Heterogeneously integrated III-V on silicon for future nanoelectronics

ECS Transactions

Volumn 45, Issue 3, 2012, Pages 581-594

  Hudait, Mantu K ^a  

^a Virginia Polytechnic Institute and State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC POWER UTILIZATION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM COMPOUNDS; GREEN COMPUTING; INDIUM ALLOYS; INTEGRATION; MANUFACTURE; NANOELECTRONICS; QUANTUM THEORY; SEMICONDUCTING INDIUM; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR ALLOYS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SILICON;

HETEROGENEOUS INTEGRATION; HIGH MOBILITY MATERIALS; LOW VOLTAGE OPERATION; NANOSCALE TRANSISTORS; QUANTUM WELL FIELD-EFFECT TRANSISTORS; SHRINKING FEATURE SIZES; TECHNOLOGICAL SOLUTION; ULTRA-LOW-POWER ELECTRONICS;

NANOSYSTEMS;

EID: 84866488540     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.3700922     Document Type: Conference Paper

References (52)

1. G. Moore, in Dig. Tech. Paper ISSCC, 2003, p. 20.
2. R. Chau, B. Doyle, S. Datta, J. Kavalieros, and K. Zhang, Nature Materials, vol. 6, 810 (2007).
3. R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, B. Jin, J. Kavalieros, A. Majumdar, M. Metz, and M. Radosavljevic, IEEE Trans. on Nanotechnology, vol. 4, 153 (2005).
4. S. Datta, T. Ashley, J. Brask, L. Buckle, m. Doczy, M. Emeny, D. Hayes, K. Hilton, R. Jefferies, R. Martin, T. J. Phillips, D. Wallis, P. Wilding, and R. Chau, in IEDM Technical Digest 2005, p. 763.
5. S. Datta, G. Dewey, J. M. Fastenau, M. K. Hudait, D. Loubychev, W. K. Liu, M. Radosavljevic, W. Rachmady, and R. Chau, IEEE Electron Device Letters, vol. 28, p. 685 (2007).
6. M. K. Hudait and R. Chau, in Compound Semiconductor Integrated Circuits Symposium, 2008. CSIC '08. IEEE, 2008, pp. 1-2.
7. M. K. Hudait, G. Dewey, S. Datta, J. M. Fastenau, J. Kavalieros, W. K. Liu, D. Lubyshev, R. Pillarisetty, W. Rachmady, M. Radosavljevic, T. Rakshit, and R. Chau, in IEDM Technical Digest, 2007, p. 625.
8. M. Radosavljevic, T. Ashley, A. Andreev, S. D. Coomber, G. Dewey, M. T. Emeny, M. Fearn, D. G. Hayes, K. P. Hilton, M. K. Hudait, R. Jefferies, T. Martin, R. Pillarisetty, W. Rachmady, T. Rakshit, S. J. Smith, M. J. Uren, D. J. Wallis, P. J. Wilding, and R. Chau, in IEDM Technical Digest, 2008, p. 727.
9. M. Radosavljevic, B. Chu-Kung, S. Corcoran, M. K. Hudait, G. Dewey, J. M. Fastenau, J. Kavalieros, W. K. Liu, D. Lubyshev, M. Metz, K. Millard, W. Rachmady, U. Shah, and R. Chau, in IEDM Technical Digest, 2009, p. 319.
10. S. Datta, Microelectron. Eng., vol. 84, 2133 (2007).
11. R. Chau, in CS MANTECH Conference, Chicago, Illinois, USA, 2008, pp. 1-4.
12. R. Chau, in Solid State Technology, July issue 45-48.
13. N. Neophytou, T. Rakshit, and M. S. Lundstrom, IEEE Trans Electron Devices, vol. 56, 1377 (2009).
14. J. A. del Alamo, Nature, vol. 479, 317 (2011).
15. D. H. Kim and J. A. del Alamo, in IEDM Technical Digest, 2006, p. 837.
16. D. H. Kim, J. A. del Alamo, J. H. Lee, and K. S. Seo, in IEDM Technical Digest, 2005, p. 767.
17. D.-H. Kim and J. A. del Alamo, in IEDM Technical Digest, 2007, p. 629.
18. D.-H. Kim and J. A. del Alamo, IEEE Electron Device Letters, vol. 29, 830 (2009).
19. T.-W. Kim, D.-H. Kim, and J. A. del Alamo, in IEDM Tech. Dig., 2009, p. 483.
20. N. Waldron, K. Dae-Hyun, and J. A. del Alamo, in IEDM Tech. Dig., 2007, p. 633.
21. N. Waldron, K. Dae-Hyun, and J. A. del Alamo, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 57, 297 (2010).
22. C. Y. Chang, H. T. Hsu, E. Y. Chang, C. I. Kuo, S. Datta, M. Radosavljevic, Y. Miyamoto, and G. W. Huang, IEEE Electron Device Letters, vol. 28, 856 (2007).
23. C. I. Kuo, H. T. Hsu, E. Y. Chang, C. Y. Chang, Y. Miyamoto, S. Datta, M. Radosavljevic, G. W. Huang, and C. T. Lee, IEEE Electron Device Letters, vol. 29, 290 (2008).
24. A. W. Fang, H. Park, O. Cohen, R. Jones, M. J. Paniccia, and J. E. Bowers, Optics Express, vol. 14, 9203 (2006).
