Integrating multiple resistive memory devices on a single carbon nanotube

Advanced Functional Materials

Volumn 23, Issue 45, 2013, Pages 5631-5637

  Brunel, David ^a   Anghel, Costin ^b   Kim, Do Yoon ^c   Tahir, Saïd ^c   Lenfant, Stéphane ^d   Filoramo, Arianna ^a   Kontos, Takis ^e   Vuillaume, Dominique ^d   Jourdain, Vincent ^c   Derycke, Vincent ^a  

^a SERVICE DE PHYSIQUE DE L ETAT CONDENSÉ   (France)

^b Institut Superieur d'Electronique de Paris ISEP   (France)

^c UNIV MONTPELLIER   (France)

^d INSTITUT D ELECTRONIQUE   (France)

^e ECOLE NORMALE SUPÉRIEURE   (France)

Author keywords

carbon nanotubes; organic diodes; organic memory; resistive memory; single walled carbon nanotubes

Indexed keywords

CONVENTIONAL TRANSISTORS; ORGANIC DIODES; ORGANIC MEMORY; ORGANIC PHOTO-CONDUCTIVE; PROGRAMMABLE RESISTORS; RECONFIGURABLE CIRCUITS; RESISTIVE MEMORY; SINGLE CARBON NANOTUBE;

CARBON NANOTUBES; DEFECTS; DIODES; ELECTRIC ENERGY STORAGE; SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES (SWCN);

CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 84889643417     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201300775     Document Type: Article

References (48)

