AlN nanowires: Synthesis, physical properties, and nanoelectronics applications

Journal of Materials Science

Volumn 47, Issue 14, 2012, Pages 5341-5360

  Kenry, ^a   Yong, Ken Tye ^a   Yu, Siu Fung ^b  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALN; ALN NANOWIRE; FABRICATION TECHNIQUE; GROWTH MECHANISMS; PIEZOELECTRIC PROPERTY; POTENTIAL APPLICATIONS;

ALUMINUM NITRIDE; MECHANICAL PROPERTIES; NANOELECTRONICS; PHYSICAL PROPERTIES;

NANOWIRES;

EID: 84861101316     PISSN: 00222461     EISSN: 15734803     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s10853-012-6388-0     Document Type: Review

References (89)

1. Davis RF (1991) Proc IEEE 79(5):702
2. Vurgaftman I, Meyer JR, Ram-Mohan LR (2001) J Appl Phys 89(11):5815
3. Li J et al (2003) Appl Phys Lett 83(25):5163
4. Benjamin MC et al (1994) Appl Phys Lett 64(24):3288
5. Bermudez VM et al (1996) J Appl Phys 79(1):110
6. Sowers AT et al (1997) Appl Phys Lett 71(16):2289
7. Kasu M, Kobayashi N (2000) Appl Phys Lett 76(20):2910
8. Grabowski SP et al (2001) Appl Phys Lett 78(17):2503
9. Tondare VN et al (2002) Appl Phys Lett 80(25):4813
10. Wang H et al (2006) J Mater Sci 41(6):1697. doi:10.1007/s10853-006-2939-6
11. Sharma AK, Thareja RK (2000) J Appl Phys 88(12):7334
12. Taniyasu Y, Kasu M, Makimoto T (2004) Appl Phys Lett 84(12): 2115
13. Tang YB, Cong HT, Cheng HM (2006) Appl Phys Lett 89(9):093113-1
14. Haber JA, Gibbons PC, Buhro WE (1997) J Am Chem Soc 119(23):5455
15. Lee KJ, Ahn DH, Kim YS (2000) J Am Ceram Soc 83(5):1117
16. Zhang YJ et al (2001) Chem Mater 13(11):3899
17. Wu Q et al (2003) J Am Chem Soc 125(34):10176
18. Tang YB et al (2006) Appl Phys Lett 89(25):253112-1
19. Liu C et al (2005) J Am Chem Soc 127(4):1318
20. Moya JS et al (1997) Acta Mater 45(8):3089
21. Zheng J et al (2007) J Solid State Chem 180(1):276
22. Zhang F et al (2008) J Phys Chem C 112(30):11331
23. Wu Q et al (2003) J Phys Chem B 107(36):9726
24. Tang YB et al (2005) Appl Phys Lett 86(15):153104-1
25. He JH et al (2006) Adv Mater 18(5):650
26. Tang YB et al (2005) Appl Phys Lett 86(23):233104-1
27. Duan JH et al (2005) J Cryst Growth 283(3-4):291
28. Yin LW et al (2005) Adv Mater 17(1):110
29. Wu Q et al (2007) J Phys Chem C 111(34):12639
30. Zhang F et al (2009) J Phys Chem C 113(10):4053
31. Liu J et al (2001) J Mater Res 16(11):3133
32. Wu Q et al (2004) Diam Relat Mater 13(1):38
33. Yuan Z-H et al (2009) Nanoscale Res Lett 4(10):1126
34. Balasubramanian C et al (2004) Nanotechnology 15(3):370
35. Shen LH et al (2006) Appl Phys A 84(1-2):73
36. Shen L et al (2008) J Alloy Compd 465(1-2):562
37. Shen L et al (2010) Appl Phys A 99(1):111
38. Tian Y et al (2007) Diam Relat Mater 16(2):302
