MOVPE growth of GaN on Si - Substrates and strain

Thin Solid Films

Volumn 515, Issue 10, 2007, Pages 4356-4361

  Dadgar, A ^a   Veit, P ^a   Schulze, F ^a   Blasing J ^a   Krtschil, A ^a   Witte, H ^a   Diez, A ^a   Hempel, T ^a   Christen, J ^a   Clos, R ^a   Krost, A ^a  

^a OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

Author keywords

GaN on Si; MOVPE; Stress; Wide bandgap; XRD

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); EDGE DETECTION; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR GROWTH; SINGLE CRYSTALS; TENSILE STRESS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

BANDGAP; BRAGG REFLECTION; DISLOCATION DENSITY; GAN;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33847060545     PISSN: 00406090     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.tsf.2006.07.100     Document Type: Article

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