Schottky barrier thin film transistors using solution-processed n-ZnO

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 4, Issue 3, 2012, Pages 1423-1428

  Adl, Ahmad H ^a   Ma, Alex ^a   Gupta, Manisha ^a   Benlamri, Mourad ^a   Tsui, Ying Y ^a   Barlage, Douglas W ^a   Shankar, Karthik ^a  

^a UNIVERSITY OF ALBERTA   (Canada)

Author keywords

asymmetrical MOSFET; Schottky junction; sol gel zinc oxide; solution processing; source injection barrier; thin film transistor

Indexed keywords

MOS-FET; SCHOTTKY JUNCTIONS; SOLUTION PROCESSING; SOURCE INJECTION BARRIER; THIN FILM TRANSISTORS (TFT);

MOSFET DEVICES; OHMIC CONTACTS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SOL-GELS; THIN FILMS; TRANSISTORS; ZINC OXIDE;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84859149209     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am201656h     Document Type: Article

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