GaN-based epitaxy on silicon: Stress measurements

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 200, Issue 1, 2003, Pages 26-35

  Krost, A ^a   Dadgar, A ^a   Strassburger, G ^a   Clos, R ^a  

^a OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRACK INITIATION; EPITAXIAL GROWTH; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON WAFERS; STRAIN; TEMPERATURE; TENSILE STRESS; THERMAL STRESS;

INTERLAYERS; STRAIN REDUCTION; STRESS MEASUREMENTS;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0348146371     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200303428     Document Type: Article

References (43)

1. A. Krost and A. Dadgar, Mat. Sci. Eng. B 93, 77 (2002).
2. Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 80, 222 (2002).
3. E. Feltin, B. Beaumont, M. Laügt, P. de Mierry, P. Vennéguès, M. Leroux, and P. Gibart, phys. stat. sol. (a) 188, 531 (2001).
4. H. Marchand, L. Zhao, N. Zhang, B. Moran, R. Coffie, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and J. A. Freitas, J. Appl. Phys. 89, 7846 (2001).
5. H. Ishigawa, G. Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Appl. Phys. 38, L492 (1999).
6. A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken, and A. Krost, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1183 (2000).
7. R. W. Hoffmann, Thin Solid Fims 34, 185 (1976).
8. A. Dadgar, M. Poschenrieder, J. Bläsing, K. Fehse, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 80, 3670 (2002).
9. T. Böttcher, S. Einfeldt, S. Figge, R. Chierchia, H. Heinke, D. Hommel, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 78, 1976 (2001).
10. J. F. Nye, Physical Properties of Crystals, Their Representation by Tensors and Matrices (Claredon Press, Oxford 1957).
11. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager III, E. Jones, Z. Lilienthal-Weber, M. Rubin, and E. R. Weber, Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
12. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
13. L. D. Landau and E. M. Lifschitz, Lehrbuch der Theoretischen Physik 7, Elastizitätstheorie, 7th edition (Harry Deutsch, Frankfurt, 1991).
14. V. A. Savastenko and A. U. Sheleg, phys. stat. sol. (a) 48, K135 (1978).
15. A. Polian, M. Grimsdich, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996).
16. Y. Takagi, M. Ahart, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, and S. Nakamura, Physica B 219/20, 547 (1996).
17. M. Yamaguchi, T. Yagi, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. ChiChibu, and S. Nakamura, J. Phys. C 9, 241 (1997).
18. T. Deguchi, D. Ichiryu, K. Toshikawa, K. Sekiguchi, T. Sota, R. Matsuo, T. Azuhata, T. Yagi, S. Chichibu, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 86, 1860 (1999).
19. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 53, 16310 (1996)
20. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 56, 7018 (1997).
21. T. Azuhata, T. Sota, and K. Suzuki, J. Phys. Condens. Matter 8, 3111 (1996).
22. R. B. Schwarz, K. Khachaturyan, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 70, 1122 (1997).
23. C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornsteiner, E. Riha, and G. Fischerauer, Appl. Phys. Lett. 72, 2400 (1998).
24. H. H. Lee, M. S. Yi, H. W. Jang, Y.-T. Moon, S.-Y. Park, D. Y. Noh, M. Tang, and K. S. Liang, Appl. Phys. Lett. 81, 5120 (2002).
25. R. Nowak, M. Pessa, M. Suganuma, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, and F. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 75, 2070 (1999).
26. M. D. Drory, J. W. Ager III, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 69, 4044 (1996).
27. G. Yu, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Soga, J. Watanabe, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Cryst. Growth 189/90, 701 (1998).
28. L. B. Freund, J. A. Floro, and E. Chason, Appl. Phys. Lett. 74, 1987 (1999).
29. G. Stoney, Proc. R. Soc. Lond. A, 82, 172 (1909).
30. S. Hearne, E. Chason, J. Han, J.A. Floro, J. Figiel, J. Hunter, H. Amano, and I. S. T. Tsong, Appl. Phys. Lett. 74, 356 (1999).
31. L. B. Freund, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 436, 393 (1997).
32. F. Kroupa, Z. Knesl, and J. Valach, Acta Tech. CSAV 38, 29 (1993).
33. J. J. Wortman and R. A. Evans, J. Appl. Phys. 36, 153 (1965).
34. A. Segmüller and M. Murakami, X-ray diffraction analysis of strains and stresses in thin films in: Analytical Techniques for Thin Films edited by K. N. Tu and R. Rosenberg (Academic Press, New York, 1988).
35. J. A. Floro and E. Chason, Curvature-based techniques for real-time stress measurement during thin film growth, in: In Situ Real-Time Characterization of Thin Films, edited by O. Auciello, A. R. Krauss (John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001).
36. L. T. Romano, C. G. Van de Walle, J. W. Ager III, W. Götz, and R. S. Kern, J. Appl. Phys. 87, 7745 (2000).
37. S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 40, L195 (2001).
38. S. I. Molina, A. M. Sánchez, F. J. Pacheco, R. García, M. A. Sánchez-García, F. J. Sánchez, and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 74, 3362 (1999).
39. A. Dadgar, M. Poschenrieder, A. Reiher, J. Bläsing, J. Christen, A. Krtschil, T. Finger, T. Hempel, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 82, 28 (2003).
40. H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason, and J. Figiel, J. Appl. Phys. 37, L1540 (1998).
41. J. Bläsing, A. Reiher, A. Dadgar, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 81, 1722 (2002).
42. A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 128, 391 (1993).
43. H. Lahrèche, P. Vennéguès, O. Totterau, M. Laügt, P. Lorenzini, M. Leroux, B. Beaumont, and P. Gibart, J. Cryst. Growth 217, 13 (2000).