Growth of InP layers on nanometer-scale patterned Si substrates

Crystal Growth and Design

Volumn 3, Issue 1, 2003, Pages 89-93

  Bakin, Andrey ^a   Piester, Dirk ^a,b   Behrens, Ingo ^a   Wehmann, Hergo Heinrich ^a   Peiner, Erwin ^a   Ivanov, Alexey ^a,c   Fehly, Detlef ^a,d   Schlachetzki, Andreas ^a  

^a TECHNICAL UNIVERSITY OF BRAUNSCHWEIG   (Germany)

^b PHYSIKALISCH TECHNISCHE BUNDESANSTALT   (Germany)

^c UNIVERSITY OF STUTTGART   (Germany)

^d IVM Automotive Wolfsburg GmbH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

SILICON; WATER;

ARTICLE; CRYSTALLIZATION; HIGH TEMPERATURE; MEASUREMENT; NANOPARTICLE; QUALITY CONTROL; TEMPERATURE DEPENDENCE;

EID: 0037265567     PISSN: 15287483     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg025558s     Document Type: Article

References (27)

1. http://public.itrs.net
2. Huber, A.; Huber, D.; Morf, T.; Jäckel, H.; Bergamaschi, C.; Hurm, V.; Ludwig, M.; Schlechtweg, M. Electron. Lett. 1999, 35, 897-898.
3. Ahadian, J. F.; Fonstad, C. G. Opt. Eng. 1998, 37, 3161-3174.
4. Hinton, H. S. IEEE J. Select. Top. Quantum Electron. 1996, 2, 14-23.
5. Plössl, A.; Kräuter, G. Mater. Sci. Eng. 1999, R25, 1-88.
6. Lehmann, V.; Mitani, K.; Stengl, R.; Mii, T.; Gösele, U. Jpn. J. Appl. Phys. 1989, 28, L2141-L2143.
7. Ersen, A.; Schnitzer, I.; Yablonovitch, E.; Gmitter, V. Sol.St. Electron. 1993, 36, 1731-1739.
8. Telford, M. III-Vs Rev. 2002, 15, No. 1, 44-46.
9. Van der Ziel, J. P.; Dupuis, R. D.; Logan, R. A.; Pinzone, C. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 89-91.
10. Sasaki, T.; Mori, H.; Tachikawa, M.; Yamada, T. J. Appl. Phys. 1998, 84, 6725-6728.
11. Gerard, B.; Marcadet, X.; Etienne, P.; Pribat, D.; Nagle, J.; Carlin, F. ; Ilegems, M.; Friedrich, D.; Eichholz, J.; Bernt, H. MRS Symp. Proc. Ser.; 1998, 533, FF4.2.
12. Linthicum, K.; Gehrke, T.; Thomson, D.; Carlson, E.; Rajoagopal, P.; Smith, T.; Batchelor, D.; Davis, R. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 196-198.
13. Parillaud, O.; Gil-Lafon, E.; Gerard, B.; Etienne, P.; Pribat, D. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 2654.
14. Kong, H. S.; Glass, J. T.; Davis, R. F. J. Appl. Phys. 1988, 64, 2672-2679.
15. Gorbach, T. Ya.; Holiney, R. Yu.; Matveeva, L. A.; Smertenko, P. S.; Svechnikov, S. V.; Venger, E. F.; Ciach, R.; Faryna, M. Thin Solid Films 1998, 336, 63-68.
16. Zubia, D.; Hersee, S. D. J. Appl. Phys. 1999, 85, 6492-6496.
17. Greene, M. A.; et al. IEEE Trans. Electron. Dev. 1999, 46, 1940.
18. Lubnow, A.; Tang, G.-P.; Wehmann, H.-H.; Schlachetzki, A.; Bugiel, E.; Zaumseil, P. J. Electron. Mater. 1992, 21, 1141.
19. Agnello, P. D.; Sedgwick, T. O.; Goorsky, M. S.; Cotte, J. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 454.
20. Asai, K.; Fujita, K.; Shiba, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1967.
21. Zhu, X.-Y.; Wolf, M.; Huett, T.; Nail, J.; Banse, B. A.; Creighton, J. R.; White, J. M. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 977.
22. Wehmann, H.-H.; Tang, G.-P.; Koch, A.; Seibt, M.; Schlachetzki, A. Solid State Phenom. 1996, 47-48, 547-552.
23. Sullivan, J. S.; Evans, H.; Savage, D. E.; Wilson, M. R.; Lagally, M. G. J. Electron. Mater. 1999, 28, 426.
24. Sharma, P. C.; Alt, K. W.; Yeh, D. Y.; Wang, D.; Wang, K. L. J. Electron. Mater. 1999, 28, 432.
25. Bimberg, D.; Grundmann, M.; Ledentsov, N. In Quantum Dot Heterostructures; John Wiley & Sons Ltd.: England, 1999.
26. Bakin, A.; Piester, D.; Behrens, I.; Wehmann, H.-H.; Fehly, D.; Peiner, E.; Schlachetzki, A.; Rösler J. In Abstracts of 2000 MRS Spring Meeting, k2; p 190.
27. http://www.bell-labs.com/org/physicalsciencees/projects/spt/spt_3.html.