-
1
-
-
0035827304
-
-
Huang, M. H.; Mao, S.; Feick, H.; Yan, H. Q.; Wu, Y. Y.; Kind, H.; Weber, E.; Russo, R.; Yang, P. D. Science 2011, 292, 1897-1899
-
(2011)
Science
, vol.292
, pp. 1897-1899
-
-
Huang, M.H.1
Mao, S.2
Feick, H.3
Yan, H.Q.4
Wu, Y.Y.5
Kind, H.6
Weber, E.7
Russo, R.8
Yang, P.D.9
-
2
-
-
80052822198
-
-
Yang, Q.; Wang, W. H.; Xu, S.; Wang, Z. L. Nano Lett. 2011, 11, 4012-4017
-
(2011)
Nano Lett.
, vol.11
, pp. 4012-4017
-
-
Yang, Q.1
Wang, W.H.2
Xu, S.3
Wang, Z.L.4
-
4
-
-
84856971018
-
-
Yoo, J.; Dang, L. S.; Chon, B.; Joo, T.; Yi, G. C. Nano Lett. 2012, 12, 556-561
-
(2012)
Nano Lett.
, vol.12
, pp. 556-561
-
-
Yoo, J.1
Dang, L.S.2
Chon, B.3
Joo, T.4
Yi, G.C.5
-
5
-
-
19944421735
-
-
Tsukazaki, A.; Ohtomo, A.; Onuma, T.; Ohtani, M.; Makino, T.; Sumiya, M.; Ohtani, K.; Chichibu, S. F.; Fuke, S.; Segawa, Y.; Ohno, H.; Koinuma, H.; Kawasaki, M. Nat. Mater. 2005, 4, 42-46
-
(2005)
Nat. Mater.
, vol.4
, pp. 42-46
-
-
Tsukazaki, A.1
Ohtomo, A.2
Onuma, T.3
Ohtani, M.4
Makino, T.5
Sumiya, M.6
Ohtani, K.7
Chichibu, S.F.8
Fuke, S.9
Segawa, Y.10
Ohno, H.11
Koinuma, H.12
Kawasaki, M.13
-
6
-
-
67650391986
-
-
Li, P. J.; Liao, Z. M.; Zhang, X. Z.; Zhang, X. J.; Zhu, H. C.; Gao, J. Y.; Laurent, K.; Leprince-Wang, Y.; Wang, N.; Yu, D. P. Nano Lett. 2009, 9, 2513-2518
-
(2009)
Nano Lett.
, vol.9
, pp. 2513-2518
-
-
Li, P.J.1
Liao, Z.M.2
Zhang, X.Z.3
Zhang, X.J.4
Zhu, H.C.5
Gao, J.Y.6
Laurent, K.7
Leprince-Wang, Y.8
Wang, N.9
Yu, D.P.10
-
7
-
-
77957912834
-
-
Bie, Y. Q.; Liao, Z. M.; Wang, P. W.; Zhou, Y. B.; Han, X. B.; Ye, Y.; Zhao, Q.; Wu, X. S.; Dai, L.; Xu, J.; Sang, L. W.; Deng, J. J.; Laurent, K.; Leprince-Wang, Y.; Yu, D. P. Adv. Mater. 2010, 22, 4284-4287
-
(2010)
Adv. Mater.
, vol.22
, pp. 4284-4287
-
-
Bie, Y.Q.1
Liao, Z.M.2
Wang, P.W.3
Zhou, Y.B.4
Han, X.B.5
Ye, Y.6
Zhao, Q.7
Wu, X.S.8
Dai, L.9
Xu, J.10
Sang, L.W.11
Deng, J.J.12
Laurent, K.13
Leprince-Wang, Y.14
Yu, D.P.15
-
8
-
-
84862895923
-
-
Wang, T.; Wu, H.; Wang, Z.; Chen, C.; Liu, C. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 1030-1032
-
(2012)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.33
, pp. 1030-1032
-
-
Wang, T.1
Wu, H.2
Wang, Z.3
Chen, C.4
Liu, C.5
-
9
-
-
84866875715
-
-
Zhang, S. G.; Zhang, X. W.; Si, F. T.; Dong, J. J.; Wang, J. X.; Liu, X.; Yin, Z. G.; Gao, H. L. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 121104
-
(2012)
Appl. Phys. Lett.
