Stopping and resuming at will the growth of GaAs nanowires

Crystal Growth and Design

Volumn 13, Issue 9, 2013, Pages 3976-3984

  Priante, G ^a   Ambrosini, S ^a,b,c,d   Dubrovskii, V G ^c,e   Franciosi, A ^a,b,f   Rubini, S ^a  

^a LABORATORIO TASC   (Italy)

^b UNIVERSITY OF TRIESTE   (Italy)

^c ST PETERSBURG ACADEMIC UNIVERSITY   (Russian Federation)

^d DURHAM UNIVERSITY   (United Kingdom)

^e IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^f SINCROTRONE TRIESTE   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL RELATIONS; GA FLUX; GA-RICH CONDITIONS; GAAS NANOWIRES; GAAS(111); NANOWIRE GROWTH; REGROWTH PROCESS; TIME DEPENDENCE;

EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM ARSENIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOPARTICLES; SEMICONDUCTING GALLIUM; SILICON WAFERS;

NANOWIRES;

EID: 84883658705     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg400701w     Document Type: Article

References (51)

1. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89-90
2. Bar-Sadan, M.; Barthel, J.; Shtrikman, H.; Houben, L. Nano Lett. 2012, 12, 2352-6
3. Motohisa, J.; Noborisaka, J.; Takeda, J.; Inari, M.; Fukui, T. J. Cryst. Growth 2004, 272, 180-5
4. Ikejiri, K.; Noborisaka, J.; Hara, S.; Motohisa, J.; Fukui, T. J. Cryst. Growth 2007, 298, 616-9
5. Tomioka, K.; Motohisa, J.; Hara, S.; Fukui, T. Nano Lett. 2008, 8, 3475-80
6. Tomioka, K.; Kobayashi, Y.; Motohisa, J.; Hara, S.; Fukui, T. Nanotechnology 2009, 20, 145302
7. Tomioka, K.; Yoshimura, M.; Fukui, T. Nature 2012, 488, 189-92
8. Hertenberger, S.; Rudolph, D.; Bichler, M.; Finley, J. J.; Abstreiter, G.; Koblmüller, G. J. Appl. Phys. 2010, 108, 114316
9. Fontcuberta i Morral, A.; Colombo, C.; Abstreiter, G.; Arbiol, J.; Morante, J. R. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 063112
10. Jabeen, F.; Grillo, V.; Rubini, S.; Martelli, F. Nanotechnology 2008, 19, 275711
11. Ambrosini, S.; Fanetti, M.; Grillo, V.; Franciosi, A.; Rubini, S. J. Appl. Phys. 2011, 109, 094306-7
12. Paek, J. H.; Nishiwaki, T.; Yamaguchi, M.; Sawaki, N. Phys. Status Solidi C 2009, 6, 1436-40
13. Plissard, S.; Dick, K.; Larrieu, G.; Godey, S.; Addad, A.; Wallart, X.; Caroff, P. Nanotechnology 2010, 21, 385602
14. Cirlin, G.; Dubrovskii, V.; Samsonenko, Y.; Bouravleuv, A.; Durose, K.; Proskuryakov, Y.; Mendes, B.; Bowen, L.; Kaliteevski, M.; Abram, R.; Zeze, D. Phys. Rev. B 2010, 82, 1-6
15. Krogstrup, P.; Popovitz-Biro, R.; Johnson, E.; Madsen, M. H.; NygaÌŠrd, J.; Shtrikman, H. Nano Lett. 2010, 10, 4475-82
16. Dubrovskii, V. G.; Cirlin, G. E.; Sibirev, N. V.; Jabeen, F.; Harmand, J. C.; Werner, P. Nano Lett. 2011, 11, 1247-53
17. Russo-Averchi, E.; Heiss, M.; Michelet, L.; Krogstrup, P.; Nygard, J.; Magen, C.; Morante, J. R.; Uccelli, E.; Arbiol, J.; Fontcuberta i Morral, A. Nanoscale 2012, 4, 1486-90
18. Plissard, S.; Larrieu, G.; Wallart, X.; Caroff, P. Nanotechnology 2011, 22, 275602
19. Breuer, S.; Pfüller, C.; Flissikowski, T.; Brandt, O.; Grahn, H. T.; Geelhaar, L.; Riechert, H. Nano Lett. 2011, 11, 1276-9
20. Colombo, C.; Spirkoska, D.; Frimmer, M.; Abstreiter, G.; Fontcuberta i Morral, A. Phys. Rev. B 2008, 77, 2-6
21. Rieger, T.; Heiderich, S.; Lenk, S.; Lepsa, M. I.; Grützmacher, D. J. Cryst. Growth 2012, 353, 39-46
22. Ambrosini, S.; Fanetti, M.; Grillo, V.; Franciosi, A.; Rubini, S. AIP Adv. 2011, 1, 042142
23. Glas, F.; Harmand, J.-C.; Patriarche, G. Phys. Rev. Lett. 2007, 99, 3-6