39. Tang CC et al (2001) Chem Phys Lett 333(1-2):12
40. Wu Q et al (2003) J Mater Chem 13(8):2024
41. Su J et al (2005) Appl Phys Lett 86(1):013105-1
42. Cimalla V et al (2006) Phys Status Solidi B 243(7):1476
43. Wu H-M et al (2009) Ferroelectrics 383:73
44. Wu H-M, Liang J-Y (2009) Ferroelectrics 383:95
45. Liu F et al (2011) Nanoscale 3(2):610
46. Yu L et al (2011) J Cryst Growth 334(1):57
47. Zhao Q et al (2005) Appl Phys Lett 86(19):193101-1
48. Duan JH et al (2005) J Phys Chem B 109(9):3701
49. Zheng J et al (2008) ACS Nano 2(1):134
50. Lei M et al (2007) Mater Sci Eng B 143(1-3):85
51. Lei M et al (2008) J Alloy Compd 459(1-2):338
52. Lei M et al (2009) J Eur Ceram Soc 29(1):195
53. Yazdi GR, Syvajarvi M, Yakimova R (2007) Appl Phys Lett 90(12):123103-1
54. Yazdi GR et al (2009) Nanotechnology 20(49):495304
55. Yu L et al (2007) Diam Relat Mater 16(8):1636
56. Kim HW, Kebede MA, Kim HS (2009) Appl Surf Sci 255(16): 7221
57. Landre O et al (2010) Appl Phys Lett 96(6):061912-1
58. Yu L et al (2011) Mater Lett 65(10):1499
59. Lv H et al (2007) J Appl Phys 101(5):053526
60. Lv H-M et al (2007) Chin Phys 16(9):2814
61. Paul RK et al (2008) Mater Chem Phys 112(2):562
62. Xu CK et al (2003) Phys Status Solidi A 198(2):329
63. Tang YB et al (2007) J Mater Res 22(10):2711
64. Iijima S (1991) Nature 354(6348):56
65. Shen LH et al (2005) Chin Phys Lett 22(12):3192
66. Wagner RS, Ellis WC (1964) Appl Phys Lett 4(5):89
67. Haber JA, Gibbons PC, Buhro WE (1998) Chem Mater 10(12): 4062
68. Lee ST et al (1999) J Mater Res 14(12):4503
69. Zhang YF et al (2000) Phys Rev B 61(7):4518
70. Kasu M, Kobayashi N (2001) Appl Phys Lett 79(22):3642
71. Fang X et al (2008) J Mater Chem 18(5):509
72. Kai Y et al (2003) Jpn J Appl Phys Part 2 42(3A):L229
73. Huang HM et al (2010) Appl Phys Lett 96(6):062104-1
74. Cui Y et al (2000) J Phys Chem B 104(22):5213
75. Taniyasu Y, Kasu M, Makimoto T (2006) Nature 441(7091):325
76. Tang Y-B et al (2011) ACS Nano 5(5):3591
77. Cox GA et al (1967) J Phys Chem Solids 28(4):543
78. Mattila T, Nieminen RM (1996) Phys Rev B 54(23):16676
79. Berzina B et al (2002) Radiat Eff Defects Solids 157(6-12):1089
80. Slack GA et al (2002) J Cryst Growth 246(3-4):287
81. Kazan M et al (2005) J Appl Phys 98(10):103529-1
82. Tang Y et al (2007) Diam Relat Mater 16(3):537
83. Xie T et al (2004) J Phys Condens Matter 16(9):1639
84. Chen HT et al (2008) J Phys D 41(2):025101
85. Ji XH et al. (2008) 2008 2nd IEEE international nanoelectronics conference, vol. 1-32008, p 206
86. Rigutti L et al (2010) Phys Status Solidi A 207(6):1323
87. Rigutti L et al (2010) Nano Lett 10(8):2939
88. Li Y et al (2006) Nano Lett 6(7):1468
89. Zhou Z et al (2007) Nanotechnology 18(42):424023