, vol.101
, pp. 121104
-
-
Zhang, S.G.1
Zhang, X.W.2
Si, F.T.3
Dong, J.J.4
Wang, J.X.5
Liu, X.6
Yin, Z.G.7
Gao, H.L.8
-
10
-
-
84869066412
-
-
Zhang, L. C.; Li, Q. S.; Shang, L.; Zhang, Z. J.; Huang, R. Z.; Zhao, F. Z. J. Phys. D: Appl. Phys. 2012, 45, 485103
-
(2012)
J. Phys. D: Appl. Phys.
, vol.45
, pp. 485103
-
-
Zhang, L.C.1
Li, Q.S.2
Shang, L.3
Zhang, Z.J.4
Huang, R.Z.5
Zhao, F.Z.6
-
11
-
-
80054927952
-
-
Chen, H. C.; Chen, M. J.; Huang, Y. H.; Sun, W. C.; Li, W. C.; Yang, J. R.; Kuan, H.; Shiojiri, M. IEEE Trans. Electron Devices 2011, 58, 3970-3975
-
(2011)
IEEE Trans. Electron Devices
, vol.58
, pp. 3970-3975
-
-
Chen, H.C.1
Chen, M.J.2
Huang, Y.H.3
Sun, W.C.4
Li, W.C.5
Yang, J.R.6
Kuan, H.7
Shiojiri, M.8
-
12
-
-
77955179962
-
-
Chen, H. C.; Chen, M. J.; Cheng, Y. C.; Yang, J. R.; Shiojiri, M. IEEE Photonics Technol. Lett. 2010, 22, 248-250
-
(2010)
IEEE Photonics Technol. Lett.
, vol.22
, pp. 248-250
-
-
Chen, H.C.1
Chen, M.J.2
Cheng, Y.C.3
Yang, J.R.4
Shiojiri, M.5
-
13
-
-
84858663720
-
-
Huang, H. H.; Fang, G. J.; Li, S. Z.; Long, H.; Mo, X. M.; Wang, H. N.; Yuan, L.; Jiang, Q. K.; Carroll, D. L.; Wang, J. B.; Wang, M. J.; Zhao, X. Z. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 263502
-
(2011)
Appl. Phys. Lett.
, vol.99
, pp. 263502
-
-
Huang, H.H.1
Fang, G.J.2
Li, S.Z.3
Long, H.4
Mo, X.M.5
Wang, H.N.6
Yuan, L.7
Jiang, Q.K.8
Carroll, D.L.9
Wang, J.B.10
Wang, M.J.11
Zhao, X.Z.12
-
14
-
-
77952960270
-
-
You, J. B.; Zhang, X. W.; Zhang, S. G.; Wang, J. X.; Yin, Z. G.; Tan, H. R.; Zhang, W. J.; Chu, P. K.; Cui, B.; Wowchak, A. M.; Dabiran, A. M.; Chow, P. P. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 201102
-
(2010)
Appl. Phys. Lett.
, vol.96
, pp. 201102
-
-
You, J.B.1
Zhang, X.W.2
Zhang, S.G.3
Wang, J.X.4
Yin, Z.G.5
Tan, H.R.6
Zhang, W.J.7
Chu, P.K.8
Cui, B.9
Wowchak, A.M.10
Dabiran, A.M.11
Chow, P.P.12
-
15
-
-
84861418389
-
-
Zhou, H.; Fang, G. J.; Jiang, Q. K.; Zhu, Y. D.; Liu, N. S.; Zou, X.; Mo, X. M.; Liu, Y. H.; Wang, J. B.; Meng, X. Q.; Zhao, X. Z. ACS Appl. Mater. Interfaces 2012, 4, 2521-2524
-
(2012)
ACS Appl. Mater. Interfaces
, vol.4
, pp. 2521-2524
-
-
Zhou, H.1
Fang, G.J.2
Jiang, Q.K.3
Zhu, Y.D.4
Liu, N.S.5
Zou, X.6
Mo, X.M.7
Liu, Y.H.8
Wang, J.B.9
Meng, X.Q.10
Zhao, X.Z.11
-
16
-
-
52949101702
-
-
Mondia, J. P.; Sharma, R.; Schafer, J.; Smith, W.; Zhao, Y. P.; Lu, Z. H.; Wang, L. J. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 121102
-
(2008)
Appl. Phys. Lett.
