Nano Lett. 2010 10 1082 1087
- (2010) Nano Lett. , vol.10 , pp. 1082-1087
- Garnett, E.¹ Yang, P.²

7
- 47749087123
- E. C. Garnett P. Yang J. Am. Chem. Soc. 2008 130 9224 9225
- (2008) J. Am. Chem. Soc. , vol.130 , pp. 9224-9225
- Garnett, E.C.¹ Yang, P.²

8
- 84875784246
- M. M. Adachi M. P. Anantram K. S. Karim Sci. Rep. 2013 3 1546
- (2013) Sci. Rep. , vol.3 , pp. 1546
- Adachi, M.M.¹ Anantram, M.P.² Karim, K.S.³

9
- 77955130171
- J. V. Wittemann W. Munchgesang S. Senz V. Schmidt J. Appl. Phys. 2010 107 096105
- (2010) J. Appl. Phys. , vol.107 , pp. 096105
- Wittemann, J.V.¹ Munchgesang, W.² Senz, S.³ Schmidt, V.⁴

10
- 16244371061
- S. Sharma T. I. Kamins R. S. Williams Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2005 80 1225 1229
- (2005) Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. , vol.80 , pp. 1225-1229
- Sharma, S.¹ Kamins, T.I.² Williams, R.S.³

11
- 65249093295
- H. D. Tong S. Chen W. G. van der Wiel E. T. Carlen A. van den Berg Nano Lett. 2009 9 1015 1022
- (2009) Nano Lett. , vol.9 , pp. 1015-1022
- Tong, H.D.¹ Chen, S.² Van Der Wiel, W.G.³ Carlen, E.T.⁴ Van Den Berg, A.⁵

12
- 84902520640
- R. Sozaraj B. Dipu C. F. Colm L. Tarek T. S. Matthew D. H. Justin A. M. Michael Nanotechnology 2013 24 065503
- (2013) Nanotechnology , vol.24 , pp. 065503
- Sozaraj, R.¹ Dipu, B.² Colm, C.F.³ Tarek, L.⁴ Matthew, T.S.⁵ Justin, D.H.⁶ Michael, A.M.⁷

13
- 44949151547
- K.-N. Lee S.-W. Jung K.-S. Shin W.-H. Kim M.-H. Lee W.-K. Seong Small 2008 4 642 648
- (2008) Small , vol.4 , pp. 642-648
- Lee, K.-N.¹ Jung, S.-W.² Shin, K.-S.³ Kim, W.-H.⁴ Lee, M.-H.⁵ Seong, W.-K.⁶

14
- 38849176958
- N. Rochdi D. Tonneau F. Jandard H. Dallaporta V. Safarov J. Gautier J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct. 2008 26 159 163
- (2008) J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct. , vol.26 , pp. 159-163
- Rochdi, N.¹ Tonneau, D.² Jandard, F.³ Dallaporta, H.⁴ Safarov, V.⁵ Gautier, J.⁶

15
- 73249122039
- S. Chen J. G. Bomer W. G. van der Wiel E. T. Carlen A. van den Berg ACS Nano 2009 3 3485 3492
- (2009) ACS Nano , vol.3 , pp. 3485-3492
- Chen, S.¹ Bomer, J.G.² Van Der Wiel, W.G.³ Carlen, E.T.⁴ Van Den Berg, A.⁵

16
- 14644409706
- R. Juhasz N. Elfström J. Linnros Nano Lett. 2004 5 275 280
- (2004) Nano Lett. , vol.5 , pp. 275-280
- Juhasz, R.¹ Elfström, N.² Linnros, J.³

17
- 15344349685
- K. B. Sundaram A. Vijayakumar G. Subramanian Microelectron. Eng. 2005 77 230 241
- (2005) Microelectron. Eng. , vol.77 , pp. 230-241
- Sundaram, K.B.¹ Vijayakumar, A.² Subramanian, G.³

