Delta-doping of epitaxial GaN layers on large diameter Si(111) substrates

Applied Physics Express

Volumn 5, Issue 2, 2012, Pages

  Schenk, H P David ^a,b   Bavard, Alexis ^b,c,e   Frayssinet, Eric ^b   Song, Xi ^d   Cayrel, Frédéric ^d   Ghouli, Hassan ^a   Lijadi, Melania ^a   Naïm, Laurent ^a   Kennard, Mark ^a,e   Cordier, Yvon ^a,b   Rondi, Daniel ^c   Alquier, Daniel ^d  

^a Place Marcel Rebuffat   (France)

^b CRHEA CNRS   (France)

^c OMMIC   (France)

^d LMP (EA 3246)   (France)

^e PARC TECHNOLOGIQUE DES FONTAINES   (France)

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CARRIER SHEET DENSITY; DELTA-DOPING; EPITAXIAL STRUCTURE; GAN LAYERS; III-NITRIDE; IN-PLANE; LARGE DIAMETER; SI(111) SUBSTRATE; SILICON (111) SUBSTRATES; WAFER BOW;

ELECTRON MOBILITY; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SILICON;

SILICON WAFERS;

EID: 84857315987     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.5.025504     Document Type: Article

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