, vol.93
, pp. 121102
-
-
Mondia, J.P.1
Sharma, R.2
Schafer, J.3
Smith, W.4
Zhao, Y.P.5
Lu, Z.H.6
Wang, L.J.7
-
17
-
-
39649090979
-
-
Song, J. K.; Willer, U.; Szarko, J. M.; Leone, S. R.; Li, S.; Zhao, Y. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 1679-1684
-
(2008)
J. Phys. Chem. C
, vol.112
, pp. 1679-1684
-
-
Song, J.K.1
Willer, U.2
Szarko, J.M.3
Leone, S.R.4
Li, S.5
Zhao, Y.6
-
18
-
-
84862777544
-
-
Chen, M. W.; Retamal, J. R. D.; Chen, C. Y.; He, J. H. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 411-413
-
(2012)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.33
, pp. 411-413
-
-
Chen, M.W.1
Retamal, J.R.D.2
Chen, C.Y.3
He, J.H.4
-
19
-
-
84870301115
-
-
Yang, W. J.; She, J. C.; Deng, S. Z.; Xu, N. S. IEEE Trans. Electron Devices 2012, 12, 3641-3646
-
(2012)
IEEE Trans. Electron Devices
, vol.12
, pp. 3641-3646
-
-
Yang, W.J.1
She, J.C.2
Deng, S.Z.3
Xu, N.S.4
-
20
-
-
72849133579
-
-
Fei, P.; Yeh, P. H.; Zhou, J.; Xu, S.; Gao, Y. F.; Song, J. H.; Gu, Y. D.; Huang, Y. Y.; Wang, Z. L. Nano Lett. 2009, 9, 3435-3439
-
(2009)
Nano Lett.
, vol.9
, pp. 3435-3439
-
-
Fei, P.1
Yeh, P.H.2
Zhou, J.3
Xu, S.4
Gao, Y.F.5
Song, J.H.6
Gu, Y.D.7
Huang, Y.Y.8
Wang, Z.L.9
-
21
-
-
78650896441
-
-
Guo, W.; Yang, Y.; Qi, J. J.; Zhang, Y. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 263118
-
(2010)
Appl. Phys. Lett.
, vol.97
, pp. 263118
-
-
Guo, W.1
Yang, Y.2
Qi, J.J.3
Zhang, Y.4
-
22
-
-
84866513671
-
-
Wang, R. C.; Lin, H. Y.; Wang, C. H.; Liu, C. P. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 3875-3881
-
(2012)
Adv. Funct. Mater.
, vol.22
, pp. 3875-3881
-
-
Wang, R.C.1
Lin, H.Y.2
Wang, C.H.3
Liu, C.P.4
-
25
-
-
63349106844
-
-
Zhang, B.; Zhou, S. M.; Liu, B.; Gong, H. C.; Zhang, X. T. Sci. China, Ser. E: Technol. Sci. 2009, 52, 883
-
(2009)
Sci. China, Ser. E: Technol. Sci.
, vol.52
, pp. 883
-
-
Zhang, B.1
Zhou, S.M.2
Liu, B.3
Gong, H.C.4
Zhang, X.T.5
-
26
-
-
84871809669
-
-
Tang, X. B.; Zhou, S. M.; Yuan, X. Y. Mater. Lett. 2013, 93, 25-27
-
(2013)
Mater. Lett.
