ZnO nanowire transistors

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 109, Issue 1, 2005, Pages 9-14

  Goldberger, Josh ^a   Sirbuly, Donald J ^a   Law, Matt ^a   Yang, Peidong ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GATE FIELD; GOLD THIN FILMS; NANOWIRES; THIN-FILM DEVICES;

CRYSTALS; ENERGY GAP; LIGHT EMITTING DIODES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHOTODETECTORS; PROBES; TRANSCONDUCTANCE; TRANSPORT PROPERTIES; ZINC COMPOUNDS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

NANOWIRE; ZINC OXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; SEMICONDUCTOR; TEMPERATURE; TIME;

NANOWIRES; TEMPERATURE; TIME FACTORS; TRANSISTORS; TRANSISTORS, ELECTRONIC; ZINC OXIDE;

EID: 12344257046     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp0452599     Document Type: Article

References (44)

1. Huang, M. H.; Wu, Y.; Feick, H.; Tran, N.; Weber, E.; Yang, P. Adv. Mater. 2001, 13, 113.
2. Greene, L. E.; Law, M.; Goldberger, J.; Kim, F.; Johnson, J. C.; Zhang, Y.; Saykally, R. J.; Yang, P. Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 3031.
3. Vayssieres, L. Adv. Mater. 2003, 15, 464.
4. Yan, H.; He, R.; Pham, J.; Yang, P. Adv. Mater. 2003, 15, 402.
5. Yan, H.; He, R.; Johnson, J.; Law, M.; Saykally, R. J.; Yang, P. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 4728.
6. Wang, Z. L. Mater. Today 2004, 7, 26.
7. Huang, M. H.; Mao, S.; Feick, H.; Yan, H.; Wu, Y.; Kind, H.; Weber, E.; Russo, R.; Yang, P. Science 2001, 292, 1897.
8. Kind, H.; Yan, H.; Messer, B.; Law, M.; Yang, P. Adv. Mater. 2002, 14, 158.
9. Law, M.; Sirbuly, D. J.; Johnson, J. C.; Goldberger, J.; Saykally, R. J.; Yang, P. D. Science 2004, 305, 1269.
10. Law, M. D.; Greene, L. E.; Kadnikova, K.; Liu, J.; Frechet, J. M. J.; Yang, P. Abstr. Pap., Am. Chem. Soc. 2004, 227, PHYS.
11. Wan, Q.; Li, Q. H.; Chen, Y. J.; Wang, T. H.; He, X. L.; Li, J. P.; Lin, C. L. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3654.
12. Bae, H. S.; Im, S. J. Vac. Scie. Technol., B 2004, 22, 1191.
13. Carcia, P. F.; McLean, R. S.; Reilly, M. H.; Nunes, G. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1117.
14. Norris, B. J.; Anderson, J.; Wager, J. F.; Keszler, D. A. J. Phys. D-Appl. Phys. 2003, 36, L105.
15. Kawamura, H.; Yamada, H.; Takeuchi, M.; Yoshino, Y.; Makino, T.; Arai, S. Vacuum 2004, 74, 567.
16. Masuda, S.; Kitamura, K.; Okumura, Y.; Miyatake, S.; Tabata, H.; Kawai, T. J. Appl. Phys. 2003, 93, 1624.
17. Look, D. C.; Reynolds, D. C.; Sizelove, J. R.; Jones, R. L.; Litton, C. W.; Cantwell, G.; Harsch, W. C. Solid State Commun. 1998, 105, 399.
18. Ogata, K.; Komuro, T.; Hama, K.; Koike, K.; Sasa, S., Inoue, M.; Yano, M. Phys. Stat. Solidi C: Conf. Crit. Rev. 2004, 1, b616.
19. Tampo, H.; Yamada, A.; Fons, P.; Shibata, H.; Matsubara, K.; Iwata, K.; Niki, S.; Nakahara, K.; Takasu, H. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4412.
20. Arnold, M. S.; Avouris, P.; Pan, Z. W.; Wang, Z. L. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 659.
21. Ng, H. T.; Han, J.; Yamada, T.; Nguyen, P.; Chen, Y. P.; Meyyappan, M. Nano Lett. 2004, 4, 1247.
22. Cui, Y.; Zhong, Z. H.; Wang, D. L.; Wang, W. U.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 149.
23. Huang, Y.; Duan, X. F.; Cui, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2002, 2, 101.
24. Polyakov, A. Y.; Smirnov, N. B.; Kozhukhova, E. A.; Vdovin, V. I.; Ip, K.; Heo, Y. W.; Norton, D. P.; Pearton, S. J. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1575.
25. Collins, R. J.; Thomas, D. G. Phys. Rev. 1958, 112, 388.
26. Hoenig, S. A.; Lane, J. R. Surf. Sci. 1968, 11, 163.
27. Takahashi, Y.; Kanamori, M.; Kondoh, A.; Minoura, H.; Ohya, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 6611.
28. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed.; John Wiley & Sons: New York, 1981.
29. Kim, H. K.; Han, S. H.; Seong, T. Y.; Choi, W. K. J. Electrochem. Soc. 2001, 148, G114.
30. Ip, K.; Baik, K. H.; Heo, Y. W.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; LaRoche, J. R.; Luo, B.; Ren, F.; Zavada, J. M. J. Vac. Sci. Technol. B 2003, 21, 2378.
31. Ip, K.; Heo, Y. W.; Baik, K. H.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; Ren, F. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 544.
32. Yu, P. Y.; Cardona, M. Fundamentals of Semiconductors: Physics and Material Properties, 3rd ed.; ed.; Springer: New York, 2001.
33. Zwicker, G.; Jacobi, K.; Cunningham, J. Int. J. Mass Spectrom. Ion Processes 1984, 60, 213.
34. Kolmakov, A.; Moskovits, M. Annu. Rev. Mater. Res. 2004, 34, 151.
35. Wang, D.; Chang, Y.-L.; Wang, Q.; Cao, J.; Farmer, D. B.; Gordon, R. G.; Dai, H. J. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 11602.
36. Cui, Y.; Wei, Q. Q.; Park, H. K.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1289.
37. Duan, X. F.; Huang, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2002, 2, 487.
38. Kim, W.; Javey, A.; Vermesh, O.; Wang, O.; Li, Y. M.; Dai, H. J. Nano Lett. 2003, 3, 193.
39. Siddons, G. P.; Merchin, D.; Back, J. H.; Jeong, J. K.; Shim, M. Nano Lett. 2004, 4, 927.
40. Li, C.; Zhang, D. H.; Liu, X. L.; Han, S.; Tang, T.; Han, J.; Zhou, C. W. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1613.
41. Liu, X.; Li, C.; Han, S.; Han, J.; Zhou, C. W. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1950.
42. Zhang, Y.; Kolmakov, A.; Chretien, S.; Metiu, H.; Moskovits, M. Nano Lett. 2004, 4, 403.
43. Law, M.; Kind, H.; Messer, B.; Kim, F.; Yang, P. D. Angew. Chem., Int. Ed. 2002, 41, 2405.
44. s ranges from 0.1 to 3 V.