25. J. R. LaRoche, W. E. Hoke, T. E. Kazior, D. Lubyshev, J. M. Fastenau, W. K. Liu, M. Urteaga, W. Ha, J. Bergman, M. J. Choe, B. Brar, M. T. Bulsara, E. A. Fitzgerald, D. Smith, D. Clark, R. Thompson, C. Drazek, N. Daval, L. Benaissa, and E. Augendre, in CS MANTECH Conference, Tampa, Florida, USA., 2009.
26. W. K. Liu, D. Lubyshev, J. M. Fastenau, Y. Wu, M. T. Bulsara, E. A. Fitzgerald, M. Urteaga, W. Ha, J. Bergman, B. Brar, W. E. Hoke, J. R. LaRoche, K. J. Herrick, T. E. Kazior, D. Clark, D. Smith, R. F. Thompson, C. Drazek, and N. Daval, J. Crystal Growth, vol. 311, 1979 (2009).
27. J. Z. Li, J. Bai, C. Major, M. Carroll, A. Lochtefeld, and Z. Shellenbarger, J. Appl. Phys. , vol. 103, 106102 (2008).
28. J. Yoon, S. Jo, I. S. Chun, I. Jung, H.-S. Kim, M. Meitl, E. Menard, X. Li, J. J. Coleman, U. Paik, and J. A. Rogers, Nature, vol. 465, 329, (2010).
29. H. Ko, K. Takei, R. Kapadia, S. Chuang, H. Fang, P. W. Leu, K. Ganapathi, E. Plis, H. S. Kim, S.-Y. Chen, M. Madsen, A. C. Ford, Y.-L. Chueh, S. Krishna, S. Salahuddin, and A. Javey, Nature, vol. 468, 286 (2010).
30. A. V. Krishnamoorthy, A. L. Lentine, K. W. Goossen, J. A. Walker, T. K. Woodward, J. E. Ford, G. F. Aplin, L. A. D'Asaro, S . P. Hui, B. Tseng, R. Leibenguth, D. Kossives, D. Dahringer, L. M. F. Chirovsky, and D. A. B. Miller, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 7, 1288 (1995).
31. K. W. Goossen, J. A. Walker, L. A. D'Asaro, S. P. Hui, B. Tseng, R. Leibenguth, D. Kossives, D. D. Bacon, D. Dahringer, L. M. F. Chirovsky, A. L. Lentine, and D. A. B. Miller, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 7, 360 (1995).
32. A. L. Lentine, K. W. Goossen, J. A. Walker, L. M. F. Chirovsky, L. A. D'Asaro, S. P. Hui, B. T. Tseng, R. E. Leibenguth, D. P. Kossives, D. W. Dahringer, D. D. Bacon, T. K. Woodward, and D. A. B. Miller, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 2, 221 (1996).
33. R. J. W. Hill, C. Park, J. Barnett, J. Price, J. Huang, N. Goel, W. Y. Loh, J. Oh, C. E. Smith, P. Kirsch, P. Majhi, and R. Jammy, in IEDM Tech. Dig., 2010, p. 130.
34. K. M. Lau, T. C. Wah, L. Haiou, and Z. Zhenyu, in IEDM Tech. Dig., 2008, p. 723.
35. Y. Uchida, Y. Yazawa, and T. Warabisako, Appl. Phys. Lett. 67, 127 (1995).
36. Y. Takano, M. Hisaka, N. Fujii, K. Suzuki, K. Kuwahara, and S. Fuke, Appl. Phys. Lett. 73, 2917 (1998).
37. T. S. Rao, K. Nozawa, and Y. Horikoshi, Appl. Phys. Lett. 62, 154 (1993).
38. K. Nozawa and Y. Horikoshi, J. Electron. Mater. 21, 641 (1992).
39. M. Yamaguchi, T. Nishioka, and M. Sugo, Appl. Phys. Lett. 54, 24 (1989).
40. N. A. El-Masry, J. C. Tarn, and N. H. Karam, J. Appl. Phys. 64, 3672 (1988).
41. Y. Watanabe, Y. Kadota, H. Okamoto, M. Seki, and Y. Ohmachi, J. Crystal Growth 93, 459 (1988).
42. T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 1494 (1994).
43. M. Yamaguchi, A. Yamamoto, M. Tachikawa, Y. Itoh, and M. Sugo, Appl. Phys. Lett. 53, 2293 (1988).
44. M. Yamaguchi, J. Materials Research 6, 376 (1991).
45. T. Ueda, S. Onozawa, M. Akiyama and M. Sakuta, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L1815 (1988).
46. M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and Y. Itoh, J. Appl. Phys. 59, 1751 (1986).
47. R. Fischer, D. Neuman, H. Zabel, H. Morkoç, C. Choi, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 48, 1223 (1986).
48. Y. Takagi, H. Yonezu, Y. Hachiya, and K. Pak, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 3368 (1994).
49. T. Yodo, and M. Tamura, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 3457 (1995).
50. A. Bakin, D. Piester, I. Behrens, H. -H. Wehmann, E. Peiner, A. Ivanov, D. Fehly, and A. Schlachetzki, Crystal Growth & Design 3, 89 (2003).
51. Y. C. Lin, H. Yamaguchi, E. Y. Chang, Y. C. Hsieh, M. Ueki, Y. Hirayama, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 90, 023509 (2007).
52. T. Ashley, L. Buckle, S. Datta, M.T. Emeny, D.G. Hayes, K.P. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T.J. Phillips, D.J. Wallis, P.J. Wilding and R. Chau, IEE Electronics Letters, vol. 43, 1-2 (2007).