, vol.93
, pp. 25-27
-
-
Tang, X.B.1
Zhou, S.M.2
Yuan, X.Y.3
-
27
-
-
70350445712
-
-
Li, S.; Li, F. L.; Zhou, S. M.; Wang, P.; Cheng, K.; Du, Z. L. Chin. Phys. B 2009, 18, 3985-3989
-
(2009)
Chin. Phys. B
, vol.18
, pp. 3985-3989
-
-
Li, S.1
Li, F.L.2
Zhou, S.M.3
Wang, P.4
Cheng, K.5
Du, Z.L.6
-
28
-
-
84870881998
-
-
Tian, H.; Zhu, Y. Y.; Sun, Z. G.; Tong, F.; Zhu, J.; Chu, W.; Sun, S. H.; Zheng, M. J. New J. Chem. 2013, 37, 212-219
-
(2013)
New J. Chem.
, vol.37
, pp. 212-219
-
-
Tian, H.1
Zhu, Y.Y.2
Sun, Z.G.3
Tong, F.4
Zhu, J.5
Chu, W.6
Sun, S.H.7
Zheng, M.J.8
-
29
-
-
84871816111
-
-
Tokuda, H.; Kojima, T.; Kuzuhara, M. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 262104
-
(2012)
Appl. Phys. Lett.
, vol.101
, pp. 262104
-
-
Tokuda, H.1
Kojima, T.2
Kuzuhara, M.3
-
30
-
-
24144453586
-
-
Mosbacker, H. L.; Strzhemechny, Y. M.; White, B. D.; Smith, P. E.; Look, D. C.; Reynolds, D. C.; Litton, C. W.; Brillson, L. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 012102
-
(2005)
Appl. Phys. Lett.
, vol.87
, pp. 012102
-
-
Mosbacker, H.L.1
Strzhemechny, Y.M.2
White, B.D.3
Smith, P.E.4
Look, D.C.5
Reynolds, D.C.6
Litton, C.W.7
Brillson, L.J.8
-
31
-
-
53349175291
-
-
Kong, J. Y.; Chu, S.; Olmedo, M.; Li, L.; Yang, Z.; Liua, J. L. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 132113
-
(2008)
Appl. Phys. Lett.
, vol.93
, pp. 132113
-
-
Kong, J.Y.1
Chu, S.2
Olmedo, M.3
Li, L.4
Yang, Z.5
Liua, J.L.6
-
33
-
-
2442499520
-
-
Youn, D. H.; Lee, J. H.; Kumar, V.; Lee, K. S.; Lee, J. H.; Adesida, I. IEEE Trans. Electron Devices 2004, 51, 785-789
-
(2004)
IEEE Trans. Electron Devices
, vol.51
, pp. 785-789
-
-
Youn, D.H.1
Lee, J.H.2
Kumar, V.3
Lee, K.S.4
Lee, J.H.5
Adesida, I.6
-
34
-
-
1642399733
-
-
Jeon, C. M.; Lee, J. H.; Lee, J. H.; Lee, J. L. IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 120-122
-
(2004)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.25
, pp. 120-122
-
-
Jeon, C.M.1
Lee, J.H.2
Lee, J.H.3
Lee, J.L.4
-
35
-
-
84864646534
-
-
Du, G. T.; Zhao, W.; Wu, G. G.; Shi, Z. F.; Xia, X. C.; Liu, Y.; Liang, H. W.; Dong, X.; Ma, Y.; Zhang, B. L. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 053503
-
(2012)
Appl. Phys. Lett.
, vol.101
, pp. 053503
-
-
Du, G.T.1
Zhao, W.2
Wu, G.G.3
Shi, Z.F.4
Xia, X.C.5
Liu, Y.6
Liang, H.W.7
Dong, X.8
Ma, Y.9
Zhang, B.L.10
-
36
-
-
78149443576
-
-
Xu, S.; Xu, C.; Liu, Y.; Hu, Y.; Yang, R.; Yang, Q.; Ryou, J. H.; Kim, H. J.; Lochner, Z.; Choi, S.; Dupuis, R.; Wang, Z. L. Adv. Mater. 2010, 22, 4749-4753
-
(2010)
Adv. Mater.
, vol.22
, pp. 4749-4753
-
-
Xu, S.1
Xu, C.2
Liu, Y.3
Hu, Y.4
Yang, R.5
Yang, Q.6
Ryou, J.H.7
Kim, H.J.8
Lochner, Z.9
Choi, S.10
Dupuis, R.11
Wang, Z.L.12
|