18
- 0035975568
- I. Zubel M. Kramkowska Sens. Actuators, A 2001 93 138 147
- (2001) Sens. Actuators, A , vol.93 , pp. 138-147
- Zubel, I.¹ Kramkowska, M.²

19
- 84859423927
- I. Zubel M. Kramkowska K. Rola Sens. Actuators, A 2012 178 126 135
- (2012) Sens. Actuators, A , vol.178 , pp. 126-135
- Zubel, I.¹ Kramkowska, M.² Rola, K.³

20
- 56549113551
- S. Poli M. G. Pala T. Poiroux S. Deleonibus G. Baccarani IEEE Trans. Electron Devices 2008 55 2968 2976
- (2008) IEEE Trans. Electron Devices , vol.55 , pp. 2968-2976
- Poli, S.¹ Pala, M.G.² Poiroux, T.³ Deleonibus, S.⁴ Baccarani, G.⁵

21
- 50949116543
- M. Lenzi A. Gnudi S. Reggiani E. Gnani M. Rudan G. Baccarani J. Comput. Electron. 2008 7 355 358
- (2008) J. Comput. Electron. , vol.7 , pp. 355-358
- Lenzi, M.¹ Gnudi, A.² Reggiani, S.³ Gnani, E.⁴ Rudan, M.⁵ Baccarani, G.⁶

22
- 84883194537
- F. Wang S. Yip N. Han K. Fok H. Lin J. J. Hou G. Dong T. Hung K. Chan J. C. Ho Nanotechnology 2013 24 375202
- (2013) Nanotechnology , vol.24 , pp. 375202
- Wang, F.¹ Yip, S.² Han, N.³ Fok, K.⁴ Lin, H.⁵ Hou, J.J.⁶ Dong, G.⁷ Hung, T.⁸ Chan, K.⁹ Ho, J.C.¹⁰

23
- 0034297460
- E. Steinsland T. Finstad A. Hanneborg Sens. Actuators, A 2000 86 73 80
- (2000) Sens. Actuators, A , vol.86 , pp. 73-80
- Steinsland, E.¹ Finstad, T.² Hanneborg, A.³

24
- 69549118622
- J. F. Eschermann R. Stockmann M. Hueske X. T. Vu S. Ingebrandt A. Offenhausser Appl. Phys. Lett. 2009 95 083703
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.95 , pp. 083703
- Eschermann, J.F.¹ Stockmann, R.² Hueske, M.³ Vu, X.T.⁴ Ingebrandt, S.⁵ Offenhausser, A.⁶

25
- 33845289804
- V. Schmidt S. Senz U. Gösele Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2007 86 187 191
- (2007) Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. , vol.86 , pp. 187-191
- Schmidt, V.¹ Senz, S.² Gösele, U.³

26
- 59849104225
- M. T. Bjork H. Schmid J. Knoch H. Riel W. Riess Nat. Nanotechnol. 2009 4 103 107
- (2009) Nat. Nanotechnol. , vol.4 , pp. 103-107
- Bjork, M.T.¹ Schmid, H.² Knoch, J.³ Riel, H.⁴ Riess, W.⁵

27
- 56549093447
- S. Ingole P. Manandhar S. B. Chikkannanavar E. A. Akhadov S. T. Picraux IEEE Trans. Electron Devices 2008 55 2931 2938
- (2008) IEEE Trans. Electron Devices , vol.55 , pp. 2931-2938
- Ingole, S.¹ Manandhar, P.² Chikkannanavar, S.B.³ Akhadov, E.A.⁴ Picraux, S.T.⁵

28
- 31044449712
- K.-i. Seo S. Sharma A. A. Yasseri D. R. Stewart T. I. Kamins Electrochem. Solid-State Lett. 2006 9 G69 G72
- (2006) Electrochem. Solid-State Lett. , vol.9
- Seo, K.-I.¹ Sharma, S.² Yasseri, A.A.³ Stewart, D.R.⁴ Kamins, T.I.⁵

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.