1. J. J. Yang, D. B. Strukov, D. R. Stewart, Nat. Nanotechnol. 2013, 8, 13.
2. H. Yan, H. S. Choe, S. W. Nam, Y. Hu, S. Das, J. F. Klemic, J. C. Ellenbogen, C. M. Lieber, Nature 2011, 470, 240.
3. Ö. Türel, J. H. Lee, X. L. Ma, K. K. Likharev, Int. J. Circ. Theory Appl. 2004, 32, 277.
4. D. B. Strukov, K. K. Likharev, Nanotechnology 2005, 16, 888.
5. G. S. Snider, Nanotechnology 2007, 18, 365202.
6. J. Yao, Z. Jin, L. Zhong, D. Natelson, J. M. Tour, ACS Nano 2009, 3, 4122.
7. J. Yoon, W.-K. Hong, M. Jo, G. Jo, M. Choe, W. Park, J. I. Sohn, S. Nedic, H. Hwang, M. E. Welland, T. Lee, ACS Nano 2011, 5, 558.
8. S. Y. Liao, J.-M. Retrouvey, G. Agnus, W. Zhao, C. Maneux, S. Fregonese, T. Zimmer, D. Chabi, A. Filoramo, V. Derycke, C. Gamrat, J.-O. Klein, IEEE Trans. Circuits Syst. 2011, 58, 2172.
9. L. O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 1971, 18, 507.
10. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2008, 453, 80.
11. M. Di Ventra, Y. V. Pershin, L. O. Chua, Proc. IEEE 2009, 97, 1717.
12. Q. Xia, M. D. Pickett, J. J. Yang, X. Li, W. Wu, G. Medeiros-Ribeiro, R. S. Williams, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 2660.
13. F. Alibart, S. Pleutin, O. Bichler, C. Gamrat, T. Serrano-Gotarredona, B. Linares-Barranco, D. Vuillaume, Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 609.
14. A. DeHon, S. C. Goldstein, P. J. Kuekes, P. Lincoln, IEEE Trans. Nanotechnol. 2005, 4, 215.
15. D. B. Strukov, K. K. Likharev, IEEE Trans. Nanotechnol. 2007, 6, 696.
16. G. S. Snider, P. J. Kuekes, IEEE Trans. Nanotechnol. 2006, 5, 129.
17. B. Nasr, D. Wang, R. Kruk, H. Rösner, H. Hahn, S. Dasgupta, Adv. Funct. Mater. 2012, 23, 1750.
18. W. Y. Park, G. H. Kim, J. Y. Seok, K. M. Kim, S. J. Song, M. H. Lee, C. S. Hwang, Nanotechnology 2010, 21, 195201.
19. K.-H. Kim, S. H. Jo, S. Gaba, W. Lu, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 053106.
20. Q. Zuo, S. Long, Q. Liu, S. Zhang, Q. Wang, Y. Li, Y. Wang, M. Liu, J. Appl. Phys. 2009, 106, 073724.
21. C.-H. Huang, J.-S. Huang, S.-M. Lin, W.-Y. Chang, J.-H. He, Y.-L. Chueh, ACS Nano 2012, 6, 8407.
22. E. Linn, R. Rosezin, C. Kügeler, R. Waser, Nat. Mater. 2010, 9, 403.
23. A. Star, Y. Lu, K. Bradley, G. Grüner, Nano Lett. 2004, 4, 1587.
24. J. Borghetti, V. Derycke, S. Lenfant, P. Chenevier, A. Filoramo, M. Goffman, D. Vuillaume, J.-P. Bourgoin, Adv. Mater. 2006, 18, 2535.
25. K. S. Narayan, M. Rao, R. Zhang, P. Maniar, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 243507.
26. C. Anghel, V. Derycke, A. Filoramo, S. Lenfant, B. Giffard, D. Vuillaume, J.-P Bourgoin, Nano Lett. 2008, 8, 3619.
27. D. Brunel, P. L. Levesque, F. Ardiaca, R. Martel, V. Derycke, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 013103.
28. G. Agnus, W. Zhao, V. Derycke, A. Filoramo, Y. Lhuillier, S. Lenfant, D. Vuillaume, C. Gamrat, J.-P. Bourgoin, Adv. Mater. 2010, 22, 702.
29. Y. Li, T. Kaneko, Y. Hirotsu, R. Hatakeyama, Small 2010, 6, 27.
30. S. Liu, J. Li, Q. Shen, Y. Cao, X. Guo, G. Zhang, C. Feng, J. Zhang, Z. Liu, M. L. Steigerwald, D. Xu, C. Nuckolls, Angew. Chem. Int. Ed. 2009, 48, 4759.
31. Y. Shi, W. Fang, K. Zhang, W. Zhang, L.-J. Li, Small 2009, 5, 2005.
32. C. B. Winkelmann, I. Ionica, X. Chevalier, G. Royal, C. Bucher, V. Bouchiat, Nano Lett. 2007, 7, 1454.
33. C.-J. Kim, S.-J. Choi, J.-H. Ahn, J.-W. Han, H. Kim, S. Yoo, Y.-K. Choi, ACS Nano 2012, 6, 1449.
34. M.-Y. Chiu, C.-C. Chen, J.-T. Sheu, K.-H. Wei, Org. Electron. 2009, 10, 769.
35. W. S. Zhao, G. Agnus, V. Derycke, A. Filoramo, C. Gamrat, J.-P. Bourgoin, Nanotechnology 2010, 21, 175202.
36. K. Gacem, J.-M. Retrouvey, D. Chabi, A. Filoramo, W. S. Zhao, J.-O. Klein, V. Derycke, unpublished.
37. E. S. Snow, J. P. Novak, P. M. Campbell, D. Park, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2145.
38. K. Bradley, J. C. P. Gabriel, G. Gruner, Nano Lett. 2003, 3, 1353.
39. M. A. Meitl, Y. X. Zhou, A. Gaur, S. Jeon, M. L. Usrey, M. S. Strano, J. A. Rogers, Nano Lett. 2004, 4, 1643.
40. J. Li, P. C. Ma, W. S. Chow, C. K. To, B. Z. Tang, J.-K. Kim, Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 3207.
41. Q. Cao, J. A. Rogers, Adv. Mater. 2009, 21, 29.
42. J. C. P. Gabriel, C. R. Phys. 2010, 11, 362.
43. M. Ha, Y. Xia, A. A. Green, W. Zhang, M. J. Renn, C. H. Kim, M. C. Hersam, C. D. Frisbie, ACS Nano 2010, 4, 4388.
44. L. Hu, D. S. Hecht, G. Grüner, Chem. Rev. 2010, 110, 5790.
45. A. Behnam, V. K. Sangwan, X. Y. Zhong, F. F. Lian, D. Estrada, D. Jariwala, A. J. Hoag, L. J. Lauhon, T. J. Marks, M. C. Hersam, E. Pop, ACS Nano 2013, 7, 482.
46. G. Agnus, A. Filoramo, S. Lenfant, D. Vuillaume, J.-P. Bourgoin, V. Derycke, Small 2010, 6, 2659.
47. P. G. Collins, M. S. Arnold, P. Avouris, Science 2001, 292, 706.
48. S. Heinze, J. Tersoff, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, P. Avouris, Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 106801.