24. Sibirev, N. V.; Nazarenko, M. V.; Dubrovskii, V. G. Tech. Phys. Lett. 2012, 38, 221-4
25. Krogstrup, P.; Hannibal Madsen, M.; Hu, W.; Kozu, M.; Nakata, Y.; NygaÌŠrd, J.; Takahasi, M.; Feidenhans, L. R. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 093103
26. Ketterer, B.; Heiss, M.; Uccelli, E.; Arbiol, J.; Fontcuberta i Morral, A. ACS Nano 2011, 5, 7585-92
27. Krogstrup, P.; Curiotto, S.; Johnson, E.; Aagesen, M.; NygaÌŠrd, J.; Chatain, D. Phys. Rev. Lett. 2011, 106, 125505
28. Yu, X.; Wang, H.; Lu, J.; Zhao, J.; Misuraca, J.; Xiong, P.; von Molnár, S. Nano Lett. 2012, 12, 5436-42
29. Munshi, A. M.; Dheeraj, D. L.; Todorovic, J.; van Helvoort, A. T. J.; Weman, H.; Fimland, B.-O. J. Cryst. Growth 2013, 372, 163-9
30. Heon Kim, Y.; Woo Park, D.; Jun Lee, S. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 033117
31. Dimakis, E.; Ramsteiner, M.; Tahraoui, A.; Riechert, H.; Geelhaar, L. Nano Res. 2012, 3, 676-84
32. Ikejiri, K.; Sato, T.; Yoshida, H.; Hiruma, K.; Motohisa, J.; Hara, S.; Fukui, T. Nanotechnology 2008, 19, 265604
33. Colombo, C.; Heiss, M.; Grätzel, M.; Fontcuberta i Morral, A. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 173108
34. Plissard, S.; Dick, K. A.; Wallart, X.; Caroff, P. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 121901
35. Paek, J. H.; Nishiwaki, T.; Yamaguchi, M.; Sawaki, N. Phys. E (Amsterdam, Neth.) 2010, 42, 2722-6
36. Rudolph, D.; Hertenberger, S.; Bolte, S.; Paosangthong, W.; Spirkoska, D.; Döblinger, M.; Bichler, M.; Finley, J. J.; Abstreiter, G.; Koblmüller, G. Nano Lett. 2011, 11, 3848-54
37. Lim, S. K.; Crawford, S.; Haberfehlner, G.; Gradečak, S. Nano Lett. 2013, 13, 331-6
38. Ramdani, M. R.; Harmand, J. C.; Glas, F.; Patriarche, G.; Travers, L. Cryst. Growth Des. 2013, 13, 91
39. Dimakis, E.; Lähnemann, J.; Jahn, U.; Breuer, S.; Hilse, M.; Geelhaar, L. Cryst. Growth Des. 2011, 11, 4001-8
40. Dubrovskii, V. G.; Sibirev, N. V.; Cirlin, G. E.; Soshnikov, I. P.; Chen, W. H.; Larde, R.; Cadel, E.; Pareige, P.; Xu, T.; Grandidier, B.; Nys, J.-P.; Stievenard, D.; Moewe, M.; Chuang, L. C.; Chang-Hasnain, C. Phys. Rev. B 2009, 79, 205316
41. Dubrovskii, V. G.; Sibirev, N. V.; Cirlin, G. E.; Bouravleuv, A. D.; Samsonenko, Yu. B.; Dheeraj, D. L.; Zhou, H. L.; Sartel, C.; Harmand, J. C.; Patriarche, G.; Glas, F. Phys. Rev. B 2009, 80, 205305
42. Dubrovskii, V. G.; Xu, T.; Lambert, Y.; Nys, J.-P.; Grandidier, B.; Stievenard, D.; Chen, W.; Pareige, P. Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 105501
43. Dubrovskii, V. G.; Sibirev, N. V.; Harmand, J. C.; Glas, F. Phys. Rev. B. 2008, 78, 235301
44. Crawford, S.; Lim, S. K.; Gradečak, S. Nano Lett. 2013, 13, 226-32
45. Chen, X. L.; Lan, Y. C.; Li, J. Y.; Cao, Y. G.; He, M. J. Cryst. Growth 2001, 222, 586
46. Plante, M. C.; LaPierre, R. R. J. Appl. Phys. 2009, 105, 114304
47. Dubrovskii, V. G.; Consonni, V.; Geelhaar, L.; Trampert, A.; Riechert, H. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 153101
48. Sibirev, N. V.; Tchernycheva, M.; Timofeeva, M. A.; Harmand, J. C.; Cirlin, G. E.; Dubrovskii, V. G. J. Appl. Phys. 2012, 111, 104317
49. Dubrovskii, V. G.; Sibirev, N. V.; Suris, R. A.; Cirlin, G. E.; Ustinov, V. M.; Tchernysheva, M.; Harmand, J. C. Semiconductors 2006, 40, 1075-82
50. Shtrikman, H.; Popovitz-Biro, R.; Kretinin, A.; Houben, L.; Heiblum, M.; Bukala, M.; Galicka, M.; Buczko, R.; Kacman, P. Nano Lett. 2009, 9, 1506-10
51. Tersoff, J.; Jesson, D. E.; Tang, W. X. Science 2009, 324, 236-8