Growth of Si delta-doped GaN by metalorganic chemical-vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 14, 2000, Pages 2195-2197

  Zhao, G Y ^a   Adachi, M ^a   Ishikawa, H ^a   Egawa, T ^a   Umeno, M ^a   Jimbo, T ^a  

^a NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001691608     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1314883     Document Type: Article

References (11)

1. M. S. Shur and M. A. Kahn, MRS Bull. 22, 44 (1997).
2. U. K. Mishra, Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, and S. P. DenBaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756 (1998).
3. O. Aktas, Z. F. Fan, A. Botchkarev, S. N. Mohammad, M. Roth, T. Tenkins, L. Kehiias, and H. Morkoç, IEEE Electron Device Lett. 18, 293 (1997).
4. T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 76, 121 (2000).
5. E. F. Shcubert, J. E. Cunningham, W. T. Tsang, and G. L. Timp, Appl. Phys. Lett. 51, 1170 (1987).
6. K. L. Tan, D. C. Streit, R. M. Dia, S. K. Wang, A. C. Han, P. M. D. Chow, T. Q. Trinh, P. H. Liu, J. R. Velebir, and H. C. Yen, IEEE Electron Device Lett. 12, 213 (1991).
7. O. Buchinsky, M. Blumin, R. Sarfaty, D. Fekete, I. Samid, and M. Yust, Appl. Phys. Lett. 68, 2043 (1996).
8. O. Buchinsky, M. Blumin, R. Sarfaty, D. Fekete, I. Samid, and M. Yust, Appl. Phys. Lett. 72, 1484 (1998).
9. J.-H. Kim, G. M. Yang, S. C. Choi, J. Y. Choi, H. K. Cho, K. Y. Lim, and H. J. Lee, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.49 (1999).
10. G. Li and C. Jagadish, J. Cryst. Growth 111, 239 (1991).
11. E. F. Shcubert, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 2980 (1990).